一种具有金属纳米晶电极的阻变存储器及其制备方法技术

本发明专利技术属于微电子技术领域，具体为一种具有金属纳米晶电极的阻变存储器及其制备方法。金属纳米晶底电极的制备采用超薄金属膜快速热退火处理法、拉LB膜法或者金属纳米颗粒的化学分散法制备获得。底电极制备完成后，依次再淀积阻变介质层、顶电极，最终形成具备金属纳米颗粒底电极的无机RRAM器件。该存储器的典型特征是：金属纳米颗粒处的电场得到增强，施加一定电压后与金属纳米颗粒电极接触处的介质层最容易形成导电通路，可以很大程度上减小导电通路在阻变存储器中形成的随机分布，从而达到阻变特性稳定的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子
，具体涉及一种无机阻变存储器及其制备方法。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，传统的非易失性存储器——FLASH器件面临着严峻的挑战，这体现在其擦写速度的不足以及无法进一步等比例缩小尺寸等带来问题。在这种情况下，阻变存储器因其结构简单、擦写速度快、低功耗和易于大规模集成的特点受到了广泛的关注，成为了下一代非挥发性存储器的强有力候选者。阻变存储器具有两种可辨别的状态高电阻态(HRS)和低电阻态(LRS)，这种存储器的结构单元是一种类似平板电容器的MIM结构，一般是两层金属夹着中间的绝缘层，目前研究中该绝缘层多为二元金属氧化物材料。当RRAM两端施加一个电脉冲时，根据电脉冲的高度、宽度和极性，器件绝缘层的电阻可以发生几个数量级的可逆变化，这就是一种电阻开关特性。RRAM (阻变存储器)的存储机制是基于电阻高低阻态的转变，从而实现0和1的存储，其阻变机制种类繁多，目前比较公认的有细丝(filament)导电理论及积累电荷阻变理论两大类。其中，基于细丝导电理论的阻变，其稳定性受到很多因素的影响，主要有阻变材料本身的构成以及稳定性，电极材料和阻变层的接触问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种具有金属纳米晶电极的阻变存储器，其特征在于包括依次迭合的衬底、底电极、无机介质层和顶电极；其中，底电极上分布有纳米金属晶粒，该纳米金属晶粒尺寸在２～３０ｎｍ之间，形成底电极的尖峰形状，该尖峰形状为球形、椭球形、锥形或圆柱形；顶电极为平整形状。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王井舟，于浩，蒋玉龙，茹国平，屈新萍，李炳宗，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31