一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池，包括：N型单晶硅衬底、前电极、背电极、前表面三氧化二铝薄膜和氮化硅薄膜；前电极包括：局域硼扩散区、Ti/Pb薄膜和前表面金属电极；背电极包括：背表面金属电极和背表面三氧化二铝薄膜。本实用新型专利技术利用Al2O3带有固定负电荷，在N型单晶硅衬底的前表面诱导出一个P型反型层，提供前电场，由于没有硼掺杂的影响，使得电池稳定性能提高，同时降低了对短波的吸收，提高了蓝光响应，提高电池的短路电流密度，电池效率得到提升。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于太阳能电池制造领域，具体涉及一种N型PN结反型层电池。
技术介绍
在能源短缺、环境污染问题日益突出的背景下，发展可再生能源已成为全球的重大课题，利用太阳能则是发展可再生能源的一个重点方向，世界光伏市场在过去十年一直保持着年均30％以上的高速增长，2009年增幅更是达到惊人的152.8%。产量由2008年的7.91GW增至2009年的近20GW。与国外先进电池制备技术相比，我国晶硅太阳电池制备技术还是相对落后，基本流程由在P型N型单晶硅衬底上以制绒、扩散、刻蚀、沉积减反膜、丝网印刷方法制造太阳电池。然而P型晶硅电池受氧的影响会出现性能上的衰退。而N型电池硼含量少，性能的稳定性高于P型晶硅电池。同时由于N型电池的少子寿命更高，这对于制备更高效的太阳电池奠定了基础。目前，现有的N型晶硅太阳电池主要为前发射极N型电池，主要是通过在N型衬底上通过表面硼扩散的方法制备PN结，然后通过丝网印刷，蒸镀等方法制备前电极。但是此种N型晶硅电池前表面的磷原子在光照的作用下，仍然可以和衬底中的氧形成硼氧键，在长时间的紫外光照射下，电池仍有衰退现象，因此不利于太阳电池效率的提升。
技术实现思路
技术目的：本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种Ｎ型单晶硅衬底ＰＮ结反型层电池，其特征在于：它包括：Ｎ型单晶硅衬底（１）、前电极、背电极、前表面三氧化二铝薄膜（３）和氮化硅薄膜（４）；所述前电极包括：局域硼扩散区（２）、Ｔｉ／Ｐｂ薄膜（６）和前表面金属电极（７）；所述背电极包括：背表面金属电极（５）和背表面三氧化二铝薄膜（８）；所述　Ｎ型单晶硅衬底（１）前表面附着前表面三氧化二铝薄膜（３），前表面三氧化二铝薄膜（３）外附着氮化硅薄膜（４）；Ｎ型单晶硅衬底（１）前表面上设有凹槽，凹槽内设置前电极，前电极从内而外依次设有：局域硼扩散区（２）、Ｔｉ／Ｐｂ薄膜（６）和前表面金属电极（７）；Ｎ型单晶硅衬底（１）背面设有背电极，背电极中背表面三...

【技术特征摘要】
1.一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池，其特征在于：它包括：N型单晶硅衬底（1）、前电极、背电极、前表面三氧化二铝薄膜（3）和氮化硅薄膜（4）；所述前电极包括：局域硼扩散区（2）、Ti/Pb薄膜（6）和前表面金属电极（7）；所述背电极包括：背表面金属电极（5）和背表面三氧化二铝薄膜（8）；所述 N型单晶硅衬底（1）前表面附着前表面三氧化二铝薄膜（3），前表面三氧化二铝薄膜（3）外附着氮化硅薄膜（4）；N型单晶硅衬底（1）前表面上设有凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：高艳涛，邢国强，张斌，陶龙忠，沙泉，
申请(专利权)人：奥特斯维能源太仓有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32