反向式晶片排阻及置入反向式晶片排阻的载料带制造技术

本实用新型专利技术是关于一种反向式晶片排阻及置入反向式晶片排阻的载料带，该反向式晶片排阻是于一基座上设有多组排阻，各排阻是包含有一线路层设置于基座底面，以及两端电极分别电连接且设置于线路层的两端，线路层上则设有一第一保护层，基座顶面上则设有一第二保护层，用以增加整体结构的韧度与强度，而线路层的设置可缩短电路路径、降低阻抗，以及有效提升产品良率；该置入反向式晶片排阻的载料带则是于一载体上容置有多个反向式晶片排阻，并以一覆盖膜进行封装，由此，用以方便盛装、搬运及使用反向式晶片排阻，增加产品的使用效率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种排阻结构，特别涉及一种反向式晶片排阻及置入反向式晶片 排阻的载料带。
技术介绍
一般常见的晶片排阻，请参照图8与图9，其包含有一基体40、多组排阻41、一保护 层42与一字码层43，其中，基体40是绝缘陶瓷材质的矩形基座；多组排阻41分别间隔地 排列设置于基体40上，各排阻41为导电体，并包含有一线路层410与两侧电极411，其中， 线路层410设置于基体40顶面，侧电极411则分别连接线路层410的两端，形成于基体40 的侧壁上；保护层42采用软质绝缘材质并覆盖设置于线路层410上；字码层43是印置于保 护层42上，用以标示排阻晶片的型号规格。然而，当一般的晶片排阻设置于电路板上时，被传递的电路信号必须经由一侧电 极411向上传导，以通入线路层410，然后再向下流通至另一侧电极411，而导致传递路径 长、线路电阻大，以及容易因电阻大而发热、弯曲、变形，甚至造成短路，而影响晶片排阻41 的正常运作。此外，由于保护层42仅以单层式地设置于线路层410的表面上，因此，韧性与强度 显得不足，而难以支撑保护晶片排阻免于外力的碰撞变形或过热弯曲，容易导致晶片排阻 的故障与损坏，尚有待改进之处。
技术实现思路
由于现有晶片排阻的线路长、阻抗大、以及保护层的强度不足，而容易造成晶片电 阻短路、故障或损坏，而影响晶片排阻正常的运作，为解决此问题，本技术的目的是提 供一种可降低线路阻抗、强化保护层结构的反向式晶片排阻，以达到低阻抗、良率高、抵抗 变形能力强的目的，为达到前述的目的，本技术的技术手段如下述。本技术是提供一种反向式晶片排阻，其中包含有一基座、多组排阻、一第一保 护层、一第二保护层与一字码层，其中基座是一绝缘座体；多组排阻可导电地分别设置于基座上，各排阻是包含有一线路层与两端电极，其 中，线路层设置于基座底面上；端电极分别电连接及设置于线路层的两端；第一保护层为绝缘体并覆盖设置于线路层上；第二保护层为绝缘体并覆盖设置于基座顶面上；以及字码层设置于第二保护层上；其中，各端电极于基座顶底面分别形成有一顶电极部与一底电极部，以及于基座 的侧壁上形成有电连接顶电极部与底电极部的侧电极部；其中，各端电极于基座底面形成有一底电极部，以及于基座的侧壁上形成有一电 连接底电极部的侧电极部，且侧电极部未贯穿至基座顶面；3其中，侧电极部的高度占基座侧壁高度的二分之一以上。本技术还提供一种置入反向式晶片排阻的载料带，其包含有一载体、多个反 向式晶片排阻与一覆盖膜，其中载体是呈片状，并于一侧穿设有多个导引孔，以及于另一侧穿设有多个容置孔；该多个反向式晶片排阻是对应容置于该载体的容置孔内，各反向式晶片排阻包含 有一基座、多组排阻、一第一保护层、一第二保护层与一字码层，其中，基座是一绝缘座体； 多组排阻可导电地分别设置于基座上，各排阻是包含有一线路层与两端电极，其中，线路层 设置于基座底面上；端电极分别电连接及设置于线路层的两端；第一保护层为绝缘体并覆 盖设置于线路层上，并于置入时贴靠于载体上；第二保护层为绝缘体并覆盖设置于基座顶 面上；字码层设置于第二保护层上；以及覆盖膜贴覆于载体的该多个容置孔上；其中，所述的多个容置孔分别为一盲孔；其中，所述的多个容置孔分别为一穿孔，并于载体上该多个容置孔两侧分别贴覆一覆盖膜。凭借上述的技术手段，本技术的反向式晶片排阻及置入反向式晶片排阻的载 料带，由于线路层是设置于基座底面，因此，电路信号可由一端电极直接通过线路层快速地 传递至另一端电极，达到大幅缩短传递路径、降低阻抗的目的，进一步，本技术于基座 上下两侧分别设有第一保护层与第二保护层，可增整体的韧度与强度，可有效地抵抗弯曲、 变形与破裂的情形发生，保持线路层良好的通路状态、提升产品良率。附图说明图1是本技术第一实施例的外观立体图；图2是本技术第一实施例设置于电路板上的局部剖面图；图3是本技术第二实施例的外观立体图；图4是本技术第二实施例设置于电路板上的局部剖面图；图5是本技术的载料带的外观平面图；图6是本技术的载料带的局部剖面图；图7是本技术另一型态载料带的局部剖面图；图8是现有晶片排阻的外观立体图；图9是现有晶片排阻的局部剖面图。具体实施方式以下配合附图及本技术的较佳实施例，进一步阐述本技术为达成预定实 用新型目的所采取的技术手段。本技术是关于一种反向式晶片排阻及置入反向式晶片排阻的载料带，请参照 图1至图5，其包含有一基座10、多组排阻11、一第一保护层12、一第二保护层13、一字码层 14与一载料带20，其中本技术的第一实施例，请参照图1与图2，基座10是呈绝缘材质的座体，较佳 的是，基座10是呈长方体形状的陶瓷体；多组排阻11分别间隔排列地设置于基座10上，各排阻11为导电体，并包含有一 线路层110与两端电极111，其中，线路层110是设置于基座10底面；端电极111分别电连 接及设置线路层110的两端，并于基座10顶底面分别形成有一顶电极部与一底电极部，以 及于基座10的侧壁上形成有电连接顶电极部与底电极部的侧电极部；第一保护层12采用软质绝缘材质并设置于线路层110上，用以覆盖线路层110形 成绝缘、保护作用；第二保护层13采用软质绝缘材质并设置于基座10顶面上，用以提供反向式晶片 A整体的结构强度，并且结合第一保护层12双向地夹设于基座10两侧，用以提升晶片排阻 的韧度、强度与抗弯曲度；字码层14设置于第二保护层13上，用以标示排阻晶片的型号规格。本技术的第二实施例，请参照图3与图4，基座10B、第一保护层12B、第二保护 层1 与字码层14B与第一实施例相同，然而各排阻IlB的构造与第一实施例略有不同，说 明如后本技术的第二实施例的各排阻IlB为导电体，并包含有一线路层IlOB与两端 电极111B，其中，线路层IlOB设置于基座IOB底面；端电极IllB分别电连接及设置线路层 IlOB的两端，并于基座IOB底面形成一底电极部，以及于基座IOB侧壁上形成有一电连接 于底电极部的侧电极部，该侧电极部的高度是约占基座IOB侧壁高度的二分之一以上，但 未贯穿至基座IOB顶面，即可使基座IOB顶面维持平整状态，再于线路层110上设置第一保 护层12B，以及于基座IOB顶面设置有第二保护层13B，第二保护层1 上则设置有字码层 14B。由于本技术的第二实施例中端电极IllB的侧电极部仅设置在基座IOB侧壁 高度的二分之一左右，并未贯通至基座IOB顶面，因此，可达到节省电极材料用量、降低制 作成本的效果，再者，可避免侧电极部因受到污损而产生短路现象，能有效增加晶片排组的 稳定性，同时侧电极部未贯穿基座IOB顶面的设计可使晶片排阻的顶面维持平坦，再晶片 排组的安装上，具有方便吸取、容易附着、不易脱料...等的功效。请参照图5与图6，载料带20是用来盛装多个反向式晶片排阻A的包装结构，其包 含有一载体21与至少一覆盖膜22，载体21上间隔地容置该多个反向式晶片排阻A，并且于 置入时，各反向式晶片排阻A设有第一保护层12的一侧是贴靠于载体21上，用以保持各反 向式晶片排阻A统一呈正向放置，再以可透光的覆盖膜22将反向式晶片排阻A封装贴附于本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种反向式晶片排阻，其特征在于，包含有一基座、多组排阻、一第一保护层、一第二保护层与一字码层，其中：基座是一绝缘座体；多组排阻可导电地分别设置于基座上，各排阻包含有一线路层与两端电极，线路层设置于基座底面上；端电极分别电连接及设置于线路层的两端；第一保护层为绝缘体并覆盖设置于线路层上；第二保护层为绝缘体并覆盖设置于基座顶面上；以及字码层设置于第二保护层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭俊雄，方惠梅，
申请(专利权)人：华新科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71