高电压垂直结构半导体发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及高电压垂直结构半导体发光二极管。一个高电压垂直结构LED芯片包括，支持衬底和数个垂直结构LED单元，垂直结构LED单元设置在带有通孔的绝缘支持衬底上，垂直结构LED单元按照串联的方式电连接。垂直结构LED单元包括，(A)半导体外延薄膜；半导体外延薄膜设置在带有通孔的绝缘支持衬底的金属膜上。(B)钝化层；钝化层覆盖带有通孔的绝缘支持衬底、金属膜和半导体外延薄膜；在半导体外延薄膜的上方的钝化层上的预定的位置上形成窗口；在金属膜的上方的钝化层上的预定的位置上形成窗口；(C)金属电极；金属电极通过窗口层叠在半导体外延薄膜上并向预定的相邻的垂直结构LED单元的金属膜延伸并通过在相邻的垂直结构LED单元的金属膜上的窗口与该金属膜形成电连接，使得两个相邻的垂直结构LED单元形成串联方式的电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术揭示一种高电压垂直结构半导体发光二极管(HV Vertical LED)，属于光 电子

技术介绍
半导体发光二极管(LED)正在进入普通照明领域，高电压驱动的LED芯片已被 推出到市场上。但是，现有的高电压半导体发光二极管中的每一个LED单元具有横向结 构。横向结构LED单元的缺点是不能采用大电流驱动、发光效率低、电流拥塞(current crowding)、热阻大，等，因此需要一种高电压半导体发光二极管，可以采用大电流驱动，并 且进一步提高发光效率和改善散热。本专利技术揭示一种高电压垂直结构LED芯片，以克服上述的不足之处。
技术实现思路
本专利技术的高电压垂直结构LED芯片的一个实施例的结构如下一个高电压垂直结 构LED芯片包括，支持衬底和至少两个垂直结构LED单元，支持衬底的至少一个主表面上形 成至少两片金属膜；垂直结构LED单元分别形成在金属膜上；垂直结构LED单元按照串联 的方式电连接，使得垂直结构LED芯片可以承受高电压高电压垂直结构LED芯片的一个实施例的结构包括(1)支持衬底。支持衬底包括(A)绝缘支持衬底，或(B)带有通孔的绝缘支持衬 底。绝缘支本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种垂直结构ＬＥＤ芯片，其特征在于，所述的垂直结构ＬＥＤ芯片包括，带有通孔的绝缘支持衬底和至少两个垂直结构ＬＥＤ单元；其中，所述的带有通孔的绝缘支持衬底包括，绝缘衬底、通孔与金属栓和形成在所述的绝缘衬底的两个主表面上的多个金属膜；其中，所述的绝缘衬底上形成所述的通孔，所述的通孔中填充所述的金属栓；至少三个所述的金属膜形成在所述的带有通孔的绝缘衬底的第一个主表面上；两个所述的金属膜形成在所述的带有通孔的绝缘衬底的第二个主表面上；形成在所述的第二个主表面上的所述的两个金属膜与形成在所述的第一个主表面上的相对应的两个金属膜通过所述的金属栓形成电连接；形成在同一个主表面上的多个所述的金属膜互相电绝...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金木子，
申请(专利权)人：金木子，
类型：发明
国别省市：11