相变存储器的制备方法技术

本发明专利技术提供一种相变存储单元的制备方法，包括以下步骤：提供一基底；在所述基底一表面形成间隔设置的一第一行电极引线及一第二行电极引线；提供一碳纳米管层，其为整体的连续的层状结构；将所述碳纳米管层直接铺设于所述基底的表面，并使其与所述第二行电极引线接触设置；在所述碳纳米管层的表面设置一相变层；在所述基底表面间隔设置一第一列电极引线及一第二列电极引线、分别与所述第一行电极引线及所述第二行电极引线绝缘交叉，并使所述第二列电极引线与所述相变层接触设置，同时设置一第一电极与所述第一行电极引线及碳纳米管层接触设置，设置一第二电极分别与第一列电极引线及碳纳米管层接触设置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其是涉及一种具有碳纳米管的。
技术介绍
存储器是信息产业中重要的组成部件之一，如何发展新型的低成本、高密度、速度快、长寿命的非易失存储器一直是信息产业研究的重要方向。作为非易失性存储器的下一代产品，相变存储器是一种利用特殊相变材料的晶相与非晶相导电性的差异来存储信息的存储器，通过一加热器件加热相变层使之在晶相与非晶相之间进行转换来存储信息。相变存储器基于其独特的特点如较快的响应速度、较优的耐用性以及较长的数据保存时间等，已备受关注，其不仅能够在移动电话、数码相机、MP3 播放器、移动存储卡等民用微电子领域得到广泛应用，而且在航空航天及导弹系统等军用领域有着重要的应用前景。相变存储器主要通过一加热器件加热相变层实现数据的存储。 现有技术中，相变存储器中的加热器件通过在一基底的表面溅射或蒸镀一介质层的方法形成，工艺复杂且制备成本相对较高。
技术实现思路
有鉴于此，确有必要提供一种工艺简单、成本较低的。一种，其包括以下步骤提供一基底；在所述基底一表面形成多个第一行电极弓丨线及多个第二行电极引线；在所述设置有第一行电极弓丨线及第二行电极引线的基底的表面设置一碳纳米管层；图案化处理所述碳纳米管层，形成多个分散的碳纳米管层单元；在每一碳纳米管层单元的表面设置一相变层；在所述基底的表面设置多个第一电极、多个第二电极、多个第一列电极引线及多个第二列电极引线，所述每一第一电极接触连接所述第一行电极引线与每一碳纳米管层单元，所述每一第二电极接触连接所述第一列电极引线与每一碳纳米管层单元，第二列电极引线与所述每一相变层接触设置。相较于现有技术，本专利技术提供的，通过将碳纳米管层直接铺设在所述基底的表面制备所述加热器件，制备方法简单，成本较低。附图说明图1为本专利技术第一实施例提供的相变存储单元的俯视示意图。图2为本专利技术第一实施例提供的相变存储单元中碳纳米管膜的电子扫描电镜照片。图3为本专利技术第一实施例提供的相变存储单元的制备方法的工艺流程图。图4为本专利技术第二实施例提供的相变存储单元的俯视示意图。图5为图4所示的相变存储器沿线V - V的剖面示意图。图6为本专利技术第二实施例提供的相变存储单元的制备方法的工艺流程图。图7为本专利技术第三实施例提供的相变存储单元的俯视示意图。图8为图7所示的相变存储器沿线VDI - VDI的剖面示意图。图9为本专利技术第三实施例提供的具有双层相变层的相变存储单元的结构示意图。图10为图9所示的相变存储器沿线X - X的剖面示意图。图11为本专利技术第四实施例提供的相变存储器的俯视示意图。图12为本专利技术第四实施例提供的的工艺流程图。主要元件符号说明权利要求1.一种，其包括以下步骤提供一基底；在所述基底一表面形成多个第一行电极弓丨线及多个第二行电极引线；在所述设置有第一行电极弓I线及第二行电极引线的基底的表面设置一碳纳米管层；图案化处理所述碳纳米管层，形成多个分散的碳纳米管层单元；在每一碳纳米管层单元的表面设置一相变层；在所述基底的表面设置多个第一电极、多个第二电极、多个第一列电极引线及多个第二列电极引线，所述每一第一电极接触连接所述第一行电极引线与每一碳纳米管层单元， 所述每一第二电极接触连接所述第一列电极引线与每一碳纳米管层单元，第二列电极引线与所述每一相变层接触设置。2.如权利要求1所述的，其特征在于，所述碳纳米管层的制备方法为将至少一碳纳米管膜直接铺设于所述基底表面形成。3.如权利要求2所述的，其特征在于，所述碳纳米管层覆盖所述第一行电极弓I线及第二行电极弓I线所在基底的整个表面设置。4.如权利要求2所述的，其特征在于，所述碳纳米管层为一连续的自支撑结构。5.如权利要求2所述的，其特征在于，所述碳纳米管层包括至少一碳纳米管膜，所述碳纳米管膜为碳纳米管拉膜、碳纳米管碾压膜及碳纳米管絮化膜中的一种或几种。6.如权利要求1所述的，其特征在于，所述碳纳米管层的厚度为0.5纳米 100微米。7.如权利要求1所述的，其特征在于，所述碳纳米管层设置于第二行电极引线与第二列电极引线之间。8.如权利要求1所述的，其特征在于，所述碳纳米管层的图案化处理的方法为激光刻蚀、反应离子刻蚀或电子刻蚀中的一种或多种。9.如权利要求8所述的，其特征在于，所述激光刻蚀中的激光垂直于碳纳米管层表面入射。10.如权利要求8所述的，其特征在于，用激光刻蚀形成图案化碳纳米管层的具体方法包括以下步骤提供一激光装置；利用所述激光装置选择性的照射所述碳纳米管层，保留需要保留的碳纳米管层，形成多个碳纳米管层单元。11.如权利要求10所述的，其特征在于，所述碳纳米管层单元位于第二行电极引线与第二列电极引线之间的交叉处。12.如权利要求1所述的，其特征在于，所述相变层通过电子束沉积、离子束沉积、化学气相沉积或磁控溅射的方法形成在每一碳纳米管层单元表面。13.如权利要求1所述的，其特征在于，所述相变层的厚度为10 纳米 200纳米。全文摘要本专利技术提供一种相变存储单元的制备方法，包括以下步骤提供一基底；在所述基底一表面形成间隔设置的一第一行电极引线及一第二行电极引线；提供一碳纳米管层，其为整体的连续的层状结构；将所述碳纳米管层直接铺设于所述基底的表面，并使其与所述第二行电极引线接触设置；在所述碳纳米管层的表面设置一相变层；在所述基底表面间隔设置一第一列电极引线及一第二列电极引线、分别与所述第一行电极引线及所述第二行电极引线绝缘交叉，并使所述第二列电极引线与所述相变层接触设置，同时设置一第一电极与所述第一行电极引线及碳纳米管层接触设置，设置一第二电极分别与第一列电极引线及碳纳米管层接触设置。文档编号H01L45/00GK102222764SQ201110172980公开日2011年10月19日 申请日期2011年6月24日 优先权日2011年6月24日专利技术者姜开利, 李群庆, 柳鹏, 范守善 申请人:清华大学, 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种相变存储器的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在所述基底一表面形成多个第一行电极引线及多个第二行电极引线；在所述设置有第一行电极引线及第二行电极引线的基底的表面设置一碳纳米管层；图案化处理所述碳纳米管层，形成多个分散的碳纳米管层单元；在每一碳纳米管层单元的表面设置一相变层；在所述基底的表面设置多个第一电极、多个第二电极、多个第一列电极引线及多个第二列电极引线，所述每一第一电极接触连接所述第一行电极引线与每一碳纳米管层单元，所述每一第二电极接触连接所述第一列电极引线与每一碳纳米管层单元，第二列电极引线与所述每一相变层接触设置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：柳鹏，李群庆，姜开利，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11