【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种电路，特别是一种GaAs（砷化镓）微波功率放大器保护控制电路。
技术介绍
发射机的主要功能就是将携带有用PCM信号的射频信号功率放大到一定的功率后输出，通过天线传回地面，供地面设备接收处理分析。目前发射机普遍选用GaAs微波功率放大器来实现射频信号的功率放大，而GaAs微波功率放大器要安全正常工作，就必须满足以下条件：提供负极性的栅极偏置电压，同时还须保证栅极负电压比给放大器供电源级正电压先建立的特性。现今DC/DC二次电源模块设计时没有考虑负电压比正电压先建立的功能，因此需要设计一种电路来实现负电源比正电源先建立的功能，以达到保护GaAs微波功率放大器安全工作的目的。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种GaAs微波功率放大器保护控制电路。该电路利用负电压控制正电压的输出，只有负电压建立以后正电压才能加载到功率放大器的电源输入端，最终实现对功率放大器的供电保护功能，保证其安全正常工作。为解决上述技术问题，本技术的技术方案：GaAs微波功率放大器保护控制电路。包括高速光电耦合器、开关三极管和PMOS晶体管，所述高速光电耦合器内部的发光三极管的输入端连接负电压；高速光电耦合器内部的光敏三极管的输入端连接正电压，光敏三极管的输出端串接开关三极管；开关三极管串接PMOS晶体管。上述的GaAs微波功率放大器保护控制电路中，具体的说是这样的：所述高速光电耦合器的输出端连接到开关三极管的基极，开关三极管的发射极接地，开关三极管的集电极连接到PMOS晶体管的栅极，PMOS晶体管的漏...
【技术保护点】
一种ＧａＡｓ微波功率放大器保护控制电路，包括高速光电耦合器（１）、开关三极管（２）和ＰＭＯＳ晶体管（３），其特征在于：所述高速光电耦合器（１）内部的发光三极管（４）的输入端连接负电压（ＶＳＳ）；高速光电耦合器（１）内部的光敏三极管（５）的输入端连接正电压（ＶＣＣ），光敏三极管（５）的输出端串接开关三极管（２）；开关三极管（２）串接ＰＭＯＳ晶体管（３）。
【技术特征摘要】
1.一种GaAs微波功率放大器保护控制电路，包括高速光电耦合器（1）、开关三极管（2）和PMOS晶体管（3），其特征在于：所述高速光电耦合器（1）内部的发光三极管（4）的输入端连接负电压（VSS）；高速光电耦合器（1）内部的光敏三极管（5）的输入端连接正电压（VCC），光敏三极管（5）的输出端串接开关三极管（2）；开关三极管（2）串接PMOS晶体管（3...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨亚宁，
申请(专利权)人：中国江南航天工业集团林泉电机厂，
类型：实用新型
国别省市：52[]
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