电光装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及电光装置，其包括：在基板上对每个像素设置的像素电极；在基板和像素电极之间与像素电极对应设置的晶体管；第1电容电极，其被设置在像素电极和晶体管之间，并与像素电极和晶体管电气连接；第2电容电极，其在像素电极和第1电容电极之间隔着电容绝缘膜与第1电容电极相对地配置，并被提供规定的电位；遮光膜，其被设置成在像素电极和第2电容电极之间与晶体管至少部分地重叠，并经由在配置在该遮光膜与第2电容电极之间的绝缘膜上开孔的接触孔与第2电容电极电气连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如液晶装置等电光装置、具备该电光装置的例如液晶投影机等电子设备以及该电光装置的制造方法的

技术介绍
作为这种电光装置，存在例如在基板上具备像素电极、用于进行该像素电极的选择性驱动的扫描线、数据线以及像素开关用的TFT(薄膜晶体管)并进行有源矩阵驱动的装置。TFT等开关元件和各种布线在基板上形成为叠层构造。在上述的电光装置中，通过在叠层构造上形成保持电容，谋求降低显示图像中的黑色不均勻(即，提高对比度)和防止像素的寿命降低。例如，在专利文献1中，提出了通过隔着电解质膜相对配置包含氧化膜的两个电极来实现耐压性能优异的保持电容的技术。特开2005-55661号公报在作为开关元件使用的TFT中，例如当装置工作时，在从光源投射的光源光由于反射等入射时，发生光漏电流。光漏电流由于有可能成为装置异常的原因，因此，希望TFT 的遮光性能尽可能高。但是，在专利文献1的技术中，在TFT的上层一侧存在的层由于是构成保持电容的氧化膜的电极层，因此，TFT的遮光性能不能说绝对充分。即，在上述的技术中，存在不能可靠地防止TFT中光漏电流的发生的技术问题。
技术实现思路
本专利技术正是鉴于例如上述的问题而提出的，其目的是提供具有高密度的保持电容并且能够实现对TFT的高遮光性能的电光装置和电子设备以及电光装置的制造方法。为了解决上述问题，本专利技术的第1电光装置包括像素电极，其在基板上对每个像素设置；晶体管，其在上述基板和上述像素电极之间与上述像素电极对应地设置；第1电容电极，其被设置在上述像素电极和上述晶体管之间，并与上述像素电极和上述晶体管电气连接；第2电容电极，其在上述像素电极和上述第1电容电极之间隔着电容绝缘膜与上述第 1电容电极相对配置，并被提供规定的电位；以及遮光膜，其被设置成在上述像素电极和上述第2电容电极之间至少与上述晶体管部分重叠，并经由在配置在该遮光膜与上述第2电容电极之间的绝缘膜上开孔的接触孔与上述第2电容电极电气连接。本专利技术的第1电光装置例如在设置有像素电极以及与该像素电极电气连接的作为像素开关用TFT等的晶体管的元件基板和设置有与像素电极相对的对置电极的对置基板之间夹持液晶等电光物质。在该电光装置工作时，通过有选择地向像素电极提供图像信号，进行在排列有多个像素电极的像素区域(或者图像显示区域)中的图像显示。另外，例如通过对在数据线和像素电极间电气连接的晶体管进行开关，将图像信号在规定的定时从数据线提供给像素电极。在本专利技术的第1电光装置中，第1电容电极与像素电极以及在基板和像素电极之间设置的晶体管电气连接。具体地，第1电容电极被设置在像素电极和晶体管之间，例如， 晶体管的漏极区域和第1电容电极经由接触孔和中继层电气连接，并且第1电容电极和像素电极经由另一个接触孔和中继层电气连接。即，第1电容电极对像素电极和晶体管的电气导通进行中继。在第1电容电极的上层一侧，第2电容电极隔着电容绝缘膜相对配置。向该第2 电容电极经由以后说明的遮光膜提供规定的电位。由此，第2电容电极被设置成恒定电位。 因此，以夹持电容绝缘膜的方式配置的第1电容电极和第2电容电极被构成为暂时保持像素电极的电位的保持电容。在第2电容电极和像素电极之间，在与晶体管至少部分重叠的位置处设置有遮光膜。遮光膜被形成为例如包含具有比第1电容电极和第2电容电极更高的遮光性能的材料， 遮挡相对于晶体管从上层一侧入射的光。此外，遮光膜被设置成与第2电容电极电气连接。 遮光膜例如在形成在第2电容电极的上层的层间绝缘膜上形成，并经由在层间绝缘膜上形成的接触孔与第2电容电极电气连接。向遮光膜经由电容线等提供规定的电位，如上所述， 该规定的电位经由遮光膜提供给第2电容电极。在此，假设如果没有设置上述的遮光膜，则如果对于晶体管入射了不应当入射的光，就可能发生光漏电流。该光漏电流成为装置误操作的原因。然而，在本专利技术中，特别地，由于利用遮光膜而使对晶体管的遮光性能提高，因此， 能够防止光漏电流的发生，能够实现可靠性高的装置。另外，典型地，第1电容电极和第2 电容电极被形成为也包含具有遮光性的材料，并具有作为用于提高对晶体管的遮光性能的部件的功能，但是，即使在这种情况下，通过设置本专利技术的遮光膜也能够进一步提高遮光性能。如上所述，如果采用本专利技术的第1电光装置，则可以由第1电容电极和第2电容电极形成保持电容，并且能够利用遮光膜实现对晶体管的高的遮光性能。为了解决上述课题，本专利技术的第2电光装置包括像素电极，其在基板上对每个像素设置；晶体管，其在上述基板和上述像素电极之间与上述像素电极对应地设置；第1电容电极，其被设置在上述像素电极和上述晶体管之间，并与上述像素电极和上述晶体管分别电气连接；第2电容电极，其在上述像素电极和上述第1电容电极之间隔着上述第1电容绝缘膜与上述第1电容电极相对配置，并被提供规定的电位；以及遮光膜，其被设置成在上述像素电极和上述第2电容电极之间与上述晶体管至少部分重叠，并且相对于上述第2电容电极隔着第2电容绝缘膜相对配置，并经由在配置在该遮光膜与上述像素电极之间的绝缘膜上开孔的接触孔与上述像素电极电气连接。本专利技术的第2电光装置例如在设置有像素电极以及与该像素电极电气连接的作为像素开关用TFT等的晶体管的基板和设置有与像素电极相对的对置电极的对置基板之间夹持液晶等电光物质。在该电光装置工作时，通过有选择地向像素电极提供图像信号，进行在排列有多个像素电极的像素区域(或者图像显示区域)中的图像显示。另外，例如通过对在数据线和像素电极之间电气连接的晶体管进行开关，图像信号在规定的定时从数据线提供给像素电极。在本专利技术的第2电光装置中，第1电容电极与像素电极以及设置在基板和像素电极之间的晶体管电气连接。具体地，第1电容电极设置在像素电极和晶体管之间，例如，晶4体管的漏极区域和第1电容电极经由接触孔和中继层电气连接，并且第1电容电极和像素电极经由另一个接触孔和中继层电气连接。即，第1电容电极对像素电极和晶体管的电气导通进行中继。在第1电容电极的上层一侧，第2电容电极隔着电容绝缘膜相对地配置。向该第2 电容电极例如经由电容线等提供规定的电位。由此，第2电容电极被设置成恒定电位。因此，以夹持电容绝缘膜的方式配置的第1电容电极和第2电容电极被构成为暂时保持像素电极的电位的保持电容。在第2电容电极和像素电极之间，在与晶体管至少部分重叠的位置处设置有遮光膜。遮光膜被形成为例如包含具有比第1电容电极和第2电容电极更高的遮光性能的材料， 遮挡相对于晶体管从上层一侧入射的光。在此，假设如果没有设置上述的遮光膜，则当相对于晶体管入射不应当入射的光时，可能发生光漏电流。该光漏电流成为装置误操作的原因。然而，在本专利技术中，特别地，由于利用遮光膜而使对晶体管的遮光性能高，因此，能够防止光漏电流的发生，并能够实现可靠性高的装置。另外，典型地，第1电容电极和第2 电容电极被形成为也包含具有遮光性的材料，并具有作为用于提高对晶体管的遮光性能的部件的功能，但是，即使在这种情况下，通过设置本专利技术的遮光膜也能够进一步提高遮光性能。本专利技术的遮光膜进一步被设置成隔着第2电容绝缘膜与第2电容电极相对配置， 并且经由在绝缘膜上开孔的接触孔与像素电极电气连接。通过与像素电极电气连接，遮光膜被设成与第本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种电光装置，其特征在于，包括：像素电极，其在基板上对每个像素设置；晶体管，其在上述基板和上述像素电极之间与上述像素电极对应地设置；第１电容电极，其被设置在上述像素电极和上述晶体管之间，并与上述像素电极和上述晶体管电气连接；第２电容电极，其在上述像素电极和上述第１电容电极之间隔着电容绝缘膜与上述第１电容电极相对配置，并被提供规定的电位；以及遮光膜，其被设置为在上述像素电极和上述第２电容电极之间与上述晶体管至少部分地重叠，并经由在配置在该遮光膜与上述第２电容电极之间的绝缘膜上开孔的接触孔与上述第２电容电极电气连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：森胁稔，安川昌宏，胁田贤，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP