固态浸没透镜微影术制造技术

本发明专利技术涉及一种固态浸没透镜微影术。于一实施态样中，提供一种包含具有第一面和第二面之抗蚀膜的装置，其中，该第二面为第一面的相对面。将一个或多个固态浸没透镜设置于该抗蚀膜的第一面之上。于另一实施态样中，提供一种制造方法，包括形成抗蚀膜以及利用穿透过一个或多个固态浸没透镜的辐射使该抗蚀膜曝光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体而言是关于半导体工艺，更详尽地来说，是关于结构的微影图案成形 (lithographic patterning)白勺方夕去与_置。
技术介绍
现今集成电路之制造，需要于半导体晶圆(wafer)上图案化数百万种不一样类型的区域，像是局部互连沟渠(local interconnect trenches)、总体金属化层(global metallization layers)、晶体管栅极等。如此多种微小结构之制造系藉由使用微影工艺而成为可能。在光刻工艺(photolithography processing)中，经常是使用旋转涂布法 (spin-coating)将光刻胶材料层涂布在晶圆上。接着，再使该光刻胶层曝露于光化辐射光源(actinic radiation source)，例如深紫外光(“DUV”)。DUV辐射会先通过掩膜(mask或 reticle)，该掩膜系选择性地使部份DUV辐射穿透过，同时阻挡其它部份DUV辐射穿透过， 致使只有光刻胶之预先选择区域曝露于该辐射。辐射穿透过掩膜，然后在到达(striking) 光刻胶层之前通过一个或多个缩影透镜(reduction lens) 0辐射改变光刻胶的化学性质， 使光刻胶在后来的溶剂步骤中成为可溶或不可溶，其取决于该光刻胶为负型光刻胶或正型光刻胶。然后将光刻胶曝露于显影溶剂(developer solvent)，使该光刻胶显影。在显影步骤后，光刻胶余留的地方会遮蔽和保护其所覆盖的基板区域。其中，显影影像的品质和最小特征尺寸乃取决于曝光辐射的波长、缩影透镜的聚焦能力、以及光刻胶和光刻胶下面之薄膜的光学性质。曝光辐射的波长在过去已稍受限于照射光源需要在比较窄的带宽(bandwidth)上产生比较高强度的辐射。更具能力的缩影透镜有助于使成像达到绕射极限(diffraction limit)。然而，对于缩影透镜的改良，仍然有其物理极限。有些人曾经提出利用固态浸没透镜使微电路结构成像。于该概念的一种变化形式中，是将单一个具有较高折射率(refractive index)的固态浸没透镜置于物镜和待成像结构中间。将固态浸没透镜置于适合位置，从物镜穿透的光就会聚焦在固态浸没透镜而不是空气或一些其它介质。因为光是聚焦在折射率较高的固态浸没透镜，所以会由于的有效波长降低而致使成像系统的有效数值孔径(numerical apeture)连带增加。另一种现有的成像系统则是采用固态浸没透镜之阵列从接受检验之装置去成像拉曼散射(Ramman scattering)。无论是单一或阵列排列，可以知道在背景叙述中现有之固态浸没透镜都是用在成像，而不是用在微影术。本专利技术是应用于克服或减少一个或多个上述的缺点。
技术实现思路
根据本专利技术之一实施态样提供一种装置，该装置包含具有第一面和第二面的抗蚀膜(resist film)，其中该第二面为第一面的相对面。将一个或多个固态浸没透镜设置于该抗蚀膜的第一面上。根据本专利技术的另一实施态样提供一种装置，该装置包含曝光掩膜、照射该曝光掩膜的辐射光源、位于该曝光掩膜下的一个或多个固态浸没透镜，以使穿透过曝光掩膜的辐射聚焦，以及用于支撑该一个或多个固态浸没透镜的组件。根据本专利技术的另一实施态样提供一种装置，该装置包含电路装置、位在该电路装置上的抗蚀膜、位在该抗蚀膜上的曝光掩膜、以及照射该曝光掩膜的辐射光源。将一个或多个固态浸没透镜设置于该曝光掩膜和该抗蚀膜之间，以使穿透过曝光掩膜的辐射聚焦于抗蚀膜上。提供用于支撑该一个或多个固态浸没透镜的组件。根据本专利技术的另一实施态样提供一种装置，该装置包含电路装置、位在该电路装置上的抗蚀膜、位在该抗蚀膜上的曝光掩膜、以及照射曝光掩膜的辐射光源。固态浸没透镜的阵列为结合至抗蚀膜，以使穿透过曝光掩膜的辐射聚焦于抗蚀膜。提供用于支撑电路装置的组件。根据本专利技术的另一实施态样，提供一种制造方法，该方法包含形成抗蚀膜以及利用穿透过一个或多个固态浸没透镜的辐射使该抗蚀膜曝光。根据本专利技术的另一实施态样提供一种制造方法，该方法包含形成抗蚀膜以及在该抗蚀膜上形成一个或多个固态浸没透镜。根据本专利技术的另一实施态样，提供一种掩膜，该掩膜包含可穿透电磁辐射的板。该板包含至少一个固态浸没透镜。将不透光薄膜设置于该板上。该不透光薄膜可以允许电磁辐射穿透过至少一个固态浸没透镜，但是防止电磁辐射穿透过至少一部分的板。根据本专利技术的另一实施态样，提供一种装置，该装置包含电磁辐射光源以及使电磁辐射的选择部份通过的掩膜。该掩膜包含可以穿透电磁辐射的板。该板包含至少一个固态浸没透镜以及在该板上的不透光薄膜。该不透光薄膜可以允许电磁辐射穿透过至少一个固态浸没透镜，但是防止电磁辐射穿透过至少一部分的板。根据本专利技术的另一实施态样，提供一种装置，该装置包含电路装置、位在该电路装置上的抗蚀膜、电磁辐射光源、以及位在该电磁辐射光源和该抗蚀膜之间的掩膜，以使电磁辐射的选择部份通过到抗蚀膜。该掩膜包含可以穿透电磁辐射的板。该板包含至少一个固态浸没透镜以及在该板上的不透光薄膜。该不透光薄膜可以允许电磁辐射穿透过至少一个固态浸没透镜，但是防止电磁辐射穿透过至少一部分的板。根据本专利技术的另一实施态样提供一种制造方法，该方法包含形成抗蚀膜以及利用穿透过掩膜的辐射使该抗蚀膜曝光，而该掩膜包含有可穿透电磁辐射的板。该板包含至少一个固态浸没透镜以及在该板上的不透光薄膜。该不透光薄膜可以允许电磁辐射穿透过至少一个固态浸没透镜的穿透，但是防止电磁辐射穿透过至少一部分的板。提供一种制造方法，该方法包含在可以穿透电磁辐射的板上形成至少一个固态浸没透镜，以及在板上形成不透光薄膜。该不透光薄膜可以允许电磁辐射穿透过至少一个固态浸没透镜，但是防止电磁辐射穿透过至少一部分的板。附图说明经由阅读以下详细说明和配合其参考图标，将对上面所述和本专利技术之其它优点有更清楚的了解，其中图1为例示的现有固态浸没透镜(“SIL”)显微镜的侧面示意图；图2为另一个例示的现有SIL显微镜的侧面示意图；图3为依据本专利技术利用固态浸没透镜的微影系统的例示具体实施例的侧面示意图；图4为依据本专利技术的图3的部份分解示意图；图5为根据本专利技术的例示固态浸没透镜阵列的平面示意图；图6为依据本专利技术的另一例示固态浸没透镜阵列的平面示意图；图7为依据本专利技术取图4的7-7断面部份的剖面示意图；图8为依据本专利技术的位于下方的集成电路上的例示抗蚀膜的剖面示意图；图9为相似于图8的剖面示意图，其说明依据本专利技术于抗蚀膜上形成薄膜；图10为相似于图9的剖面示意图，其说明依据本专利技术的薄膜上固态浸没透镜阵列的图案化；图11为依据本专利技术的微影掩膜的例示具体实施例的平面示意图，该掩膜包括一种或多种固态浸没透镜；图12为依据本专利技术取图11的12-12断面的剖面示意图；图13为描述依据本专利技术在最初于板上形成一个或多个固态浸没透镜的剖面示意图；图14为相似于图13的剖面图，其说明依据本专利技术于固态浸没透镜上形成不透光薄膜；图15为相似于图14的剖面图，其说明依据本专利技术于不透光薄膜上形成材料移除掩膜(material removal mask)；图16为依据本专利技术的微影掩膜结构的另一具体实施例的掩膜剖面图；图17为相似于图16的剖面图，其说明依据本专利技术从不透光薄膜移除材本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种装置，包括：电磁辐射源（４４）；以及使电磁辐射的选择部分穿过的掩膜（７２），该掩膜（７２）包括可以穿透电磁辐射的板（７８），该板（７８）包含一个或多个固态浸没透镜（７４，７５，７６）以及位于该板（７８）上的不透光薄膜（８０），该一个或多个固态浸没透镜（７４，７５，７６）具有布置在集成电路中的晶体管结构和互联机路所欲的形状，该不透光薄膜（８０）可以允许电磁辐穿透过该一个或多个固态浸没透镜（７４，７５，７６），但防止电磁辐射穿透过至少一部分板（８０）。

【技术特征摘要】
2004.10.08 US 10/961,3471.一种装置，包括 电磁辐射源04)；以及使电磁辐射的选择部分穿过的掩膜(72)，该掩膜(7 包括可以穿透电磁辐射的板 (78)，该板(78)包含一个或多个固态浸没透镜(74，75，76)以及位于该板(78)上的不透光薄膜(80)，该一个或多个固态浸没透镜(7...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·R·戈鲁甘苏，M·R·布鲁斯，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：GB