本发明专利技术公开一种高性能p型碲化铋基热电发电材料的制备方法，以工业化大批量生产的高纯碲块、铋块和锑块为原料，经过去氧化层、粉碎后，按一定的比例称量后置于处理好的玻璃管内，经过封装、熔化、区熔生长、退火，得到p型碲化铋基热电半导体晶棒。在30~300℃下，平均ZT值达0.75以上。所使用的原料廉价易得、无毒环保、设备工艺简单、能耗低、产量大、可大规模工业化生产。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新材料制造，属于新能源材料领域，特别涉及一种高性能P型碲化铋 基热电发电材料的制备方法。
技术介绍
新能源材料和技术是二十一世纪人类可继续发展不可缺少的重要物质和技术基 础之一。热电材料是一种新型的、环境友好的新能源材料，在热电致冷和热电发电方面的应 用越来越广泛。由于热电发电在低温废热回收利用上具备独特的优势，而成为未来热电行 业的主力发展方向。因此，开发一种高性能P型碲化铋基热电材料来满足工业化制备低温 废热回收发电的热电半导体发电器的需要，使其在所使用温度段具备高的转换效率和增大 单位材料的发电量来降低成本，无论是在技术理论和实验证明上的都是提高能源利用率的 有效方法。碲化铋基热电材料是目前室温附近应用最好的热电材料，也是目前工业化最为成 熟的热电半导体行业的原料。热电器件的转换率和发电量基本由热电材料的热电优值^ 值决定，提高其使用温度范围的平均^值，是提高热电器件转换率和减低单位发电成本的 最有效的途径。同时在保证kebeck变化不大的条件下，提高电导率来降低所做材料的内 阻来提高单位材料的发电量是降低单位发电量成本的最有效方法。近50年来，工业化所使 用的P型碲化铋基热电材料在室温附近获得最大热电优值冗值，将其用于制备室温附近使 用的热电致冷器件能获得最大的转换效率。但是，以这种材料制备热电发电器件，其转换率 较低所致单位热电发电成本高。这是由于发电器件的使用温度为3(T400°C，而这种碲化铋 基热电材料在该温度段的平均I值已经下降了近50%。产业化批量生产的室温I值1.05， 而3(T30(TC平均值才0. 55。目前，提高碲化铋基热电材料局限在将其结构纳米化来大幅度降低其晶格热导 率，增加赛贝克系数，进而提高某一温度下的^值，而不是某一使用温度段的值。同时 由于纳米化的制备成本昂贵和需后续热压和SPS烧结成块体，无法大批量工业化稳定生产 而一直停留在科研阶段。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种原料廉价易得、设备简单、工艺简单易控、性能均勻、 长期使用性能稳定，并能实现大规模产业化制备的棒状P型碲化铋基热电发电材料的方法。本专利技术的技术方案是，一种高性能ρ型碲化铋基热电发电材料的制备方法，其制 作步骤如下(1)将纯度为4N的碲块、铋块和锑块用铜丝刷或刀片除去表面氧化层后，分别用粉碎 机粉碎；(2)将内径为l(T38mm的玻璃管的一端采用丙烷或煤气灯封死并退火充分，时间^ lmin，另一端边缘熔烧光滑。用纯净水冲干净玻璃管内附着物，再用玻璃清洗剂、自来水、 去离子水清洗干净后，最后用酒精脱水后烘干备用；(3)按化学计量比(BixSbh)2Te2Htl3,其中x=0.2Γ0. 26，称取Bi、Sb和Te粉碎物置 于烘干后的玻璃管内；(4)把装有材料的玻璃管的真空度抽到彡10 后，在离材料平面>3cm处封口 ；(5)封好的玻璃管置于60(T70(TC的摇摆熔炼炉中，按水平方向>士 15°摇摆，至材料 全熔后继续摇摆> lmin，使材料混合均勻，之后放入排气炉中，液态材料振动排气> 3min, 排气后竖立在空气中自然冷却；(6)得到的装有熔化排气后成型材料的玻璃管垂直固定在区熔炉上，按区熔温度 70(T800°C，区熔宽度圹5cm，生长速度为3. 0士 1. Ocm/h生长，生长完后空气中自然冷却；(7)将区熔完后的晶棒在380士50°C的退火炉中退火彡36h后随炉冷却；(8)敲碎外表的玻璃棒，将晶棒尖部30mm士IOmm和尾部25mm士 IOmm切除，即得到性能 均勻稳定的P型碲化铋基热电半导体晶棒。本专利技术的优点是，采用本制备方法得到的棒状的ρ型碲化铋基热电半导体晶棒在 3(T300°C温度段的平均无量纲热电性能优值值达0. 75以上，同时平均义吐沙系数不变 和电导增加一倍单位发电量的成本下降近50%，为低温废热回收的发电器件产业化提供了 高性能低成本的原料保证，且具有原料廉价易得、设备简单、工艺简单易控、性能均勻、长期 使用性能稳定、单炉产量30Kg以上等优点。附图说明图1是本专利技术的工艺流程方框图。图2是本专利技术所制备的样品及室温最大值样品的热电性能与温度关系图。 具体实施例方式下面通过附图和实施例来进一步说明本专利技术的制备方法过程，参见图1，一种高性 能P型碲化铋基热电发电材料的制备方法，以工业化大批量生产的高纯碲块、铋块和锑块 为原料，经过去氧化层、粉碎后，按一定的比例称量后置于处理好的玻璃管内，经过封装、熔 化、区熔生长、退火，得到P型碲化铋基热电半导体晶棒。其制作步骤如下(1)将纯度为4N的碲块、铋块和锑块用铜丝刷或刀片除去表面氧化层后，分别用粉碎 机粉碎；(2)将内径为l(T38mm的玻璃管的一端采用丙烷或煤气灯封死并退火充分，时间 ^ lmin，另一端边缘熔烧光滑，用纯净水冲干净玻璃管内附着物，再用玻璃清洗剂、自来水、 去离子水清洗干净后，最后用酒精脱水后烘干备用；(3)按化学计量比(BixSbh)2Te2JU，其中x=0.2Γ0. 26，称取Bi、Sb和Te粉碎物置 于烘干后的玻璃管内；(4)把装有材料的玻璃管的真空度抽到彡10 后，在离材料平面>3cm处封口 ；(5)封好的玻璃管置于60(T70(TC的摇摆熔炼炉中，按水平方向>士 15°摇摆，至材料 全熔后继续摇摆> lmin，使材料混合均勻，之后放入排气炉中，液态材料振动排气> 3min, 排气后竖立在空气中自然冷却；(6)得到的装有熔化排气后成型材料的玻璃管垂直固定在区熔炉上，按区熔温度 70(T800°C，区熔宽度4 5cm，生长速度为3. 0士 1. Ocm/h生长，生长完后空气中自然冷却；(7)将区熔完后的晶棒在380士50°C的退火炉中退火彡3 后随炉冷却；(8)敲碎外表的玻璃棒，将晶棒尖部30mm士IOmm和尾部25mm士 IOmm切除，即得到性能 均勻稳定的P型碲化铋基热电半导体晶棒。实施例1:参见图2，一种高性能P型碲化铋基热电发电材料的制备方法，其制作步骤如下(1)将纯度为4N的碲块、铋块和锑块用铜丝刷或刀片除去表面氧化层后，分别用粉碎 机粉碎；(2)将内径为32mm的玻璃管的一端采用丙烷灯封死并退火充分，时间2min，另一端边 缘熔烧光滑，用纯净水冲干净玻璃管内脏物，再用玻璃清洗剂、自来水、去离子水清洗干净 后，最后用酒精脱水后烘干备用；(3)按化学计量比(Bia26Sba74)2Taltll，称取Bi、Sb和Te粉碎物共1.70Kg置于烘干后 的玻璃管内；(4)把装有材料的玻璃管的真空度抽到4 后，在离材料平面3cm处封口；(5)封好的玻璃管置于60(T70(TC的摇摆熔炼炉中，按水平方向士15°摇摆，置材料全 熔后继续摇摆3min，使材料混合均勻，之后放入排气炉中，振动排气3min，排气后竖立在空 气中自然冷却；(6)将得到的装有熔化排气后成型材料的玻璃管垂直固定在区熔炉上，按区熔温度 7200C，区熔宽度km，生长速度为3. Ocm/h生长，生长完后空气中自然冷却；(7)将区熔完后的晶棒在360°C的退火炉中退火4 后随炉冷却；(8)敲碎外表的玻璃棒并切除尖部30mm，尾部25mm即得到单根长观0讓，重1.52Kg左 右性能均本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种高性能ｐ型碲化铋基热电发电材料的制备方法，其特征在于，其制作步骤如下：（１）将纯度为４Ｎ的碲块、铋块和锑块除去表面氧化层后，分别用粉碎机粉碎；（２）将内径为１０～３８ｍｍ的玻璃管的一端高温熔化封死并退火，时间≥１ｍｉｎ，另一端边缘熔烧光滑，用纯净水冲干净玻璃管内附着物，再用无水乙醇脱水后烘干备用；（３）按化学计量比（ＢｉｘＳｂ１－ｘ）２Ｔｅ２．９８～３．０３，其中ｘ＝０．２４～０．２６，称取Ｂｉ、Ｓｂ和Ｔｅ粉碎物置于烘干后的玻璃管内；（４）将装有材料的玻璃管的真空度抽到≤１０Ｐａ后，在离材料平面≥３ｃｍ处封口；（５）把封好的玻璃管置于６００～７００℃的摇摆熔炼炉中，按水平方向≥±１５°摇摆，至材料全熔后继续摇摆≥１ｍｉｎ，之后放入排气炉中，液态材料振动排气≥３ｍｉｎ，排气后竖立在空气中自然冷却；（６）得到的装有熔化排气后成型材料的玻璃管垂直固定在区熔炉上，按区熔温度７００～８００℃，区熔宽度４～５ｃｍ，生长速度为３．０±１．０ｃｍ／ｈ生长，生长完后空气中自然冷却；（７）把区熔完后的晶棒在３８０±５０℃的退火炉中退火≥３６ｈ后随炉冷却；（８）敲碎外表的玻璃棒，将晶棒尖部３０ｍｍ±１０ｍｍ和尾部２５ｍｍ±１０ｍｍ切除。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑俊辉，陈果，郑艳丽，张卫华，
申请(专利权)人：江西纳米克热电电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：36
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