太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种太阳能电池及其制造方法。一种有效少数电荷载流子寿命(τeff)至少为500μs的太阳能电池的制造方法，所述方法包括：提供半导体晶片；以及通过顺次且交替地：(i)暴露所述晶片的表面至第一前体，以形成所述第一前体对所述表面的覆盖，以及(ii)暴露所述表面至第二前体，以形成所述第二前体对所述表面的覆盖，以通过在所述表面上ALD沉积金属氧化物层来钝化所述表面，其中，步骤(i)和(ii)中的至少一个在所述表面的覆盖达到饱和水平之前被停止。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制造方法
本专利技术涉及半导体加工领域，更具体地，涉及背面设置有钝化薄金属氧化物层的太阳能电池的制造。
技术介绍
在硅太阳能电池中，少数电荷载流子可能在到达接触体之前在缺陷、杂质、表面损伤等处复合。这样的复合减小了太阳能电池的电流输出，因此降低了其效率。为了减少太阳能的背面处复合的发生，该表面可通过为其设置金属氧化物钝化层(例如，氧化铝(Al2O3)层)而被钝化。成功的钝化可增加有效少数电荷载流子的寿命(τeff)。本专利技术的一个目的是提供一种能够经济地制造具有高的有效少数电荷载流子寿命(例如，τeff≥500μs)的太阳能电池的方法。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个方面在于一种有效少数电荷载流子寿命(effectiveminoritychargecarrierlifetime)至少为500μs的太阳能电池的制造方法。该方法包括提供半导体晶片。该方法进一步包括：通过顺次且交替地(i)暴露所述晶片的表面至第一前体(precursor)以形成该第一前体对该表面的覆盖，以及(ii)暴露所述表面至第二前体以形成该第二前体对该表面的覆盖，以通过在所述表面上ALD(Atomic本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种有效少数电荷载流子寿命（τｅｆｆ）至少为５００μｓ的太阳能电池的制造方法，所述方法包括：提供半导体晶片；以及通过顺次且交替地：（ｉ）暴露所述晶片的表面至第一前体，以形成所述第一前体对所述表面的覆盖，以及（ｉｉ）暴露所述表面至第二前体，以形成所述第二前体对所述表面的覆盖，以通过在所述表面上ＡＬＤ沉积金属氧化物层来钝化所述表面，其中，步骤（ｉ）和（ｉｉ）中的至少一个在所述表面的覆盖达到饱和水平之前被停止。

【技术特征摘要】
2010.05.21 US 61/347,0591.一种太阳能电池的制造方法，所述方法包括：提供以相互间隔开的关系层叠布置在反应室中的一批半导体晶片；以及通过顺次且交替地：(i)暴露所述晶片的表面至第一前体，以形成所述第一前体对所述表面的覆盖，其中，步骤(i)的持续时间在1至15s的范围内；以及(ii)暴露所述表面至第二前体，以形成所述第二前体对所述表面的覆盖，其中，步骤(ii)的持续时间在3至20s的范围内；以通过在所述表面上ALD沉积金属氧化物层来同时钝化所述晶片中的每一个的表面，其中，步骤(i)和(ii)中的至少一个在所述晶片中的每一个的表面的覆盖达到饱和水平之前被停止，从而实现至少为500μs的有效少数电荷载流子寿命(τeff)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一前体是金属前体和/或所述第二前体是氧化剂。3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，所述金属氧化物层是氧化铝(Al2O3)层。4.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，所述第一前体包括三甲基铝(TMA)。5.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，所述第二前体包括臭氧(O3)。6.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，所述晶片是硅晶片。7.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，在所述晶片的表面对不同的前体的暴露之间，利用惰性气体净化反应室。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述惰性气体是氮气(N2)。9.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，所述晶片的表面被首先暴露至非氧化剂前体。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述非氧化剂前体是金属前体。11.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，步骤(i)的持续时间在1至10s的范围内。12.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，步骤(i)的持续时间在1至5s的范围内。13.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，步骤(ii)的持续时间在3至10s的范围内。14.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，步骤(ii)的持续时间在3至5s的范围内。15.至少根据权利要求5所述的方法，其中，在步骤(ii)期间所...

【专利技术属性】
技术研发人员：迪特尔·皮埃雷克斯，
申请(专利权)人：阿斯莫国际公司，
类型：发明
国别省市：NL