一种抛光垫清洁装置及抛光装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提出一种抛光垫清洁装置及抛光装置，包括：清洁臂，设于所述抛光垫上方并能够相对所述抛光垫运动，其内部设有至少一路送气管和至少一路吸气管；多个喷嘴，设于所述清洁臂靠近所述抛光垫的底面上，并分别与所述送气管或吸气管相通。通过对送气管送气后，与送气管相通的喷嘴会将抛光垫上的工艺副产物吹起，同时对吸气管吸气后，与吸气管相通的喷嘴会将被吹起的工艺副产物吸走，该清洁装置结构简单，操作方便，能在抛光制程中将抛光垫上的工艺副产物物清理干净，保持晶片抛光速率的稳定性，减少抛光缺陷，提高晶片抛光性能和工艺效率，同时延长抛光垫和修整器的使用寿命，适用于各种抛光制程。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及化学机械抛光设备领域，且特别涉及一种用于化学机械抛光制程中清洁抛光垫上工艺副产物的清洁装置及抛光装置。
技术介绍
随着集成电路(IC)制造技术的飞速发展，对硅片的加工精度和表面质量提出了更高的要求，化学机械抛光(CMP)是目前唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的实用技术和核心技术，正广泛地应用于IC制造中。图1为目前CMP采用的抛光装置，CMP制程中，抛光头(未图示)承载晶片12旋转运动，并下压晶片12至抛光垫10上与抛光垫10相对旋转，抛光液分发装置11将抛光液或抛光浆料喷洒或涂抹在抛光垫10上，晶片12和抛光垫10在抛光浆料(对于普通抛光垫来说)或抛光垫10自身特征磨料块(对于固结磨料抛光垫来说)作用下相对彼此执行摩擦运动，从而将晶片12的表面变平，而为了提高晶片的材料去除率，会使用抛光垫修正器13， 在抛光过程中对抛光垫10表面进行修整，增强特征磨料块(对于固结磨料抛光垫来说)或沟槽(对于普通抛光垫来说)的性能。如图2所示，晶片12抛光时产生的颗粒状或块状的工艺副产物(例如铜-CMP制程中的氧化铜)14，容易积聚在抛光垫10的特征磨料块之间的空白区(对于固结磨料抛光垫本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种抛光垫清洁装置，用于清洁抛光垫，其特征在于，包括：清洁臂，设于所述抛光垫上方并能够相对所述抛光垫运动，其内部设有至少一路送气管和至少一路吸气管；多个喷嘴，设于所述清洁臂靠近所述抛光垫的底面上，并分别与所述送气管或吸气管相通。

【技术特征摘要】
1.一种抛光垫清洁装置，用于清洁抛光垫，其特征在于，包括清洁臂，设于所述抛光垫上方并能够相对所述抛光垫运动，其内部设有至少一路送气管和至少一路吸气管；多个喷嘴，设于所述清洁臂靠近所述抛光垫的底面上，并分别与所述送气管或吸气管相通。2.如权利要求1所述的抛光垫清洁装置，其特征在于，所清洁臂内部设有1 4路送气管。3.如权利要求1或2所述的抛光垫清洁装置，其特征在于，所述清洁臂内部设有1 4 路吸气管。4.如权利要求1所述的抛光垫清洁装置，其特征在于，与每路送气管或吸气管相通的喷嘴的数量为6 20个。5.如权利要求1所述的抛光垫清洁装置，其特征在于，所述送气管和吸气管均为一端开口、另一端密封的管道。6.如权利要求1或5所述的抛光垫清洁装置，其特征在于，所述送气管和吸气管与所述清洁臂一体成型。7.如权利要求1或5所述的抛光垫清洁装置，其特征在于，所述多个喷嘴与所述送气管或吸气管一体成型或密封连接。8.一种抛光装置，包括抛光垫和抛光垫清洁装置，所述抛光垫清洁装置用于清洁所述抛光垫，其特征在于，所述抛光垫清洁装置包括清洁臂，设于...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓武锋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31