【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
太阳能是当今最清洁的能源之一，取之不尽、用之不竭。太阳能的利用方式包括光 能_热能转换、光能_电能转换和光能_化学能转换。太阳能电池是光能_电能转换的典 型例子，是利用半导体材料的光生伏特原理制成的。根据半导体光电转换材料种类不同， 太阳能电池可以分为硅基太阳能电池(请参见太阳能电池及多晶硅的生产，材料与冶金学 报，张明杰等，^016，？33-38(2007))、砷化镓太阳能电池、有机薄膜太阳能电池等。目前，太阳能电池以硅基太阳能电池为主。请参阅图1，图1为现有技术中的太阳 能电池400，该太阳能电池400包括一背电极40、一硅片衬底42、一掺杂硅层44和一上电 极46。所述硅片衬底42采用多晶硅或单晶硅制成，具有第一表面41以及与该第一表面41 相对设置的第二表面43，该第二表面43为一平面结构。所述背电极40设置于所述硅片衬 底42的第一表面41，且与该硅片衬底42的第一表面41欧姆接触。所述掺杂硅层44形成 于所述硅片衬底42的第二表面43，作为光电转换的材料。该掺杂硅层44的表面为一平整 的平面结构。所述上电极46设置于...
【技术保护点】
一种太阳能电池，其特征在于，其包括：一硅片衬底，所述硅片衬底具有一第一表面以及与该第一表面相对设置的一第二表面，所述硅片衬底的第二表面设置有多个三维纳米结构，该三维纳米结构为阶梯状结构；一背电极，所述背电极设置于所述硅片衬底的第一表面，并与该第一表面欧姆接触；一掺杂硅层，所述掺杂硅层设置于所述三维纳米结构的表面以及相邻三维纳米结构之间的硅片衬底的第二表面；以及一上电极，所述上电极设置于所述掺杂硅层的至少部分表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱振东，李群庆，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11
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