温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种垂直结构发光二极管的制备方法，具体而言，涉及一种通过湿法剥离GaN基外延层和蓝宝石衬底来制备垂直结构发光二极管的方法。本发明方法对发光二极管外延层的损伤程度低，能完全剥离掉蓝宝石衬底。通过本发明方法制得到性能优异的垂直结构发光...
该专利属于华灿光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。