MOS管的延时启动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOS管的延时启动电路，包括电阻、电容以及MOS管，所述电阻的一端连接控制信号输入端，所述电阻的另一端连接MOS管的栅极和所述电容的一端，所述电容的另一端连接MOS管的源极和受控信号输入端，所述MOS管的漏极连接受控信号输出端。本实用新型专利技术能够保护MOS管的MOS管的延时启动电路，其能够避免MOS管开启瞬间电流过大而造成MOS管的永久性损坏，又能节省其制造成本。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电器领域，更具体地涉及一种MOS管的延时启动电路。
技术介绍
在当今的大多电器产品中，特别是大功率电子设备中都要使用到MOS管，在MOS管栅极施加一个驱动信号来控制负载电路开与关的工作状态。一般情况下，从控制芯片输出的控制信号，通过一个电阻连接至MOS管的栅极，从而实现对MOS管的开关控制。然而，在这种情况下，控制芯片给MOS管提供的驱动电压跃变很快，容易引起很高的开通浪涌和噪声， 从而导致MOS管瞬间导通电流过大而造成的损坏，并影响整个开关电路的EMC特性。通常， 可以通过在输出控制信号和MOS管的栅极直接增加专用驱动芯片的方法来解决这个问题， 但使用这种方法势必造成成本的增加，显然不适合大批量推广使用。因此，亟待一种既能防止开启瞬间电流过大而损坏MOS管，又能节省成本的MOS管延时启动电路，来克服上述缺陷。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种改进型的能够保护MOS管的MOS管的延时启动电路，其能够避免开启瞬间电流过大而损坏MOS管，又能节省其制造成本。为了实现上述目的，本技术提供了一种MOS管的延时启动电路，其包括电阻、 电容以及MOS管，所述电阻的一端连接控制信号输入端，所述电阻的另一端连接MOS管的栅极和所述电容的一端，所述电容的另一端连接MOS管的源极和信号输入端，所述MOS管的漏极连接信号输出端。较佳地，在所述MOS管的延时启动电路中，所述电容的值大于IK皮法。较佳地，在所述MOS管的延时启动电路中，所述电阻的值大于IOK欧姆。在本技术的一个实施例中，所述MOS管的延时启动电路，在所述MOS管的延时启动电路中，所述电容的值为100K皮法，所述电阻的值为100K欧姆。与现有技术相比，本技术MOS管的延时启动电路由于在MOS管的栅极与源极之间并联了一个电容，同时在MOS管的栅极与控制信号输入端之间串联入一个电阻，所述电容与电阻的排布构成了 RC延时网络。由于RC延时网络的存在，当控制信号的电流输入而驱动MOS管时，MOS管的栅极电压在电容的作用下缓慢到达其门限值，使MOS管的导通电流逐渐变大，从而避免了激增的电流对MOS管的损害，进而保护了 MOS管且延长了其使用寿命。并且，由于本技术突破了传统的利用昂贵的驱动芯片来完成延时保护MOS管的做法，仅利用较为简单的电阻电容组成的RC延时网络即可实现延时保护的功能，从而节省了 MOS管的制造成本。通过以下的描述并结合附图，本技术将变得更加清晰，这些附图用于解释本技术的实施例。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术MOS管的延时启动电路的电路原理图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。现在参考附图描述本技术的实施例，附图中类似的元件标号代表类似的元件。本技术提供了一种改进型的能够保护MOS管的MOS管的延时启动电路，其能够避免开启瞬间电流过大而损坏MOS管，又能节省其制造成本。图1所示为本技术MOS管的延时启动电路的电路原理图。参考图1，本技术MOS管的延时启动电路10包括MOS管Ql、电阻Rl、电容Cl、控制信号输入端11、信号输入端12以及信号输出端13。具体地，所述电阻Rl的一端连接控制信号输入端11，所述电阻Rl的另一端连接MOS管Ql的栅极和所述电容Cl的一端，所述电容C 1的另一端连接MOS管Q 1的源极和输入信号输入端12，所述MOS管Ql的漏极连接信号输出端13。电阻Rl和电容Cl组成了 RC延时网络。参考图1，MOS管通常应用在开关电源中，在本实施例中，当控制信号从控制信号输入端11输入从而驱动MOS管Ql的开启，由于电容Cl并联于MOS管Ql的栅极和源极之间，该驱动电流输入电容Cl从而给电容Cl缓慢地充电，MOS管Ql的栅极与源极的电压差缓慢增大。在RC延时网络的作用下，延时若干时间后，MOS管的栅极电压逐步上升到其门限值，使MOS管导通，从而起到了延时逐渐启动MOS管的作用，从而避免了激增的控制电流对MOS管的损害，进而保护了 MOS管且延长了其使用寿命。较佳地，在所述MOS管的延时启动电路中，所述电容的值大于IK皮法。较佳地，在所述MOS管的延时启动电路中，所述电阻的值大于IOK欧姆。在本技术的一个实施例中，所述MOS管的延时启动电路，在所述MOS管的延时启动电路中，所述电容的值为100K皮法，所述电阻的值为100K欧姆。以上结合最佳实施例对本技术进行了描述，但本技术并不局限于以上揭示的实施例，而应当涵盖各种根据本技术的本质进行的修改、等效组合。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＭＯＳ管的延时启动电路，其特征在于，包括电阻、电容以及ＭＯＳ管，所述电阻的一端连接控制信号输入端，所述电阻的另一端连接ＭＯＳ管的栅极和所述电容的一端，所述电容的另一端连接ＭＯＳ管的源极和信号输入端，所述ＭＯＳ管的漏极连接信号输出端。

【技术特征摘要】
1.一种MOS管的延时启动电路，其特征在于，包括电阻、电容以及MOS管，所述电阻的一端连接控制信号输入端，所述电阻的另一端连接MOS管的栅极和所述电容的一端，所述电容的另一端连接MOS管的源极和信号输入端，所述MOS管的漏极连接信号输出端。2.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：屈朋伟，
申请(专利权)人：广州视源电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：81