【技术实现步骤摘要】
一种小体积高耐压M0SFET，属于半导体器件制造
具体涉及一种小体积高耐压的金属氧化物半导体场效应晶体管，即M0SFET。
技术介绍
在金属氧化物半导体场效应晶体管(以下简称M0SFET)中，电流流动的期望方向是垂直通过M0SFET，然而如果超过了击穿电压(BVds)，则在加衬着器件沟槽拐角的氧化物可能会被击穿，并且在MOSFET中出现不期望的电流流动，而电场强度在主扩散结弯曲弧度部位最大，这使得MOSFET的耐压性能大打折扣。传统N通道高压MOSFET的高压终止区(Termination)架构一般采用多个降压环的设计如图1所示，利用一个或多个P-扩散结来降低P-主扩散结变曲孤度“2”处的电场强度，因而增加“2”弯曲度的耐压能力而达成的MOSFET管的漏极与源极的高耐压功能，视乎MOSFET管的漏极与源极的耐压应用需求，P-降压环数从2个或2个以上到7个至10个， 其所占的范围空间由约100微米到300微米至400微米或以上，由于此降压环所形成的终止区域是围绕在MOSFET管芯片的外周，占去很大的芯片面积比例，因而降低了芯片的面积使用效率，造成晶圆片的浪...
【技术保护点】
１．一种小体积高耐压ＭＯＳＦＥＴ，包括半导体基板上的有源区（１０１）和边缘区（１０２），有源区（１０１）位于半导体基板的中心区，边缘区（１０２）环绕在有源区（１０１）的四周上方，边缘区（１０２）的下方主扩散结（１）的上方覆盖有ＳｉＯ２层（６），其特征在于：有源区（１０１）和边缘区（１０２）的主扩散结（１）为贯穿半导体基板中心区的ＰＮ结平面层，ＳｉＯ２层（６）外围及边缘区（１０２）侧面覆盖有钝化层（９）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：关仕汉，吕新立，
申请(专利权)人：淄博美林电子有限公司，
类型：发明
国别省市：37
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