一种用于高性能声表面波器件的压电薄膜及其制备方法技术

一种用于高性能声表面波器件的压电薄膜，由金刚石衬底和该衬底表面形成的一层六方氮化硼薄膜构成，所述六方氮化硼薄膜是厚度为0.6-0.8?m的纳米薄膜；其制备方法是：在在MOCVD沉积系统的进样室，先对金刚石衬底表面进行表面等离子体清洗，然后采用磁控溅射工艺在金刚石衬底表面沉积一层六方氮化硼h-BN薄膜。本发明专利技术的优点是：提供了一种用于高性能声表面波（SAW）器件的压电薄膜，用其制备的SAW器件频率高（≥2.5GHz），且可以承受大功率（≥37dBm），可以满足高频率和/或大功率移动通信的要求。本发明专利技术还提供了该压电薄膜的制备方法，其工艺条件方便易行，有利于大规模推广应用，具有重大的生产实践意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及声表面波器件
，特别是涉及一种用于高性能声表面波器件的 压电薄膜及其制备方法。
技术介绍
近年来，移动通信的飞速发展，使得无线电通信频带成为一个有限而宝贵的自然 资源。对于移动通信系统，低于IGHz的频带已被占满(第一代数字系统)；第二代数字系统 的频率从900 MHz到1.9 GHz ；在第三代数字系统中，全球漫游游游频率范围为1.8 2. 2 GHz，卫星定位系统(GPS)频率为1.575 GHz，低地球轨道新卫星通信(LEO)的应用频率范围 为1. 6GHz 2. 5GHz,因此，目前的移动通信系统的应用频率越来越高，急需高频的声表面 波(SAW)滤波器，而且，移动通动通信装置都要求声表面波SAW滤波器尽量小型化以及具有 较大的功率承受能力。常规SAW材料，如石英、铌酸锂LiNbO3、氧化锌ZnO等，声表面波相速较低，一般 低于4000m/s，用其制作频率为2. 5GHz的SAW器件，其叉指换能器(IDT)指宽d必须小于 0. 4 μ m，频率为5GHz的SAW器件所对应的IDT指宽d小于0. 2 μ m，已经逼近目前半导体工 业水平的极限，因此在生产中会本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于高性能声表面波器件的压电薄膜，其特征在于：由金刚石衬底和该衬底表面形成的一层六方氮化硼ｈ－ＢＮ薄膜构成，所述六方氮化硼ｈ－ＢＮ薄膜是厚度为０．６－０．８μｍ的纳米薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛玉明，杨保和，潘宏刚，朱亚东，刘君，宋殿友，辛治军，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：12