用于智能功率模块的异常保护电路制造技术

一种用于智能功率模块的异常保护电路，包括PMOS管301、NMOS管302、下桥臂供电电源303、IGBT管304、PMOS管305、NMOS管306、上桥臂供电电源307和IGBT管308，下桥臂驱动信号LIN与PMOS管301的栅极、NMOS管302的栅极、异常保护电路309的输入端相连，PMOS管301的漏极和NMOS管302的漏极相连并连接IGBT管304的栅极、异常保护电路309的第一输出端和第二输出端，将该点记为LO。本发明专利技术能够及时发现IGBT栅极连线的异常，将IGBT及时关断，具有结构简单合理、操作灵活、安全程度高和适用范围广的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路的异常保护技术和IGBT的驱动技术，特别是一种用于智能功率模块的异常保护电路。
技术介绍
智能功率模块，即IPMdntelligent Power Module)，是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品。智能功率模块把功率开关器件和高压驱动电路集成在一起，并内藏有过电压、过电流和过热等故障检测电路。智能功率模块一方面接收MCU的控制信号，驱动后续电路工作，另一方面将系统的状态检测信号送回MCU。与传统分立方案相比，智能功率模块以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是变频调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱动，变频家电的一种理想电力电子器件。智能功率模块属于大功率器件，对上下桥臂的IGBT驱动有严格的时序要求，如果上下桥臂同时导通，将会使智能功率模块烧毁并继而烧毁后续电路而使机器设备彻底损坏。目前应用于传统智能功率模块的IGBT驱动电路如附图1所示下桥臂驱动信号 LIN与PMOS管101、NMOS管102的栅极相连，PMOS管101的衬底与射极相连并连接下桥臂供电电源103的正端VCC，NMOS管1本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于智能功率模块的异常保护电路，包括ＰＭＯＳ管（３０１）、ＮＭＯＳ管（３０２）、下桥臂供电电源（３０３）、ＩＧＢＴ管（３０４）、ＰＭＯＳ管（３０５）、ＮＭＯＳ管（３０６）、上桥臂供电电源（３０７）和ＩＧＢＴ管（３０８），其特征是下桥臂驱动信号ＬＩＮ与ＰＭＯＳ管（３０１）的栅极、ＮＭＯＳ管（３０２）的栅极、异常保护电路（３０９）的输入端相连，ＰＭＯＳ管（３０１）的衬底与射极相连并连接下桥臂供电电源（３０３）的正端ＶＣＣ，ＮＭＯＳ管（３０２）的衬底与射极相连并连接下桥臂供电电源（３０３）的负端ＧＮＤ；ＰＭＯＳ管（３０１）的漏极和ＮＭＯＳ管（３０２）的漏极相连并连接ＩＧＢＴ管（３０４）的栅极...

【技术特征摘要】
1.一种用于智能功率模块的异常保护电路，包括PMOS管(301)、NM0S管(302)、下桥臂供电电源(303)、IGBT管(304)、PM0S管(305)、NMOS管(306)、上桥臂供电电源(307)和 IGBT管(308)，其特征是下桥臂驱动信号LIN与PMOS管(301)的栅极、匪OS管(302)的栅极、异常保护电路(309)的输入端相连，PMOS管(301)的衬底与射极相连并连接下桥臂供电电源(303)的正端VCC， NMOS管(302)的衬底与射极相连并连接下桥臂供电电源(303)的负端GND ； PMOS管(301)的漏极和NMOS管(302)的漏极相连并连接IGBT管(304)的栅极、异常保护电路(309)的第一输出端和第二输出端，将该点记为L0; 异常保护电路(309)由下桥臂供电电源(303)供电； IGBT管(304)的射极接GND，IGBT管(304)的集电极接上桥臂供电电源(307)的负端VS ；上桥臂驱动信号HIN与PMOS管(305)的栅极、NMOS管(306)的栅极、异常保护电路 (310)的输入端相连，PMOS管(305)的衬底与射极相连并连接上桥臂供电电源(307)的正端VB， NMOS管(306)的衬底与射极相连并连接上桥臂供电电源(307)的负端VS ； PMOS管(305)的漏极和NMOS管(306)的漏极相连并连接IGBT管(308)的栅极、异常保护电路(310)的第一输出端和第二输出端，将该点记为H0;I...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，黄祥钧，程德凯，潘志坚，华庆，陈超，
申请(专利权)人：广东美的电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：44