一种通过湿法剥离GaN基外延层和蓝宝石衬底来制备垂直结构发光二极管的方法技术

本发明专利技术涉及一种垂直结构发光二极管的制备方法，具体而言，涉及一种通过湿法剥离GaN基外延层和蓝宝石衬底来制备垂直结构发光二极管的方法。本发明专利技术方法对发光二极管外延层的损伤程度低，能完全剥离掉蓝宝石衬底。通过本发明专利技术方法制得到性能优异的垂直结构发光二极管，其发光效率高、电流分布均匀、电流拥塞改善、电流密度增大、光提取效率提高、散热性优异。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种垂直结构发光二极管的制备方法，具体而言，涉及。
技术介绍
发光二极管是一种将电能转化为光能的发光器件，是目前最有前景的新一代光源。发光二极管一般利用通过直接带隙半导体的本征跃迁发光，具有很高的光电转换效率， 即很高的内量子效应。虽然近年氮化镓基发光二极管的发光效率得到很大程度的提高，不过与完全替代传统光源的要求还相距很远。目前，量子效率、电流分布均勻性和器件散热能力已经成为制约发光二极管性能进一步提高的主要技术瓶颈。半导体发光二极管由于几何机构的不同划分为两类横向结构的半导体发光二极管和垂直结构的半导体发光二极管。横向结构的半导体发光二极管的主要缺点在于散热效率低、电流拥塞、电流密度低和生产成本高。为解决横向结构的半导体发光二极管的散热问题，提出倒装焊技术。但是，倒装焊技术工艺复杂，生产成本高。另外，经常作为发光二极管支持衬底的蓝宝石也具有电导率极低、以及晶格常数和GaN材料不匹配的问题。由于电导率极低导致器件的热阻增加，产生严重的自加热效应。 而且，由于晶格常数和GaN材料不匹配导致GaN外延层中特别高的缺陷密度，且导致GaN 中存在强烈的双轴压应力，特别是在芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种通过湿法剥离ＧａＮ基外延层和蓝宝石衬底来制备垂直结构发光二极管的方法，该方法包括以下步骤：ａ）、制备图形化的生长衬底，所述生长衬底从下至上依次包括蓝宝石衬底、第二层易腐蚀性高熔点材料、和第一层稳定性高熔点材料，所述第二层和第一层高熔点材料的熔点均高于９００℃；ｂ）、在图形化的生长衬底上生长ＧａＮ基发光二极管外延层，所述ＧａＮ基发光二极管外延层从下至上依次包括Ｎ型ＧａＮ和Ｐ型ＧａＮ；ｃ）、在ＧａＮ基发光二极管外延层上从下至上依次形成透明导电薄膜、全方位反射层、导电反射层和钝化金属保护层，其中导电反射层透过全方位反射层中的孔与透明导电薄膜相连，通过绑定技术将具有高热导率的支持基底绑定至钝化...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐瑾，王江波，刘榕，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：83