太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种太阳能电池及其制造方法，属于太阳能电池技术领域，其可解决现有的太阳能电池效率低的问题。本发明专利技术的太阳能电池制造方法包括对太阳能电池基底进行氢处理的步骤，所述氢处理包括在含氢气氛中于800～1500℃的温度下处理太阳能电池基底。本发明专利技术的太阳能电池在制备中经历了上述氢处理。本发明专利技术可用于晶体硅太阳能电池。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及晶体硅。
技术介绍
作为清洁能源，太阳能电池的应用越来越广泛，常规太阳能电池具有如图1所示的结构，太阳能电池的基底中包括PN结，PN结的两面分别具有减反射膜1(通常为氮化硅膜)和背电极4，在减反射膜1上有前电极5 (栅线)，该前电极5在电池制备的高温烧结步骤中会穿过减反射膜1而与太阳能电池的基底相接触。太阳能电池的效率(光电转换效率)是其最重要的性能，而太阳能电池效率的损失主要包括光损失和电损失。其中，光损失包括前电极遮光造成的损失以及表面反射损失； 电损失包括由电极与PN结的接触造成的损失以及复合损失。如图2所示，在太阳能电池基底中的半导体材料的原子6相互键合，同时半导体材料中还存在许多表面悬挂键7和内部缺陷8，这些悬挂键7和缺陷8会俘获半导体材料中的少数载流子，缩短少数载流子寿命，降低太阳能电池的效率，这一现象即为复合损失，由内部缺陷造成的复合为内部复合，由表面悬挂键造成的复合为表面复合；另外，太阳能电池中还存在电极复合。现有的太阳能电池(以晶体硅太阳能电池为例)的制造流程如下硅片清洗； 表面腐蚀；制绒；扩散制PN结；刻蚀；沉积氮化硅减反射膜；前电极印刷本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种太阳能电池制造方法，其特征在于，包括：对太阳能电池基底进行氢处理，所述氢处理包括在含氢气氛中于８００摄氏度～１５００摄氏度的温度下处理太阳能电池基底。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：荣延栋，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11