淀积掩模和具有该淀积掩模的掩模组件制造技术

技术编号:6719968 阅读:174 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及淀积掩模和具有该淀积掩模的掩模组件。本发明专利技术公开了一种能够提高淀积效率的淀积掩模和具有该淀积掩模的掩模组件。所述淀积掩模的两端具有尖的截面,使得当淀积掩模连续地平行布置时,相邻淀积掩模的至少一部分在所述相邻淀积掩模之间的边界处彼此交叠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及淀积掩模和具有该淀积掩模的掩模组件,更具体而言,涉及能够在形 成有机发光显示设备的有机层的过程中提高有机物质淀积效率的淀积掩模和具有该淀积 掩模的掩模组件。
技术介绍
近来,信息技术的日益重要导致了用于可视地显示电信息信号的显示技术的进 展。因而,已经开发出具有包括轻薄设计、低重量和低功耗优异性能的多种平板显示器,并 快速地取代了常规的阴极射线管(CRT)。平板显示器的代表性例子可以包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)、 场致发射显示器(FED)、电致发光显示器(ELD)、电润湿显示器(EWD)和有机发光二极管 (OLED)显示器。在上述显示器中,有机发光二极管(以下称为“0LED”)使用有机发光二极管显示 图像。OLED被设计成借助于通过重新组合电子和空穴而产生的激子能量(exciton energy) 来产生特定波长的光。这种OLED的优点是显示特性优异(例如高对比度和快速响应时间) 和容易实现灵活显示,并且其可以被分类为理想的下一代显示器。在常规的OLED中,限定了多个子像素排列成矩阵的有源区和被称为无源区的剩 余区。每个子像素包括薄膜晶体管和有机发光二极管。该有机发光二极管包括第一电极、 有机层和第二电极。该有机层包括空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和电子注 入层。具有上述构造的OLED通过向第一电极和第二电极施加几伏电压而显示图像。由此, 穿过有机层的电流引起发光。亦即,OLED利用如下的原理显示图像,该原理使用由回落到 基态的激子而产生的剩余能量来发光。激子是通过重新组合从第一电极和第二电极注入的 空穴和电子而产生。同时,在有机层形成过程中,使用掩模组件形成与子像素相对应的发光区。在 该情况下,掩模组件包括框架和淀积掩模,其中,该框架与该淀积掩模连接,该淀积掩模 由金属或塑料薄膜形成并包括与有源区相对应的孔径区和位于该孔径区以外的拦截区 (intercepting area)。在该掩模组件中,淀积掩模在非折叠状态下是平的并且例如通过焊 接与框架连接。该框架被配置为维持该淀积掩模的平坦状态。为了通过同时制造多个有机发光显示器以实现产量的提高,或者为了增大有机发 光显示器的尺寸,需要逐渐增大衬底的尺寸。这使得必须与衬底相对应地增大掩模组件的 尺寸。如上所述,当单个淀积掩模构成了大的掩模组件时,淀积掩模应当具有大的尺寸。 因此,即使淀积掩模在伸展状态下与框架连接,淀积掩模也可能在重量的作用下发生凹陷。 该凹陷的淀积掩模可能不会与衬底紧密接触,由此难以根据设计的图案执行有机物质的淀 积。此外,如果向淀积掩模施加过大的张力,该张力可能使淀积掩模的图案发生变形,使得 难以根据设计的图案执行有机材料的淀积。为了解决上述问题,已经尝试使用多个淀积掩模(以下称为“分离(split)淀积掩 模”)来构成与大的衬底相对应的大的掩模组件。具体而言,在该掩模组件中,多个分离淀 积掩模连续地平行布置,并例如经由焊接而连接至框架。在该情况下,该多个分离淀积掩模 中的每一个具有相对小的尺寸,因此不会发生凹陷。然而,在分离淀积掩模之间的边界处可 能出现间隙,并且有机材料可能会穿过这些间隙从而意外地淀积在发光区以外。这会使得 后续有机物质淀积过程中的有机物质淀积效率劣化,并可能使得有机发光显示器的均勻性 劣化。因此,包括多个分离淀积掩模的掩模组件需要对这些间隙进行屏蔽。
技术实现思路
因而,本专利技术旨在提供一种大致消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个 或更多个问题的淀积掩模和具有该淀积掩模的掩模组件。本专利技术的一个目的是提供一种具有对多个连续布置的淀积掩模之间的边界处的 间隙进行屏蔽的构造的淀积掩模,以及具有该淀积掩模的掩模组件。本专利技术的其他优点、目的和特征将在以下说明书中部分地进行阐述,并且在本领 域技术人员研究了以下说明书后将部分地变得清楚,或者可以通过实施本专利技术而获知。本 专利技术的目的和其他优点可以通过在书面描述、权利要求书及附图中具体指出的结构来实现 并获得。为了实现这些目的和其他优点并根据本专利技术的目的,如此处具体说明和广泛描述 的,本专利技术提供了一种掩模组件,其包括用于使有机物质通过的孔径区和与该孔径区外部 的区域相对应的拦截区,其中,所述淀积掩模的两端分别具有非对称角形截面。根据本专利技术的另一方面,提供了一种包括多个淀积掩模以及与所述多个淀积掩模 相连接的框架的掩模组件,在该淀积掩模中,限定了用于使有机物质通过的孔径区以及与 该孔径区外部的区域相对应的拦截区,每个淀积掩模的两端分别具有非对称的角形截面。应理解的是,本专利技术的以上概述和以下详述都是示例性和解释性的,旨在提供对 要求保护的专利技术的进一步解释。附图说明附图被包括进来以提供对本专利技术的进一步理解,并且被并入而构成了本申请的一 部分,附图例示了本专利技术的实施方式,并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。在附图中,图1是例示根据本专利技术的一个实施方式的用于实现有机物质淀积过程的设备的 截面图;图2是例示根据本专利技术的该实施方式的掩模组件的平面图;图3是例示图2中的区域A的放大平面图;图4是沿着图3中的B-B’线截取的截面图;以及图5是例示根据本专利技术的该实施方式的用于在淀积掩模的两个边缘处形成角形 图案(horn-shaped pattern)的过程的图。具体实施例方式下面将详细说明本专利技术的优选实施方式,在附图中例示了本专利技术的优选实施方式的实施例。在附图中尽可能用相同的附图标记指代相同或相似的部分。这里,将参照附图详细说明根据本专利技术的一个实施方式的淀积掩模和掩模组件。首先,将描述使用掩模组件的有机物质淀积过程。图1是例示根据本专利技术的实施方式的用于实现有机物质淀积过程的设备的截面 图。如图1所示,有机物质淀积设备包括腔室10,该腔室10的内部维持真空;淀积源 20,其布置在腔室10中用于释放有机物质;掩模组件100,其布置在淀积源20上方;衬底 30,其布置在掩模组件100上方;以及磁单元40,其布置成与掩模组件100相对,并且在该 磁单元40与掩模组件100之间插入有衬底30。在有机材料淀积到衬底30上的过程中,腔室10的内部维持高真空和高温。在 该情况下,虽然图中未示出,但为了维持高真空,可以在腔室10中设置类似TMPCTurb0 Molecular Pump,涡轮分子泵)的真空泵。并且虽然未示出,但有机材料淀积设备例如可以 进一步包括用于对有机物质的淀积厚度进行测量的厚度监控传感器、用于根据测得的有 机物质的厚度对淀积源20的操作进行控制的控制器、以及用于阻挡从淀积源发出的有机 物质的挡板(shutter)。淀积源20设置在腔室10的下部,并且呈用于使有机物质煮沸蒸发(boil off)的 坩埚形式。掩模组件100包括用于使淀积的物质选择性经过的淀积掩模110、以及与淀积掩 模110相连接的多边形框架120。下面将更详细地说明根据本专利技术的实施方式的掩模组件 100。衬底30包括有源区,在该有源区中多个单元呈矩阵布置;有机物质,其淀积在该 有源区上;以及伪区,其与该有源区外部的区域相对应。在该情况下,掩模组件100的淀积 掩模Iio包括与衬底30的有源区相对应的孔径区。虽然未示出,但该有机物质淀积设备可 以进一步包括用于将位于腔室1本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种淀积掩模,该淀积掩模的两端具有尖的截面,使得当该淀积掩模与其他淀积掩模连续地平行布置时,相邻淀积掩模的至少一部分在所述相邻淀积掩模之间的边界处彼此交叠。

【技术特征摘要】
2010.01.28 KR 10-2010-00077781.一种淀积掩模,该淀积掩模的两端具有尖的截面,使得当该淀积掩模与其他淀积掩 模连续地平行布置时,相邻淀积掩模的至少一部分在所述相邻淀积掩模之间的边界处彼此交叠。2.根据权利要求1所述的淀积掩模,其中,所述淀积掩模的一端的截面不同于相邻淀 积掩模的相对端的截面。3.根据权利要求1所述的淀积掩模,其中,所述截面为非对称角形或非对称箭头形。4.根据权利要求3所述的淀积掩模,其中,所述截面具有在指向所述淀积掩模的外部 的接触部彼此交汇的第一扇形和第二扇形,所述第一扇形形成在上表面处并具有第一半径 和第一中心角,所述第二扇形形成在下表面处并具有不同于所述第一半径的第二半径和不 同于所述第一中心角的第二中心角,并且其中,所述淀积掩模的接触部与相邻淀积掩模的 接触部不交汇。5.根据权利要求1所述的淀积掩模,其中,所述淀积掩模包括使有机物质通过的孔径 区,以及与所述孔径区外部的区域相对应的拦截区。6.根据权利要求5所述的淀积掩模,其中,所述孔径区包括分别与布置在衬底的有源 区中的多个单元相对应的多个单元图案。7.根据权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴钟贤金泰亨李一铉
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:KR

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