一种晶硅电池背场背极及其印刷工艺制造技术

技术编号:6950525 阅读:376 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种晶硅电池背场背极及其印刷工艺,先在晶硅硅片背表面印刷铝浆,在一定温度下烘干铝浆形成铝背场,再在烘干后的铝浆表面印刷背电极浆料形成背电极图形。本发明专利技术能增加晶硅电池铝背场的面积,减少晶硅背表面复合,增加铝背场的吸杂效果,有效提升晶硅电池的电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶硅电池及其加工工艺。
技术介绍
工业上常规的晶硅电池丝网印刷工艺,一般都是先印刷背电极再印刷铝背场。铝背场能够覆盖裸露的硅片,钝化保护晶硅背表面,吸杂分凝硅基体内金属离子杂质。此外, 铝背场还起到了收集电流、导电,并将电流汇流到背电极的作用。而背电极的主要作用是引出电流,测试时用于和测试仪探针接触,焊接时提供焊接基底等等。如果按照常规的电池生产工艺进行生产,先印背电极再印背场,则背电极所在区域会阻挡铝浆的覆盖,也即背电极所覆盖的区域不能形成铝背场,从而不能起到钝化背面、 吸杂等作用,不利于电池电性能的提高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足,而提供一种晶硅电池背场背极及其印刷工艺, 该种工艺能增加铝背场的形成面积,减少背表面复合,从而提高电池电性能。本专利技术采取的技术方案为一种晶硅电池背场背极,包括晶硅硅片,晶硅硅片的正面有减反射膜,减反射膜上有银正电极,晶硅硅片的背面刷有铝浆形成的铝背场,铝背场上印有背电极。一种晶硅电池背场背极的印刷工艺,步骤如下第一步,在晶硅硅片背表面印刷铝浆;第二步,在一定温度下烘干铝浆形成铝背场;第三步,在烘干后的铝浆表面印刷背电极浆料形成背电极图形。上述晶硅电池背场背极的印刷工艺,所述的铝浆厚度为10 50μπι ;背电极浆料厚度为10 50 μ m,单条背极宽度为1 4_。所述的背电极浆料为晶硅电池生产用银浆或银铝浆。所述的背电极图形为连续式或分段式图形。所述的铝浆烘干温度为100 300°C。本专利技术采用单晶硅或多晶硅片作为印刷基底,通过先印刷铝浆,再印刷背电极的方法,来增大铝背场的钝化面积,减少背表面的复合,提高电池电性能。附图说明图1为本专利技术所制备的晶硅电池结构示意图;其中1、银正电极,2、减反射膜,3、晶硅硅片,4、铝背场,5、背电极。具体实施例方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步说明。但它们并不构成对本专利技术的限制。3一种晶硅电池背场背极,包括晶硅硅片3,晶硅硅片3的正面有减反射膜2,减反射膜2上有银正电极1,晶硅硅片3的背面刷有铝浆形成的铝背场4,铝背场4上印有背电极 5。实施例1将单晶硅片进行扩散、受光面镀膜等处理后,采用现有丝网印刷技术在其背表面印刷铝浆,铝浆为儒兴公司生产。印刷的铝浆厚度为30μπι。将铝浆在150°C左右烘干后, 在铝浆表面印刷连续式背电极银铝浆,背电极银铝浆型号为福禄33462,背电极单条宽度为 2mm,厚度为15 μ m。最后进行印刷正银、烧结等后续生产工艺。实施例2将多晶硅片进行扩散、受光面镀膜等处理后,采用丝网印刷技术在其背表面印刷铝浆,铝浆为儒兴公司生产。印刷的铝浆厚度为40μπι。将铝浆在200°C下烘干后,在其表面印刷分段式的背电极银浆,背电极银浆型号为杜邦PV505,背电极单条宽度为3mm,厚度为30μπι。最后进行印刷正银、烧结等后续生产工艺。比较例1将单晶硅片进行扩散、受光面镀膜等处理后,采用现有丝网印刷技术在其背表面印刷连续式背电极银铝浆,背电极银铝浆型号为福禄33462,背电极单条宽度为2mm,厚度为15μπι。将背电极在150°C左右烘干后,再在其表面印刷铝浆,铝浆为儒兴公司生产,铝浆厚度为30 μ m。最后进行正银印刷、烧结等后续生产工艺。比较例2将多晶硅片进行扩散、受光面镀膜等处理后,采用丝网印刷技术在其表面印刷分段式的背电极银浆,背电极银浆型号为杜邦PV505,背电极单条宽度为3mm,厚度为30 μ m。 将银浆在200°C下烘干后,再在其表面印刷铝浆,铝浆为儒兴公司生产,印刷的铝浆厚度为 40 μ m。最后进行正银印刷、烧结等后续生产工艺。性能测试表1比较例和实施例电池的电性能数据对比本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶硅电池背场背极,包括晶硅硅片,晶硅硅片的正面有减反射膜,减反射膜上有银正电极,其特征是,晶硅硅片的背面刷有铝浆形成的铝背场,铝背场上印有背电极。

【技术特征摘要】
1.一种晶硅电池背场背极,包括晶硅硅片,晶硅硅片的正面有减反射膜,减反射膜上有银正电极,其特征是,晶硅硅片的背面刷有铝浆形成的铝背场,铝背场上印有背电极。2.一种晶硅电池背场背极的印刷工艺,其特征是,步骤如下 第一步,在晶硅硅片背表面印刷铝浆;第二步,在一定温度下烘干铝浆形成铝背场; 第三步,在烘干后的铝浆表面印刷背电极浆料形成背电极图形。3.根据权利要求2所述的晶硅电池背场背极的印刷...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨雷何晨旭殷海亭钱金梁王冬松王步峰
申请(专利权)人:润峰电力有限公司
类型:发明
国别省市:37

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