一种前置过压保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种前置过压保护电路，包括电压输入端(VCC_IN)，电压输出端(VCC_OUT)，MOS场效应管Q1，稳压二极管Z1，电阻R1、R2、R3、R4、R5，三极管Q2、Q3，二级管D1以及引脚(POWER-ON)。电压输入端(VCC_IN)分别与MOS场效应管Q1的源极、稳压二极管Z1的负极连接，所述MOS场效应管Q1的漏极与电压输出端(VCC_OUT)连接；所述MOS场效应管Q1的栅极一方面通过电阻R2、三极管Q2接地，另一方面通过电阻R1、稳压二极管Z1、电阻R3、电阻R4接地。本发明专利技术可通过简单地更换稳压二极管来设定需要保护的电压值，达到节约成本的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种保护电路，具体是指一种前置过压保护电路。
技术介绍
为了避免因人为误接高电压电源、或者工作电压的不稳定等原因造成的电压过高而可能导致的电路系统误动作或烧毁电源，通常需要设置各种过压保护。目前进行过压保护可采用专用的过压保护IC，但专用过压保护IC成本较高，且器件不易采购。现有的过压保护方案大多采用后置保护方式，在这种方式下只能设定单一保护电压值，不能满足在各种情况下的使用需求本专利技术可设定不同的保护电压值，方便对车载音响12V或24V系统的过压保护。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种前置过压保护电路，该电路可以通过方便地更换通用的稳压二极管Zl来设定需要保护的电压值，可适应各种不同的系统电源的使用要求，达到节约成本的目的。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的一种前置过压保护电路，包括电压输入端(VCC_IN)、电压输出端(VCC_0UT)、MOS 场效应管Ql、稳压二极管Z1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、三极管Q2、三极管 Q3、二级管Dl以及引脚(P0WER-0N)。电压输入端(VCC_IN)分别与MOS场效应管Ql的源极、稳压二极管Zl的负极连接， 所述MOS场效应管Ql的漏极与电压输出端(VCC_0UT)连接；所述MOS场效应管Ql的栅极连接两条支路，第一支路依次通过电阻R2、三极管Q2 接地，具体为电阻R2的一端与MOS场效应管Ql的栅极连接，另一端与三极管Q2的集电极连接，所述三极管Q2的发射极接地；第二支路依次通过电阻R1、稳压二极管Z1、电阻R3、电阻R4接地，具体为稳压二极管Zl的负极与电阻Rl的一端相连，稳压二极管Zl的正极与电阻R3的一端相连；所述电阻R3与电阻R4之间引出的支路接入三极管Q3的基极。引脚(POWER-ON)与电阻R5连接后分成两条支路，第一支路接入三极管Q2的基极；第二支路依次通过二级管Dl、三极管Q3接地，具体为电阻R5的一端与所述二级管Dl的正极连接，所述二级管Dl的负极与所述三极管Q3的集电极连接，所述三极管Q3的发射极与电阻R4并联后接地。本专利技术相比现有技术具有以下优点及有益效果本专利技术成本低廉，不需要采用价格较高的专用过压保护IC来保护电路，可通过简单更换通用的器件，即可实现对电压的限制，从而保护电路上的器件不因电压过高导致损坏，成本较低且简单可靠。附图说明图1是本专利技术一种前置过压保护电路的电路图。 具体实施例方式下面结合实施例及附图对本专利技术作进一步详细的描述，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例一种前置过压保护电路，包括电压输入端(VCC_IN)，电压输出端(VCC_0UT)，MOS 场效应管Ql，稳压二极管Zl，电阻Rl、R2、R3、R4、R5，三极管Q2、Q3，二级管Dl以及引脚 (POffER-ON)。电压输入端(VCC_IN)分别与MOS场效应管Ql的源极、稳压二极管Zl的负极连接， 所述MOS场效应管Ql的漏极与电压输出端(VCC_0UT)连接；所述MOS场效应管Ql的栅极连接两条支路，第一支路依次通过电阻R2、三极管Q2 接地，具体为电阻R2的一端与MOS场效应管Ql的栅极连接，另一端与三极管Q2的集电极连接，所述三极管Q2的发射极接地；第二支路依次通过电阻R1、稳压二极管Z1、电阻R3、电阻R4接地，具体为稳压二极管Zl的负极与电阻Rl的一端相连，稳压二极管Zl的正极与电阻R3的一端相连；所述电阻R3与电阻R4之间引出的支路接入三极管Q3的基极。引脚(POWER-ON)与电阻R5连接后分成两条支路，第一支路接入三极管Q2的基极；第二支路依次通过二级管Dl、三极管Q3接地，具体为电阻R5的一端与所述二级管Dl的正极连接，所述二级管Dl的负极与所述三极管Q3的集电极连接，所述三极管Q3的发射极与电阻R4并联后接地。本专利技术一种前置过压保护电路的工作原理如下当从电压输入端(VCC_IN)输入的电压没有超过稳压二极管Zl的稳压值时，MOS场效应管Ql的开关状态由MCU(Micro Controller Unit单片机)来控制。引脚(POWER-ON)连接至 MCU (Micro Controller Unit 单片机)的 1\0 口，当从引脚(P0WER-0N)输入高电平时，三极管Q2处于饱和导通的工作状态，从而使MOS场效应管Ql 也处于饱和导通的工作状态，电压输出端(VCC_0UT)有电压的输出；当从引脚(P0WER-0N) 输入低电平时，三极管Q2、M0S场效应管Ql均处于截止的工作状态，电压输出端(VCC_0UT) 无电压的输出。当从电压输入端(VCC_IN)输入的电压超过稳压二极管Zl的稳压值时，稳压二极管Zl就会进入击穿状态，电流通过电阻R3在三极管Q3的基极产生电压，使得三极管Q3进入饱和导通状态；当三极管Q3处在饱和导通状态时，其所处的第二支路就形成了短路，引脚(P0WER-0N)接通的电压经过电阻R5后形成的电流此时不再进入第一支路的三极管Q2， 而是进入第二支路，即经过二级管Dl、导通的三极管Q3接地；于是三极管Q2截止，此时MOS 场效应管Ql的栅极电压等于电压输入端(VCC_IN)的输入电压，相当于MOS场效应管Ql截止，阻止电压输入端(VCC_IN)的输入电压向电压输出端(VCC_0UT)传输，电压输出端(VCC_ OUT)此时没有电压输出，由此起到电路的保护作用，避免了过压。上述实施例为本专利技术较佳的实施方式，但本专利技术的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本专利技术的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化， 均应为等效的置换方式，都包含在本专利技术的保护范围之内。权利要求1. 一种前置过压保护电路，其特征在于一种前置过压保护电路，包括电压输入端 (VCC_IN)，电压输出端(VCC_0UT)，MOS场效应管Ql，稳压二极管Zl,电阻R1、R2、R3、R4、R5， 三极管Q2、Q3，二级管Dl以及引脚(POffER-ON)；电压输入端(VCC_IN)分别与MOS场效应管Ql的源极、稳压二极管Zl的负极连接，所述MOS场效应管Ql的漏极与电压输出端(VCC_0UT)连接；所述MOS场效应管Ql的栅极连接两条支路，第一支路依次通过电阻R2、三极管Q2接地，具体为电阻R2的一端与MOS场效应管Ql的栅极连接，另一端与三极管Q2的集电极连接，所述三极管Q2的发射极接地；第二支路依次通过电阻R1、稳压二极管Z1、电阻R3、电阻 R4接地，具体为稳压二极管Zl的负极与电阻Rl的一端相连，稳压二极管Zl的正极与电阻 R3的一端相连；所述电阻R3与电阻R4之间引出的支路接入三极管Q3的基极；引脚(POWER-ON)与电阻R5连接后分成两条支路，第一支路接入三极管Q2的基极；第二支路依次通过二级管D1、三极管Q3接地，具体为电阻R5的一端与所述二级管Dl的正极连接，所述二级管Dl的负极与所述三极管Q3的集电极连接，所述三极管Q3的发射极与电阻R4并联后接地。全文摘要本专利技术公开了一种前置过压保护电路，包括电压输入端(VCC_IN)，电压输出端(VCC_OUT)，MOS场效应管Q1，稳压二极管Z1，电阻R1、R2、R3、R4、R5，三极管Q2、Q3，二级本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种前置过压保护电路，其特征在于：一种前置过压保护电路，包括电压输入端（ＶＣＣ＿ＩＮ），电压输出端（ＶＣＣ＿ＯＵＴ），ＭＯＳ场效应管Ｑ１，稳压二极管Ｚ１，电阻Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５，三极管Ｑ２、Ｑ３，二级管Ｄ１以及引脚（ＰＯＷＥＲ－ＯＮ）；电压输入端（ＶＣＣ＿ＩＮ）分别与ＭＯＳ场效应管Ｑ１的源极、稳压二极管Ｚ１的负极连接，所述ＭＯＳ场效应管Ｑ１的漏极与电压输出端（ＶＣＣ＿ＯＵＴ）连接；所述ＭＯＳ场效应管Ｑ１的栅极连接两条支路，第一支路依次通过电阻Ｒ２、三极管Ｑ２接地，具体为电阻Ｒ２的一端与ＭＯＳ场效应管Ｑ１的栅极连接，另一端与三极管Ｑ２的集电极连接，所述三极管Ｑ２的发射极接地；第二支路依次通过电阻Ｒ１、稳压二极管Ｚ１、电阻Ｒ３、电阻Ｒ４接地，具体为稳压二极管Ｚ１的负极与电阻Ｒ１的一端相连，稳压二极管Ｚ１的正极与电阻Ｒ３的一端相连；所述电阻Ｒ３与电阻Ｒ４之间引出的支路接入三极管Ｑ３的基极；引脚（ＰＯＷＥＲ－ＯＮ）与电阻Ｒ５连接后分成两条支路，第一支路接入三极管Ｑ２的基极；第二支路依次通过二级管Ｄ１、三极管Ｑ３接地，具体为电阻Ｒ５的一端与所述二级管Ｄ１的正极连接，所述二级管Ｄ１的负极与所述三极管Ｑ３的集电极连接，所述三极管Ｑ３的发射极与电阻Ｒ４并联后接地。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈贺，
申请(专利权)人：惠州市德赛汽车电子有限公司，
类型：发明
国别省市：44