有机发光显示设备制造技术

本发明专利技术公开了一种有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括：基底；光转换层，在基底上，光转换层包含氧化物半导体；钝化层，覆盖光转换层；第一电极，在钝化层上；中间层，在第一电极上，中间层包括有机发射层；第二电极，在中间层上。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及一种有机发光显示设备。
技术介绍
近来，显示设备已形成为薄的便携式的平板显示设备。作为这样的平板显示设备中的自发射显示装置，有机电致发光显示装置因诸如视角宽、对比度优异和响应速度快的优点已引起注意来作为下一代显示装置。与使用用于发射层的无机化合物的无机发光设备相比，使用用于发射层的有机化合物的有机发光显示设备的亮度、驱动电压和响应时间特性优异，并且能够实现多色彩显示器。在有机发光显示设备中，有机发射层设置在阴极和阳极之间，在将电压施加到阴极和阳极时，连接到阴极和阳极的有机发射层发射可见光。从有机发射层发射的可见光在顺序地透过阴极或阳极以及诸如平坦化层的其他构件时熄灭(extinguish)。因此，从用户的角度来讲，有机发光显示设备的发光效率受到限制。
技术实现思路
实施例的特征在于提供一种具有改善的发光效率的有机发光显示设备。上面和其它特征及优点的至少一种可以通过提供一种有机发光显示设备而实现， 该有机发光显示设备包括基底；光转换层，在基底上，光转换层包含氧化物半导体；钝化层，覆盖光转换层；第一电极，在钝化层上；中间层，在第一电极上，中间层包括有机发射层；第二电极，在中间层上。光转换层可以设置在由中间层产生的光的传播通路上。光转换层的折射率可以比钝化层的折射率高。钝化层可以包含氧化硅。有机发光显示设备还可以包括设置在基底和光转换层之间的缓冲层。缓冲层可以包含氮化硅。光转换层可以以预定的图案形成以包括多个通孔。有机发光显示设备还可以包括设置在钝化层和基底之间的薄膜晶体管，薄膜晶体管电连接到第一电极，薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极。有源层可以由用于形成光转换层的材料形成。有源层可以形成在上面形成有光转换层的层上。栅绝缘膜可以使栅电极与有源层绝缘，栅绝缘膜可以在基底和光转换层之间。栅绝缘膜可以包含氧化硅。有机发光显示设备还可以包括在有源层与源电极和漏电极之间的蚀刻阻止件。蚀刻阻止件可以在光转换层和钝化层之间。蚀刻阻止件可以包括多个通孔，通孔暴露光转换层的部分。蚀刻阻止件可以包含氧化硅。源电极或漏电极可以延伸达到光转换层的边缘，以阻挡光进入光转换层周围的区域，延伸达到光转换层边缘的源电极或漏电极可以包括面向光转换层的通孔。延伸达到光转换层的边缘的源电极或漏电极可以围绕光转换层的边缘。有机发光显示设备还可以包括设置在基底和光转换层之间的光阻挡层，光阻挡层阻挡光进入光转换层周围的区域。光阻挡层可以包括面向光转换层的通孔。光阻挡层可以由用于形成栅电极的材料形成。由中间层产生的光可以射向基底。一种有机发光显示设备包括在基底上的第一子像素、第二子像素和第三子像素。 第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个可以包括在基底上的钝化层、在钝化层上的第一电极、在第一电极上并包括有机发射层的中间层以及在中间层上的第二电极。第二子像素还可以包括第二子像素光转换层和第二子像素钝化层，第二子像素光转换层包含氧化物半导体，第二子像素光转换层在基底上，第二子像素钝化层在第二子像素光转换层上。第三子像素还可以包括在基底上的第三子像素光转换层并且还可以包括在第三子像素光转换层上的蚀刻阻止件，第三子像素光转换层包含氧化物半导体，第三子像素钝化层在蚀刻阻止件上。附图说明通过参照附图详细地描述示例实施例，对本领域的技术人员来讲，上述和其他特征及优点将变得更明显，其中图1示出根据实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；图2示出根据另一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；图3示出根据另一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；图4示出根据另一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；图5示出根据另一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；图6示出根据另一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；图7示出根据另一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；图8示出根据另一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视具体实施例方式这里参照于2010年3月2日提交到韩国知识产权局的第10-2010-0018567号的名称为“Organic Light Emitting Display Apparatus”(有机发光显示设备)的韩国专利申请，并将其全部内容包含于此。现在，将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，它们可以以不同的形式来实施，且不应该解释为局限于在这里提出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完全的，并将本专利技术的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了示出的清晰，会夸大层和区域的尺寸。还应该理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，它可以直接在另一层或基底上，或也可以存在中间层。另外，应该理解的是，当层被称作“在”另一层“下”时，它可以直接在另一层下，或也可以存在一个或多个中间层。另外，还应该理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，它可以是该两个层之间的唯一层，或也可以存在一个或多个中间层。相同的标号始终代表相同的元件。图1示出根据实施例的有机发光显示设备100的示意性剖视图。在图1中示出的示例实施例中，有机发光显示设备100包括基底101、薄膜晶体管 TFT、光转换层107、钝化层111、第一电极112、中间层114和第二电极115。薄膜晶体管TFT 包括栅电极103、有源层106、源电极109和漏电极110。虽然未在图1中示出，但实施例可以应用到不包括薄膜晶体管的无源矩阵(PM)型有机发光显示设备。更具体地讲，在图1中示出的实施例中，例如，基底101可以由包含氧化硅(SiO2) 作为主要成分的透明玻璃形成。基底101不限于此，基底101可以由透明塑料形成。用于形成基底101的透明塑料可以为例如诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺 (PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯 (polyallylate)、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)或醋酸丙酸纤维素(CAP) 的绝缘有机材料的有机材料。在图1中示出的示例实施例中，缓冲层102形成在基底101上。缓冲层102在基底101顶部上提供了的平坦的表面，并防止了湿气和杂质穿透基底101。缓冲层102可以包括折射率相对高的氮化硅(SiNx)。在图1中示出的示例实施例中，栅电极103形成在缓冲层102上。栅电极103可以由诸如Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、Al:Nd合金、Mo:W合金等的金属或合金形成。然而， 本专利技术不限于此，栅电极103可以由任何不同导电材料形成。在图1中示出的示例实施例中，栅绝缘膜105形成在栅电极103上。栅电极103 和有源层106通过栅绝缘膜105彼此绝缘。栅绝缘膜105包括折射率比缓冲层102的折射率低的材料，缓冲层102接触栅绝缘膜105。例如，栅绝缘膜105可以包括氧化硅(SiOx)。在图1中示出的示例实施例中，有源层106形成在栅绝缘膜105上。有源层106 可以包括任何不同材料。有源层106可以包括氧化物半导体。在图1中示出的示例实施例中，光转换层107形成在栅绝缘膜105上，并包括与用于形成有源层106的材料相同的材料。换句话说，光转换层107包括用于形成有源层106 的氧化物半导体。包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：基底；光转换层，在基底上，光转换层包含氧化物半导体；钝化层，覆盖光转换层；第一电极，在钝化层上；中间层，在第一电极上，中间层包括有机发射层；第二电极，在中间层上。

【技术特征摘要】
2010.03.02 KR 10-2010-00185671.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括 基底；光转换层，在基底上，光转换层包含氧化物半导体； 钝化层，覆盖光转换层； 第一电极，在钝化层上；中间层，在第一电极上，中间层包括有机发射层； 第二电极，在中间层上。2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，光转换层设置在由中间层产生的光的传播通路上。3.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，光转换层的折射率比钝化层的折射率高。4.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，钝化层包含氧化硅。5.如权利要求1所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括设置在基底和光转换层之间的缓冲层。6.如权利要求5所述的有机发光显示设备，其中，缓冲层包含氮化硅。7.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，光转换层以预定的图案形成以包括多个通孔。8.如权利要求1所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括设置在钝化层和基底之间的薄膜晶体管，薄膜晶体管电连接到第一电极，薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极。9.如权利要求8所述的有机发光显示设备，其中，有源层由用于形成光转换层的材料形成。10.如权利要求8所述的有机发光显示设备，其中，有源层形成在上面形成有光转换层的层上。11.如权利要求8所述的有机发光显示设备，其中 栅绝缘膜使栅电极与有源层绝缘，栅绝缘膜在基底和光转换层之间。12.如权利要求11所述的有机发光显示设备，其中，栅绝缘膜包含氧化硅。13.如权利要求8所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括在有源层与源电极和漏电极之间的蚀刻阻止件。14.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：金武谦，朴惠香，朴贤善，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR