用于制造发光器件的基板和用于制造发光器件的方法技术

本发明专利技术提供用于制造发光器件的基板和用于制造发光器件的方法。用于制造发光器件的方法包括：在生长衬底上形成具有小于激光的能量的带隙能的牺牲层；在牺牲层上形成生长层；在生长层上形成发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层；以及将激光穿过生长衬底照射到牺牲层上，从而剥离生长衬底。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种用于将电能转换为光的半导体发光器件。与诸如荧光灯和白炽灯泡的现有技术的光源相比较，LED具有诸如低功耗、半永久寿命周期、快速响应时间、安全、以及环境友好的优点。为了将现有技术的光源替换为LED，已经进行许多研究。而且，根据作为诸如多种灯和街灯的照明装置、液晶显示装置的照明单元、以及室内和室外位置处的记分牌的光源的趋势，LED的使用正日益增加。
技术实现思路
实施例提供用于制造具有提高的可靠性的发光器件的基板和用于制造发光器件的方法。实施例还提供用于制造能够容易剥离生长衬底的发光器件的基板。实施例还提供用于制造能够容易制造发光结构的发光器件的基板。在一个实施例中，一种用于制造发光器件的方法，包括在生长衬底上形成具有小于激光的能量的带隙能的牺牲层；在牺牲层上形成生长层；在生长层上形成发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层；以及将激光穿过生长衬底照射到牺牲层上，从而剥离生长衬底。在另一实施例中，一种用于制造发光器件的基板，包括生长衬底；具有小于用于去除生长衬底的激光的能量的带隙能的牺牲层；牺牲层上的生本文档来自技高网...

【技术保护点】
述生长衬底照射到所述牺牲层上，从而剥离所述生长衬底。１．一种用于制造发光器件的方法，所述方法包括：在生长衬底上形成具有小于激光的能量的带隙能的牺牲层；在所述牺牲层上形成生长层；在所述生长层上形成发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层；以及将激光穿过所

【技术特征摘要】
2010.03.09 KR 10-2010-00206481.一种用于制造发光器件的方法，所述方法包括在生长衬底上形成具有小于激光的能量的带隙能的牺牲层； 在所述牺牲层上形成生长层；在所述生长层上形成发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层；以及将激光穿过所述生长衬底照射到所述牺牲层上，从而剥离所述生长衬底。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在剥离所述生长衬底之后，使用蚀刻工艺去除所述生长层。3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述发光结构上形成第一电极。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述生长衬底由具有单晶体结构的蓝宝石形成， 并且所述生长层由具有多晶体结构的蓝宝石形成。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层具有大约1.OeV至大约7. OeV的带隙。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层包括从由IT0、Mox0y、Wx0y、Ni0x、Ti0x、 A1N、以及GaN组成的组中选择的至少一个。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层具有大约I...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR