在一个实施例中，一种振荡器是电压控制器表面声波振荡器，包括至少一个表面声波滤波器和电压控制型移相器。在一个实施例中，移相器包括串联耦合的至少一个低通电路和两个高通电路，来改进相移关于控制电压的线性。在一个实施例中，低通电路包括串联的至少一对电感器以及并联耦合在该对电感器之间并且接地的可变电阻器，并且高通电路包括串联的至少一对可变电阻器以及并联耦合在该对可变电阻器之间并且接地的电感器。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术总的涉及振荡器，并且更具体地，涉及一种具有移相器的电压控制型表面声波振荡器。
技术介绍
诸如电压控制型表面声波振荡器的振荡器广泛用在多种电子装置中并且其特征在于振荡频率会随着外部电压而变化。尽管已经证明当前的表面声波振荡器可以满足需求，但是仍持续需要包括电压控制型表面声波振荡器的更小尺寸、更低成本和更高性能的振荡器。
技术实现思路
本技术总的涉及包括滤波器和移相器的振荡器，该移相器包括用于调整正和负相移并且用于将振荡器的频率定在中心的装置。根据本技术的一个方面，提供一种振荡器，包括滤波器；和耦合到滤波器的移相器，该移相器包括耦合到至少一个高通电路的至少一个低通电路。在上述振荡器中，低通电路包括串联耦合的一对电感器和一端耦合在该对电感器之间的可变电容器。在上述振荡器中，高通电路包括串联耦合的一对可变电容器和一端耦合到该对可变电容器之间的电感器。在上述振荡器中，移相器包括串联耦合在一对高通电路之间的低通电路。在上述振荡器中，该振荡器是电压控制型表面声波振荡器并且该滤波器是表面声波滤波器。根据本技术的另一方面，提供一种振荡器，其中包括至少一个移相器，该移相器包括用于调整负和正相移并且将振荡器的频率定在中心的装置。在上述振荡器中，用于调整负和正相移的装置包括串联耦合在一起的至少一个第一低通移相器电路和至少一个第一高通移相器电路。在上述振荡器中，第一低通移相器电路包括串联耦合的一对电感器以及耦合在该对电感器之间的可变电容器，并且第一高通移相器电路包括串联耦合的一对可变电容器和耦合在该对可变电容器之间的电感器。在上述振荡器中，还包括和第一低通移相器电路串联耦合的第二高通移相器电路，该第一低通移相器电路位于第一和第二高通移相器电路之间。在上述振荡器中，该振荡器是包括表面声波滤波器的电压控制型表面声波振荡器。根据本技术的再一方面，提供一种电压控制型表面声波振荡器，其特征在于，包括至少一个表面声波滤波器和电压控制型移相器，该电压控制型移相器包括至少第一和第二高通电路以及串联耦合到第一和第二高通电路之间的第一低通电路，第一和第二高通电路的每一个包括至少一个第一可变电容器，并且第一低通电路包括和第一高通电路的第一可变电容器串联耦合的至少一个第一电感器以及和第二高通电路的第一可变电容器串联耦合的第二电感器。在上述电压控制型表面声波振荡器中，第一低通电路还包括一端耦合在第一和第二电感器之间并且另一端耦合在接地端的可变电容器，并且第一和第二高通电路的每一个还包括第二可变电容以及一端耦合在第一和第二可变电容器之间并且另一端耦合到接地端的电感器。在上述电压控制型表面声波振荡器中，还包括耦合到电压控制型移相器的放大ο在上述电压控制型表面声波振荡器中，还包括耦合到第一和第二高通电路的每一个的第二可变电容器的控制电压输入电路。根据本技术的第四方面，在一个实施例中，该振荡器是具有表面声波滤波器的电压控制型表面声波振荡器，且用于调整正和负相移的装置包括具有至少一个低通电路部分和至少一个高通电路部分的移相器。在一个实施例中，移相器包括在两个高通电路部分之间串联耦合的一个低通电路部分。在一个实施例中，移相器的低通电路部分还包括串联的至少一对电感器和该对电感器之间的可变电抗器/可变电容器。移相器的高通电路部分包括串联的一对可变电抗器 /可变电容器和该对可变电抗器/可变电容器之间的电感器。根据本技术的优选实施例的详细描述、附图和所附权利要求，本技术的其他优点和特征将更加显而易见。附图说明以下，通过结合附图的描述，可以更好地理解本技术的上述及其它特征，其中图1为包括本技术的特征的电压控制型表面声波振荡器的框图；图2为本技术的电压控制型表面声波振荡器的电压控制型移相器的电路的一个实施例的示意图；图3为本技术的电压控制型表面声波振荡器的相移角度相对于控制电压 (Vt)的性能的曲线图；以及图4为图3曲线图的归一化表示。具体实施方式虽然本技术涉及多种不同形式的实施例，但是本说明书和附图仅披露振荡器的一个实施例，并且更具体地，仅披露了根据本技术的电压控制型表面声波(SAW)振荡器。图1是包括以下元件的电压控制型表面声波(SAW)振荡器10的框图表面声波滤波器(SAW滤波器)12，将SAW滤波器12的输出耦合到电压控制型移相器14的输入的电路线13，将移相器14的输出耦合到放大器16的输入的电路线15，将放大器16的输出耦合到输出缓存器18的输入的电路线17，耦合到电路线17并且将放大器16的输出耦合到SAW滤波器12的输入的电路线19，以及将缓存器18耦合到频率信号输出20的电路线21。尽管没有详细示出和描述，但可以理解上面提及的一个或者多个振荡器元件可以是分立或者集成电路类型，并且适合于安装在近似于宽度5mm乘以长度7mm或者宽度9mm 乘以长度14mm的合适的印刷电路板或者衬底上。此外，尽管没有详细示出和描述，但是可以理解正弦波至逻辑电平转换电路可以可操作地联接到电压控制型表面声波振荡器10，并且更具体地，可操作地联接在缓存器18和输出20之间来产生数字逻辑输出信号。SAW滤波器12、移相器14和放大器16组合起来限定电压控制型SAW振荡器10的频率信号发生反馈电路或者环路部分。移相器14限定电压控制型SAW振荡器10的振荡器信号相位改变/移动/调整部分或者电路。相位改变的幅度部分地依赖于经由图1示出的电路线23输入到移相器14的控制电压(Vt)的值。如图2所示，本技术的移相器14包括多级相位选择/混合/移动/调整装置或者电路，该装置或者电路包括大体位于中央的低通负相移电路部分或者级22和串联耦合到低通电路部分22的各相对端的一对高通正相移部分或者级M和26。因此，在所示实施例中，如下面详细描述，低通电路部分22串联耦合在两个高通电路部分M和沈之间并与二者相耦合。低通电路22包括串联耦合在电路线32上的一对电感器28和30以及并行耦合在电感器观和30之间且与这二者相耦合、并位于电路线36上的可变电抗器/可变电容器 34，可变电抗器/可变电容器34的一端在位于电感器观和30的内端点之间的点36处耦合到电路线32，另一端耦合到接地端38。高通电路M和沈的每一个包括串联耦合在电路线44上的一对可变电抗器/可变电容器40和42以及并行耦合到可变电抗器/可变电容器40和42并且位于电路线48 上的电感器46，该电感器46的一端在位于可变电抗器/可变电容器40和42的阳极端点之间的点50处耦合到电路线44，另一端耦合到接地端52。在图2的实施例中，高通电路M的电路线44串联耦合到低通电路22的电路线32 的一端，从而将高通电路M的可变电抗器/可变电容器42的阴极串联耦合到低通电路22 的电感器28的一端。图2中还示出，高通电路沈的电路线44串联耦合到低通电路22的电路线32的对端，从而将高通电路沈的可变电抗器/可变电容器40的阴极串联耦合到低通电路22的电感器30的一端。图2中还示出，移相器14还包括位于高通电路M的电路线44的端部的信号输入 60，该端部与耦合到低通电路22的电路线44的端部相对，以及位于高通电路沈的电路线 44的端部的信号输出62，该端部与耦合到低通电路22的电路线44本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种振荡器，其特征在于包括：滤波器；和耦合到滤波器的移相器，该移相器包括耦合到至少一个高通电路的至少一个低通电路。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·O·里泽，
申请(专利权)人：CTS公司，
类型：实用新型
国别省市：US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。