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本发明属于微电子技术领域，具体为一种具有金属纳米晶电极的阻变存储器及其制备方法。金属纳米晶底电极的制备采用超薄金属膜快速热退火处理法、拉LB膜法或者金属纳米颗粒的化学分散法制备获得。底电极制备完成后，依次再淀积阻变介质层、顶电极，最终形成具...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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