发光器件制造技术

本发明专利技术提供发光器件、发光器件封装、以及发光器件的制造方法。发光器件包括：第一发光结构；第一发光结构上的绝缘层，该绝缘层不具有导电性，在该绝缘层中电流不流动；绝缘层上的第二发光结构；以及公共电极，该公共电极被同时并且电气地连接到第一发光结构和第二发光结构。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及一种发光器件。
技术介绍
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。随着近来LED的亮度增 加，LED被用作用于显示器、车辆、以及照明的光源。而且，可以通过使用荧光物质或者组合 具有各种颜色的LED实现发射高效的白光的LED。由于这样的LED具有普通的二极管特性，当LED被连接到交流(AC)电源时，根据 电流的方向重复地导通/截止LED。因此，LED没有连续地产生光。另外，LED会由于反向 电流而损坏。因此，进行了其中LED直接连接到AC电源来使用LED的各种研究。
技术实现思路
实施例提供具有新结构的发光器件。实施例还提供具有电极结构的发光器件，该电极结构被共同地连接到至少两个发 光结构。实施例还提供发光器件，其接收AC电力以连续地产生光。在一个实施例中，发光器件包括衬底；衬底上的第一发光结构，该第一发光结构 包括第一导电类型半导体层、第一导电类型半导体层上的第一有源层、以及第一有源层上 的第二导电类型半导体层；第一发光结构上的绝缘层，该绝缘层被布置在第二导电类型半 导体层上；绝缘层上的第二发光结构，该第二发光结构包括绝缘层上的第三导电类型半导 体层、第三导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：衬底；所述衬底上的第一发光结构，所述第一发光结构包括第一导电类型半导体层、所述第一导电类型半导体层上的第一有源层、以及所述第一有源层上的第二导电类型半导体层；所述第一发光结构上的绝缘层，所述绝缘层被布置在所述第二导电类型半导体层上；所述绝缘层上的第二发光结构，所述第二发光结构包括所述绝缘层上的第三导电类型半导体层、所述第三导电类型半导体层上的第二有源层、以及所述第二有源层上的第四导电类型半导体层；以及公共电极，所述公共电极被共同地并且电气地连接到所述第二导电类型半导体层和所述第三导电类型半导体层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：姜大成，郑明训，丁圣勋，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR