发光器件制造技术

本发明专利技术公开一种发光器件。发光器件包括：第二导电半导体层；第二导电半导体层上的有源层；有源层上的第一半导体层，第一半导体层具有带有台阶部分的至少一个横向侧面；以及横向电极，台阶部分上的横向电极被形成在第一半导体层的至少一个横向侧面上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光器件和发光器件封装。
技术介绍
发光二极管(LED)是将电流转换成光的半导体发光器件。近来，LED的亮度得到增 加，使得LED已经被用作用于显示装置、车辆、或者照明装置的光源。另外，LED能够通过采 用冷光材料或者通过组合具有各种颜色的LED，从而能够显示出具有优秀的光效率的白光。同时，根据诸如有源层的结构、用于将光有效地提取到外部的光提取结构、被用于 LED的半导体材料、芯片尺寸、以及包围LED的成型构件的类型的各种条件来更改LED的亮 度。
技术实现思路
实施例提供能够具有新颖的结构的发光器件和具有该发光器件的发光器件封装。 实施例提供能够提高光提取效率的发光器件和具有该发光器件的发光器件封装。实施例提 供能够改善电流特性同时降低工作电压的发光器件和具有该发光器件的发光器件封装。根据实施例的发光器件包括第二导电半导体层；在所述第二导电半导体层上的 有源层；在所述有源层上的第一半导体层，第一半导体层具有带有台阶(step)部分的至少 一个横向侧面；以及在台阶部分上的横向电极，所述横向电极被形成在第一半导体层的至 少一个横向侧面上。根据实施例的发光器件封装包括衬底和发光模块，该发光模块包括被对准在衬 底上的发光器件。发光器件可以包括第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的有源 层；在有源层上的第一半导体层，其中，该第一半导体层具有带有台阶部分的至少一个横向 侧面；以及在台阶部分上的横向电极，所述横向电极被形成在第一半导体层的至少一个横 向侧面上。附图说明 图1是示出根据实施例的发光器件的截面图； 图2是图1中所示的发光器件的透视图； 图3是图1中所示的发光器件的平面图4是示出被形成在图1中所示的发光器件中的焊盘部分的截面图5至图10示出用于制造根据实施例的发光器件的程序的视图11是示出根据另一实施例的发光器件的截面图12是示出根据又一实施例的发光器件的截面图13是示出根据又一实施例的发光器件的截面图14是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图15是示出根据实施例的包括发光器件封装的背光单元的分解透视图；以及图16是示出根据实施例的包括发光器件封装的照明单元的透视图。 具体实施例方式在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案、或结构被称为在另 一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或另一图案“上”或“下”时，它能够“直接”或 “间接”在另一衬底、层(或膜)、区域、垫、或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已 经参考附图描述了层的这样的位置。出于方便或清楚的目的，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示 意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。在下文中，将参考附图描述根据实施例的发光器件以及制造发光器件的方法。图1是示出根据实施例的发光器件1的截面图，并且图2是发光器件1的透视图。参考图1和图2，发光器件1包括导电支撑构件170 ；导电支撑构件170上的反射 层160 ；反射层160上的第二导电半导体层150 ；第二导电半导体层上的有源层140 ；被形成 在有源层140上的第一半导体层130，并且在所述第一半导体层130的至少一侧上提供有台 阶部分(st印part)；以及被形成在第一半导体层130的台阶部分上的横向电极180。导电支撑构件170可以包括从由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo以及诸如Si,Ge, GaAs、ZnO、SiC、SiGe、或者GaN的载体(carrier)晶圆组成的组中选择的至少一个。导电支撑构件170和横向电极180将电力提供到发光器件1，并且支撑被形成在导 电支撑构件170上的多层。反射层160被形成在导电支撑构件170上。反射层160可以包括具有优秀的反射 率的Ag、Al、Pt以及Pd中的至少一个。同时，结合层(未示出)能够被形成在反射层160和导电支撑构件170之间，以加 强反射层160和导电支撑构件170之间的界面结合强度。第二导电半导体层150被形成在反射层160上。例如，第二导电半导体层150包括 P型半导体层。ρ型半导体层可以包括具有诸如InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, A1N、 或者 InN 的 InxAlyGa1TyN(0 彡 χ 彡 1，0 彡 y 彡 1，0 彡 x+y 彡 1)的组成式(compositional formula)的半导体材料。另外，ρ型半导体层可以被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba的 P型掺杂物。同时，为了形成欧姆接触，欧姆层(未示出)能够被形成在第二导电半导体层150 和反射层160之间。有源层140被形成在第二导电半导体层150上。在有源层140处，通过第一导电 半导体层130注入的电子(或者空穴)可以与通过第二导电半导体层150注入的空穴(或 者电子)复合，使得有源层140根据有源层140的本征材料，基于能带的带隙差而发射光。有源层140可以具有单量子阱结构或者多量子阱(MQW)结构，但是实施例不限于 此。被掺杂有η型或者ρ型掺杂物的包覆层(clad layer)(未示出)能够被形成在有 源层140上和/或下面。包覆层可以包括AlGaN层或者InAlGaN层。第一半导体层I30可以被形成在有源层140上。第一半导体层130包括第一导电半导体层。例如，第一导电半导体层可以包括η型半导体层。η型半导体层可以包括诸如11^1631631416311甙314111^、411或者InN 的具有hxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的组成式的半导体材料。另夕卜， η型半导体层可以被掺杂有诸如Si、Ge或者Sn的η型掺杂物。根据本实施例，第一半导体层130包括第一区域131，该第一区域131位于第一 半导体层130的上部分处；第二区域132，该第二区域132位于第一区域131和有源层140 之间。横向电极180被形成在第一区域131中。根据本实施例，横向电极180被形成在第一 区域131的横向侧面的整个表面上，但是实施例不限于此。根据另一实施例，横向电极180 可以被形成在第一区域131的横向侧面的一部分上。在这样的情况下，第一区域131被限 定为从与第一半导体层130的底表面133a相邻的横向电极180的末端180a延伸到第一半 导体层130的顶表面13 的区域。能够相对于第一半导体层130的至少一侧的外围部分(参见，附图标记Dl)执行 蚀刻工艺。因为已经执行蚀刻工艺，所以蚀刻沟槽134被形成在第一半导体层130的第一 区域131中，使得台阶部分被形成在第一半导体层130的至少一侧上。另外，台阶部分可以 被形成在第一半导体层130的横向侧面的整个表面上。蚀刻沟槽134可以提供用于安装横向电极180的空间，同时用作用于划分多个发 光器件的芯片边界区域。例如，第一区域131可以具有1. 5 μ m至2. 0 μ m的范围内的第一厚度Dl。另外，横向电极180可以延伸到第一半导体层130的顶表面13 的外围部分的至 少一部分，但是实施例不限于此。同时，横向电极180没有被形成在蚀刻沟槽134没有被形成的第二区域132中。详 细地，横向电极180没有被形成在从第一半导体层130的台阶部本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：第二导电半导体层；在所述第二导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一半导体层，所述第一半导体层具有带有台阶部分的至少一个横向侧面；以及横向电极，所述台阶部分上的所述横向电极被形成在所述第一半导体层的至少一个横向侧面上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙孝根，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR