【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米材料
，具体涉及一种氢化处理的TW2纳米管阵列及其制备方法。
技术介绍
半导体利用太阳光及红外光进行光解水制氢及分解水中污染物的能力引起了众多国家的重视，但是由于光生电子与空穴的复合速率过快而限制了半导体在光催化领域的应用。TiO2纳米粉体，特别是TiO2纳米管阵列由于具有巨大的比表面积，可促进表面反应的迅速进行，因此作为一种半导体催化剂被广泛的应用于以利用太阳能为基础的清洁能源和环境领域中。目前为了提高TiA纳米材料利用太阳能，特别是利用可见光的效率，众多的学者开展了金属或非金属掺杂的研究。通过掺杂，在某种程度上提高了 TiO2纳米材料利用可见光的效率。就目前而言，氮掺杂TiO2纳米材料展示出最大的可见光响应能力，但是其利用可见光及红外光的能力明显不足。此外，未经热处理或经传统技术热处理获得的TiA纳米材料的导电性能差，因此限制了 T^2纳米材料在电化学领域中的应用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供一种具有优良的利用可见光及红外光能力且导电性能得到明显提高的TiO2纳米管阵列。为解决上述技术问题，...
【技术保护点】
１．一种氢化处理的ＴｉＯ２纳米管阵列，其特征在于，该氢化处理的ＴｉＯ２纳米管阵列中Ｔｉｎ＋占钛离子总数的１％～３０％，其中ｎ为不大于３的正整数；所述氢化处理的ＴｉＯ２纳米管阵列的颜色为黑色或墨绿色，电导率为０．０１Ｓ·ｃｍ－１～８．９Ｓ·ｃｍ－１。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李广忠，汤慧萍，张文彦，康新婷，李纲，
申请(专利权)人：西北有色金属研究院，
类型：发明
国别省市：87
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