荧光灯制造技术

本发明专利技术提供一种荧光灯，是稀有气体荧光灯，使用尽量降低310nm以下的发光强度，而且尽量提高310nm～380nm的发光强度的荧光体。该荧光灯，用于含有光敏物质的液晶面板的制造工序中，其特征为：在形成于发光管内部的荧光体层含有将多铝酸镁钡、磷酸钆钇及铝酸镁镧中的任一个作为母晶而通过Ce3+予以活化的荧光体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在制造液晶面板时所使用的光源用灯，尤其涉及在将含有光敏物质的 液晶封入在内部的液晶面板制造工序中所使用的荧光灯。
技术介绍
液晶面板具有在具有2枚透光性的基板(玻璃基板)之间封入液晶的构造，在其 中一方玻璃板上形成多个有源元件(TFT)与液晶驱动用电极，在其上形成定向膜。在另一 方玻璃基板上形成有彩色滤光片、定向膜、及透明电极(ITO)。接着在两玻璃基板的定向膜 间封入液晶，利用密封剂将周围密封。在如上所示的构造的液晶面板中，定向膜用以控制对电极间施加电压而使液晶定 向的液晶定向。以往，定向膜的控制通过摩擦来进行，但是近年来则尝试一种新的定向控制技术 (参照专利文献1)。其在设有TFT元件的第1玻璃基板与与该第1玻璃基板相对的第2玻璃基板之间， 封入将具有通过电压施加进行定向的定向性的液晶、及与光反应而发生聚合的单体进行混 合而成的材料，在该液晶面板上施加电压的同时照射光而使单体聚合，将与玻璃基板接触 的液晶(即表层的大概1分子层)的方向固定，由此对液晶分子赋予预倾角。通过该方法，由于不需要设置以往具有为赋予预倾角所需的斜面的突起物，因此 可简化液晶面板的制造工序，而且在最终制品中，由于突起物所造成的阴影消失，因此可改 善开口率，结果可削减液晶面板的制造成本或制造时间，另外可使背光灯省电力化。参照图11，针对通过该高分子的液晶定向限制技术加以说明。面板90在由玻璃构成的透光性基板91的各个的面形成有由ITO等形成的电极 92，而且在其周边涂布密封剂(未图示)而形成而予以贴合。在基板91之间注入有液晶。 该液晶是在具有负的介电常数各向异性的负型液晶中以适当比例添加有紫外线硬化型单 体93而得到的液晶。对该面板90进行电压施加及紫外线照射，由此进行液晶的定向限制。如图11(a)所示，在初期的无施加电压时，液晶分子94垂直定向，单体93也还在 单基体的状态下沿着液晶分子存在。在此，若如(b)所示施加电压，液晶分子94朝像素电极 的微细图案方向倾斜，单体93也同样地倾斜。若在该状态下如(c)所示进行紫外线照射， 单体93保持倾斜的状态聚合。如上所示，单体93具有倾斜地聚合，由此使液晶分子94的 定向受到限制。在进行该新的定向控制的液晶面板的制造技术中，最终制品中的面板的好坏与单 体的聚合是否完成大有关系，万一残留有未硬化的单体时，会发生液晶面板的残影而造成 不良的原因。因此，如专利文献1等已为人所知，采用一种将紫外线的照射分成多个阶段的2阶 段的紫外线照射工序。具体而言，如图12所示，在(A)I次照射工序中，在对含有液晶材料及光聚合性单体的液晶层施加电压的状态下对液晶层照射紫外线，之后，在(B)2次照射工 序中，在不施加电压的状态下照射紫外线。结果，在1次照射工序下在液晶材料的分子定向 倾斜的状态下，定向膜附近的单体聚合而形成聚合物层，在2次照射工序中，液晶分子的倾 斜方向被聚合物记忆。经由如上所示的工序，残留在液晶材料中的单体会完全聚合，单体则 消失。以往，在上述紫外线照射工序中，使用会放射出被称为不可见光(black light)的 波长约300 400nm范围附近的紫外范围的光的荧光灯。专利文献1日本特开2008-1；34668号公报来自不可见光的放射光包含有较多的短波长(例如小于310nm的波长)的紫外 线。但是，若将如上所示的波长310nm以下的紫外线照射在液晶显示面板，液晶会受到损 伤，而会导致液晶显示面板的可靠性降低的新的问题。为了切掉不需要的波长范围的光， 简单来说是设置滤光片，但是荧光灯为扩散光源，因此通常必须使用吸收特性的滤光片。但 是，为了将波长310nm以下的光切实地遮光，3IOnm附近的例如310 340nm附近的光谱光 也一部分被吸收。即，有助于单体聚合的波长范围的光会不可避免地被吸收。结果，无法高 效地照射聚合所需的波长范围的光，而会产生聚合速度降低、紫外线照射时间长、量产性差 的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术要解决的课题是提供一种在具有电极的2片基板间填充含有可聚合 的单体的液晶组成物而形成液晶层，对基板施加电压的同时使单体聚合，由此在规定液晶 分子的倾斜方向的液晶显示装置的制造工序中，放射可适于使用在上述单体聚合工序中的 放射紫外线的光源灯，具体而言，其目的在于提供一种以尽量减小在其光谱中比310nm更 短波长的紫外线强度，且在310 380nm具有最大能量峰值的荧光灯。为了解决上述课题，本专利技术的荧光灯具备以下特征。(1) 一种荧光灯，用于含有光敏物质的液晶面板的制造工序中，其特征为在形成 于发光管内部的荧光体层中含有将多铝酸镁钡、磷酸钆钇及铝酸镁镧中的任一个作为母晶 而通过Ce3+予以活化的荧光体。(2)另外，上述荧光体含有通式以下式表示的铈活化多铝酸镁钡Cex (Mgl_y_z, Bay_z) Α1η019_(3(1_χ)+2ζ)/2其中，0.6 彡 χ 彡 0. 8。(3)另外，上述荧光体含有通式以下式表示的铈活化磷酸钆钇(Y1^jGdx)PO4ICe其中，0.1 彡 χ 彡 0. 5。(4)并且，上述荧光体含有通式以下式表示的铈活化铝酸镁镧(La1^x, Cex)MgAl11O19其中，0.07 彡 χ 彡 0. 12。(5)并且，上述荧光体含有通式以下式表示的铈及镧活化多铝酸镁钡(Ce0.8，Lax) (Mg0.8，Ba0.》Al11O18.6+3χ其中，0<X彡 0.06。4专利技术的效果根据本专利技术，可提供一种荧光灯，其在由荧光灯放射的光的波长中，不会损及 321 350nm间的光强度，而可减小310nm以下的波长的紫外线强度，因此可减小对液晶造 成损伤的300nm附近的短波长的紫外线强度，可在减小对液晶造成的损伤的同时确实进行 单体的聚合，可适于使用在将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序。附图说明图1是表示搭载有本专利技术的荧光灯的紫外线照射装置的说明图。图2是表示本专利技术的第1实施方式的荧光灯的说明图。图3是表示第1实施方式、现有例、比较例的各荧光灯的波长250 450nm的光谱 的图。图4是表示第1实施方式的荧光灯的损伤波长区域及有效波长区域的光的积算强 度的相对值与铈浓度的关系的图。图5是表示第2实施方式、现有例、比较例的各荧光灯的波长250 450nm的光谱 的图。图6是表示第2实施方式的荧光灯的损伤波长区域及有效波长区域的光的积算强 度的相对值与钆浓度的关系的图。图7是表示第3实施方式、现有例、比较例的各荧光灯的波长250 450nm的光谱 的图。图8是表示第3实施方式的荧光灯的损伤波长区域及有效波长区域的光的积算强 度的相对值与铈浓度的关系的图。图9是表示第4实施方式、现有例、比较例的各荧光灯的波长250 450nm的光谱 的图。图10是表示第4实施方式的荧光灯的损伤波长区域及有效波长区域的光的积算 强度的相对值与镧浓度的关系的图。图11是说明将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序的图。图12是说明将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序的图。具体实施例方式以下根据附图，说明本专利技术的实施方式。但是，以下所示实施方式例示用来将本发 明的技术思想具体化的液晶制造用的紫外线照射装置及荧光灯，本专利技术并本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种荧光灯，用于含有光敏物质的液晶面板的制造工序中，其特征为：在形成于发光管内部的荧光体层中含有将多铝酸镁钡、磷酸钆钇及铝酸镁镧中的任一个作为母晶而通过Ｃｅ３＋予以活化的荧光体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：田川幸治，
申请(专利权)人：优志旺电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP