基片转移装置制造方法及图纸

技术编号:6657536 阅读:201 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
在此公开了一种基片转移装置,包括:用于以立式状态转移基片的基片转移单元;以及用于通过向在立式状态的基片的一侧喷射流体而产生的部分压力差所产生的引力保持基片立式状态的基片立式保持单元。根据本发明专利技术的基片转移装置能够在处理基片时完全暴露基片的一侧,同时通过基片立式保持单元保持基片的立式状态,从而改善了基片处理的均匀性并因此实现了高质量基片的生产。对于大尺寸基片来说,和以水平状态转移大尺寸基片时的情况相比,当以立式状态转移大尺寸基片时,降低了基片转移装置的安装面积。而且,降低了基片和处理溶液之间的反应时间,由此减少了基片处理时间,并且因此改进了生产率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于以立式(standing-up)状态转移基片的基片转移装置
技术介绍
在平板显示器、半导体晶片、用于光掩模的玻璃等中使用的基片要经历一系列处 理,诸如蚀刻、剥离和冲洗,并最终被清洗。在制造基片过程中,用于在生产线之间转移基片的基片转移装置是必需品。通常, 基片转移装置以水平状态转移基片。近年来,采用大尺寸基片的需求日益增长以降低基片的制造成本。为有效利用转 移这样的大尺寸基片所需的空间,基片倾向于以其直立或倾斜的状态被传送到设备。基片处理的均勻性是决定显示设备(诸如平板显示器或类似物)质量的重要因素 之一。因此,优选将待处理的基片表面完全暴露以均勻处理该基片。然而,仅在基片的一侧 安装支承单元并不足以以直立状态稳定转移基片,因此,要求在基片的两侧均安装支承单 元。然而,在这种情况下,基片被例如支承辊的支承单元部分覆盖,结果在处理基片的时候 基片可能被不均勻地处理。换句话说,当如传统
中一样在基片的两侧都安装支承 辊时,基片未完全暴露,结果在处理基片(例如蚀刻或剥离基片)的时候,难以均勻处理基 片,因此难以制造高质量的基片。为此,已经开发了一种基片转移装置,其包括仅在基片的一侧设置的支承辊,用于 以倾斜状态向设备传送基片。然而,即使在这种情况下,基片与支承辊接触,因此其中基片 与支承辊接触的基片部分可能会被损坏。而且,在基片和支承辊之间没有吸引,因此在基片 转移期间当基片向支承辊的相反侧即使稍稍倾斜时,基片都有很大可能滑落。当以较大程 度倾斜基片的状态转移基片时,基片的稳定性增加。然而,在这种情况下,相比于当基片保 持直立状态的情况增加了安装空间。因此,非常需要这样一种基片转移装置,其能够通过仅设置在基片一侧的支承单 元而以立式状态稳定地转移基片,使得可以相对于基片均勻地进行各种处理。
技术实现思路
因此,鉴于上述问题做出了本专利技术,本专利技术的目的在于提供一种能够通过仅在基 片的一侧设置的基片立式保持单元而以立式状态稳定转移基片的基片转移装置。根据本专利技术,通过提供这样一种基片转移装置可以实现上述以及其它目的,所述 基片转移装置包括基片转移单元和基片立式保持单元,所述基片转移单元用于在水平方向 上以立式状态转移基片,所述基片立式保持单元置于所述基片转移单元上方,用于在不接 触基片的情况下保持基片的立式状态。在传统的基片转移装置中,以基片与基片立式保持单元相接触的状态来转移基 片,因此可能会损坏基片。而且,在基片的每一侧均安装基片立式保持单元,因此在处理基 片的时候,由基片立式保持单元覆盖的基片部分没有被充分处理,或者基片的整体处理被 不均勻地执行。然而,根据本专利技术,基片立式保持单元被安装在基片一侧而不与基片接触, 因此防止了在基片转移期间对基片的损坏,并且实现了基片的均勻处理。 优选地,基片立式保持单元包括具有面向基片的平坦表面的至少一个基片立式保 持模块以及穿过基片立式保持模块形成的至少一个流体供给孔。具有穿过其中形成的一个 或多个流体供给孔的一个或多个基片立式保持模块被用作基片立式保持单元。当将基片立 式保持模块彼此靠近地布置时,基片立式保持模块的吸引力就过度增加,因此难以转移基 片。为此,优选将基片立式保持模块布置为使得邻近的基片立式保持模块彼此间隔预定距 离,由此在保持基片的立式状态的同时顺利实现基片的转移。在基片和基片立式保持单元 之间提供流体,以便基片不会落到与基片立式保持单元相对的另一侧上,但仍保持立式状 态。有必要提供流体供给喷嘴和流体供给管线,以便在基片转移期间在基片和基片立式保 持单元之间提供流体。优选地,基片立式保持单元包括具有面向基片的平坦表面的至少一个基片立式保 持模块,该基片立式保持模块由多孔材料制成。尽管具有流体供给喷嘴的基片立式保持模 块如先前所描述的被用作基片立式保持单元,但是当基片立式保持模块是由多孔材料制成 时,可以在基片和基片立式保持模块之间供应流体而无需形成流体供给喷嘴。优选地,基片立式保持单元包括彼此间隔布置的多个喷气口以及安装在各个喷气 口的出口中心的多个气流导向器。通过喷气口中心的气流被安装在各个喷气口的出口中心 的气流导向器阻断,因此,气流在喷气口的径向方向上被向外引导。因此,从喷气口喷出的 气体并不流向基片,而是与基片平行,并且之后气体可以通过在基片和喷气口之间限定的 空间出去。由于从喷气口喷出的气流,使得在基片和喷气口之间限定的空间的密度低于未 设置喷气口的基片那一侧的密度。因此,设置喷气口的一侧的基片压力低于未设置喷气口 的那一侧的基片压力,因此力被施加到基片上,使得基片被推向基片立式保持单元,因此, 基片以立式状态被稳定保持。优选地,每个喷气口在其出口的横截面积都大于每个喷气口在其入口的横截面 积。当喷气口的出口被加宽时,气流在喷气口的径向方向上被更好地引导,因此,气体的流 速增大得越来越快。因此,基片和基片立式保持单元之间的压力进一步降低,并且因此,更 大的力被施加到基片,使得基片被推向基片立式保持单元。因此,基片被更加稳定地转移, 同时基片不会落在与基片立式保持单元相对的另一侧。附图说明结合附图,由下面的详细描述将更清晰的理解本专利技术的上述和其它目的、特征以 及其它优点,其中图1是示出根据本专利技术的基片转移装置的工作的视图;图2是示出根据本专利技术的基片立式保持模块的实施方案的视图;图3是示出根据本专利技术的包括具有穿过其中形成的流体供给孔的基片立式保持 模块的基片转移装置的视图4是示出根据本专利技术的包括由多孔材料制成的基片立式保持模块的基片转移 装置的视图;以及图5是示出根据本专利技术的包括喷气口的基片转移装置。 具体实施例方式现在,将参照附图详细描述本专利技术的优选实施方案。图1是示出根据本专利技术的基片转移装置的实施方案的视图。根据该实施方案的基片转移装置包括基片转移单元100和基片立式保持单元 200。基片S在由基片立式保持单元200保持立式的同时,在水平方向上由基片转移单元 100转移。在传统
中,支承辊用于以基片直立或与基片立式保持单元成特定角度倾 斜的状态(即,以立式状态)来稳定转移基片。然而,当支承辊仅被置于基片的一侧时,在转 移基片期间,基片可能会落在其中没有设置支承辊的基片的另一侧,因此损坏基片(通常 是玻璃基片)的可能性大大增加。另一方面,当支承辊被置于基片的相对侧以稳定转移基 片时,在处理基片时,基片被支承辊部分覆盖,因此不可能均勻处理基片。然而,本专利技术的特 征在于基片S的立式状态由基片S和基片立式保持单元200之间的引力所保持。具体地, 在基片S和基片立式保持单元200之间提供流体,并且基片S的立式状态是由所提供流体 的表面张力来保持的。当基片S向基片立式保持单元200的相对另一侧倾斜时,基片S和 基片立式保持单元200之间的距离增加,因此流体的表面面积增加。通常,当流体的表面面 积增加时,流体呈现出减少其表面面积的性质。为此,引力通过流体的表面张力作用在基片 S和基片立式保持单元200之间,因此基片S并不会落在基片立式保持单元200的对侧,而 是保持立式状态。因此,尽管基片S的一侧完全暴露,但是还可以稳定转移基片S。基片转移单元100是用于在水平方向上转移立式基片S的组件。在该实施方案中, 基片转移单元1本文档来自技高网
...

【技术保护点】
1.一种基片转移装置,包括:用于以立式状态转移基片的基片转移单元;以及用于通过向在立式状态的基片的一侧喷射流体而产生的部分压力差所产生的引力保持基片立式状态的基片立式保持单元。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:张大铉金八坤
申请(专利权)人:FNS科技株式会社
类型:发明
国别省市:KR

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1