用于非球面加工的离子束修形加工方法技术

技术编号:6684396 阅读:335 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种用于非球面加工的离子束修形加工方法,包括以下步骤:先通过检测、实验获取面形误差分布数据R和去除函数P;然后建立离子束修形加工路径,并测算该光学曲面各点的入射角φ;利用计算模型和驻留时间迭代算法计算驻留时间密度函数和材料去除量M,再计算各加工点处离子束的驻留时间;再根据已建立的加工路径和驻留时间,对待加工光学元件的光学表面进行线性三轴联动的数控修形加工;再进行面形误差检测,根据加工前、后的面形误差分布数据和M对P进行校正,使用校正后的去除函数重复前述步骤进行迭代加工,直到满足面形收敛精度要求,加工结束。本发明专利技术的加工方法稳定性好,加工精度高,可控性强,对设备要求低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光学元件加工
,尤其涉及一种曲面光学元件的离子束修形加 工方法。
技术介绍
离子束修形是应用于光学零件确定性加工的一种新技术。离子束修形是在真空环 境中,使用离子源发射的离子束轰击光学镜面,利用离子轰击产生的物理溅射现象去除光 学零件表面的材料。离子束修形具有纳米量级的加工精度,是高确定性、高稳定性和非接触 的加工方式。离子束修形克服了传统方法修形加工过程中的边缘效应、刀具磨损和压力负 载等缺点。如图1中的A图所示,目前的离子束修形加工方法在实现对非球面等光学曲面1 的加工时,为了保持去除函数稳定不变,需要使离子束2垂直入射光学曲面1,即离子束2方 向保持与光学曲面1的法线方向处重合。由于非球面等光学曲面1上法线方向是空间改变 的,因此加工时,离子束2的入射方向也必须是空间改变的,以处处重合光学曲面1的法线 方向(如图1所示)。所以,离子束2修形加工非球面等光学曲面1时,离子源3相对工件 需要5个运动自由度,即调整位置的X、Y和Z三个线性运动自由度和调整姿态的ey 两个旋转自由度。因此,为实现非球面等光学曲面的修形加工,目前的离子束修形加工中必 须使用五轴联动,加工设备必须具备五轴联动的运动系统。而五轴联动的运动系统不仅操 作复杂,制备成本高,而且加工效率和加工效果还有待提高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种稳定性好、加工精 度高、可控性强、对设备要求低的。为解决上述技术问题,本专利技术提出的技术方案为一种用于非球面加工的离子束修 形加工方法,包括以下步骤(1)检测面形误差利用面形检测装置对待加工光学元件的非球面光学曲面进行 面形误差检测,获取该光学曲面的面形误差分布数据R,记为r(x,y);(2)确定去除函数应用离子束修形加工过程进行去除函数试验获取去除函数 P (或者直接使用已经获取并保留下来的去除函数),记为ρ (χ, y);(3)建立加工路径采用现有路径规划方法(例如直线式光栅路径),根据待加工 光学元件的形状和尺寸建立离子束修形加工路径;(4)测算入射角在垂直于待加工光学元件光轴的平面内建立X-Y直角坐标系,根 据其光学曲面的曲面方程Z = h(x,y),测算该光学曲面各点法线与垂直入射离子束的夹 角,即入射角Φ ;(5)确定驻留时间密度函数利用计算模型r(x,y) = η (χ, y) · 和驻留时间迭代算法,计算本次加工控制所用的驻留时间密度函数τ (χ, y)和材料去除量M;本步骤中采用了与现有技术不同的计算模型,现有技术中,由于去除函数p(X,y) 保持不变,因此在求解驻留时间密度函数τ (χ, y)时,仅仅通过卷积方程r(x,y) =p(x,(x, y)即可进行求解,即在现有的五轴联动系统加工中的材料去除量r(x,y)等于去 除函数P(X,y)与驻留时间密度函数τ (x,y)的空间二维卷积;而本专利技术方法的后续数控修 形加工步骤中,由于是采用线性三轴联动系统进行加工,去除函数p(x,y)是空间变化的, 因此现有的卷积方程难以继续用于求解,利用现有技术无法实现线性三轴加工方式的驻留 时间解算,因此我们采用了计算模型r(x,y) = η (χ, y) · ;该计算模型 表明线性三轴加工中的材料去除量r(x,y)等于通常的去除函数p(x,y)与驻留时间密度函 数τ (χ, y)的空间二维卷积,再乘以相应的材料去除率系数η (x, y);因此,通过该计算模 型可以求解出线性三轴加工中用于控制加工过程的驻留时间密度;在所述计算模型中,r(x, y)即为步骤(1)中检测获取的面形误差分布数据,P (X, y)即为步骤O)中获取的去除函数,n (x,y)为材料去除率系数(材料去除率系数是由于 离子束倾斜入射导致的材料去除率变化引入的系数),材料去除率系数η(χ,y)的物理意 义是指加工过程中在曲面点(x,y)处的材料去除速率相对于平面的材料去除速率之比;根据 Sigmund 建立的溅射理论(Peter Sigmund, Theory of Sputtering. I.Sputtering Yield of Amorphous and Polycrystalline Targets. Phy. Rey. ,184(2) p. 383-416. 1969),溅射过程中溅射的强弱可用溅射产额Ytl来描述,溅射产额Ytl定义为平均 一个入射离子溅射出的材料表面原子数;溅射产额Ytl同样是入射角Φ的函数,且随入射角 Φ的变化而变化;此处我们引入相对溅射产额Y,相对溅射产额Y定义为Υ(φ) = Υ0(φ)/ Yci(O),其中Υ(Φ)为相对溅射产额函数,YcXΦ)为入射角Φ处平均一个入射离子溅射出的 材料表面原子数,Y0(O)为入射角0°处平均一个入射离子溅射出的材料表面原子数;根据 该定义,Y(O) = 1,即入射角为零时(垂直入射),相对溅射产额为1 ;本步骤中,所述的材料 去除率系数n (x,y)仅与入射角Φ有关,即n (x,y) = f,其值等于相对溅射产 额大小,即n (x, y) = Υ(Φ);根据Sigmimd理论,相对溅射产额函数Υ( Φ)随着入射角Φ 的增大而增大,最小值Y(O) = 1,据此材料去除率系数η (x,y)总是大于或等于1,即η (χ, y) ^ 1 ;可见,线性三轴加工中的材料去除量较大,采用线性三轴加工方式的材料去除效率 更高,计算所得的驻留时间也将较小,因此采用线性三轴加工方式可以明显缩短离子束修 形加工时间,提高修形加工的效率;本步骤中材料去除率系数η (χ, y)的计算步骤为①计算光学曲面上加工点(X, y)处的入射角Φ (x,y);②计算相对溅射产额随入射角度变化的相对溅射产额函数Υ(Φ); ③根据计算所得的入射角Φ (χ, y)和相对溅射产额函数Υ(Φ)确定出光学曲面上加工点 (x,y)处的材料去除率系数n(x,y);其中,步骤②中相对溅射产额函数Υ(Φ)的计算可以 通过实验的方法确定,也可通过现有的理论方法计算;(6)确定加工路径上各加工点的驻留时间根据步骤(5)中获取的驻留时间密度 函数τ (x,y),利用现有方法计算加工路径上各加工点处离子束的驻留时间;(7)数控修形加工根据步骤(3)中已建立的加工路径和步骤(6)计算所得的驻 留时间,对待加工光学元件的光学表面进行数控修形加工;数控修形加工过程中,离子束沿 平行于待加工光学元件光轴方向入射光学曲面,通过离子束发生装置的线性三轴联动系统对所述光学表面进行数控修形加工;(8)检测加工后面形误差利用面形检测装置对数控修形加工后的光学曲面进行 面形误差检测,获取加工后的面形误差分布数据E,记为r' (x,y);(9)校正去除函数根据加工前、后的面形误差分布数据和材料去除量M对所述去 除函数P进行校正,校正公式为P' = YPy = min | | R-E- yM|其中,P'为校正后的去除函数,Y为校正系数;(10)迭代加工使用校正后的去除函数P'替代上述步骤O)中确定的去除函数 P,并重复上述步骤(3) (9)对所述光学元件进行迭代加工,直到所述加工后的面形误差 分布数据E满足面形收敛精度要求,加工结束。上述本专利技术的中,所述步骤(5)中的驻留 时间迭代算本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于非球面加工的离子束修形加工方法,包括以下步骤:  (1)检测面形误差:利用面形检测装置对待加工光学元件的非球面光学曲面进行面形误差检测,获取该光学曲面的面形误差分布数据R,记为r(x,y);  (2)确定去除函数:应用离子束修形加工过程进行去除函数试验获取去除函数P,记为p(x,y);  (3)建立加工路径:采用现有路径规划方法,根据待加工光学元件的形状和尺寸建立离子束修形加工路径;  (4)测算入射角:在垂直于待加工光学元件光轴的平面内建立X-Y直角坐标系,根据其光学曲面的曲面方程z=h(x,y),测算该光学曲面各点法线与垂直入射离子束的夹角,即入射角φ;  (5)确定驻留时间密度函数:利用计算模型r(x,y)=η(x,y)·[p(x,y)*τ(x,y)]和驻留时间迭代算法,计算本次加工控制所用的驻留时间密度函数τ(x,y)和材料去除量M;  在所述计算模型中,r(x,y)即为步骤(1)中检测获取的面形误差分布数据,p(x,y)即为步骤(2)中获取的去除函数,η(x,y)为材料去除率系数,η(x,y)=Y(φ),Y(φ)=Y↓[0](φ)/Y↓[0](0),其中Y(φ)为相对溅射产额函数,Y↓[0](φ)为入射角φ处平均一个入射离子溅射出的材料表面原子数,Y↓[0](0)为入射角0°处平均一个入射离子溅射出的材料表面原子数;  (6)确定加工路径上各加工点的驻留时间:根据步骤(5)中获取的驻留时间密度函数τ(x,y),利用现有方法计算加工路径上各加工点处离子束的驻留时间;  (7)数控修形加工:根据步骤(3)中已建立的加工路径和步骤(6)计算所得的驻留时间,对待加工光学元件的光学表面进行数控修形加工;数控修形加工过程中,离子束沿平行于待加工光学元件光轴方向入射光学曲面,通过离子束发生装置的线性三轴联动系统对所述光学表面进行数控修形加工;  (8)检测加工后面形误差:利用面形检测装置对数控修形加工后的光学曲面进行面形误差检测,获取加工后的面形误差分布数据E,记为r′(x,y);  (9)校正去除函数:根据加工前、后的面形误差分布数据和材料去除量M对所述去除函数P进行校正,校正公式为  P′=γP  γ=min||R-E-γM||  其中,P′为校正后的去除函数,γ为校正系数;(10)迭代加工:使用校正后的去除函数P′替代上述步骤(2)中确定的去除函数P,并重复上述步骤(3)~(9)对所述光字元件进行迭代加工,直到所述加工后的面形误差分布数据E满足面形收敛精度要求,加工结束。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周林戴一帆解旭辉廖文林沈永祥袁征
申请(专利权)人:中国人民解放军国防科学技术大学
类型:发明
国别省市:43

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