【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体照明光电器件结构,特别涉及一种具有改良结构的大功率发光二极管,属于半导体光电领域。
技术介绍
光电器件是指电能和光能相互转化的一种半导体器件。其包含激光器、光电探测器、太阳能电池、发光二极管(LED)等器件。其中,LED是生活中应用最为广泛的光电器件。 近年来,随着氮化镓基蓝光、绿光和紫外光LED技术的不断成熟,发光效率不断提高,LED 在照明领域获得越来越广泛的应用。LED作为第四代光源有着众多的优点,如发光效率高(最新研究成果已实现了白光2081m/W,已远远超过白炽灯和荧光灯,因而在节能方面有更加优异的表现);光波长范围窄,色彩饱度高;作为固体光源,安装牢固,可靠性和稳定性高;体积小、重量轻、点光源,实际应用灵活方便;基于氮化镓的LED不含汞等有毒重金属, 属于绿色环保光源;可以进行数字调光,便于实现智能化控制。因此,LED在照明领域得到越来越普遍的应用。目前,LED已经广泛应用到大屏幕显示、装饰照明、建筑照明、交通指示、液晶背光等领域,可是普通照明作为一个更大的市场,LED却尚未得到广泛应用。其原因在于,普通照明需要高效率、大功率 ...
【技术保护点】
1.一种具有改良结构的大功率发光二极管,包括从上到下依次叠设的第一半导体层、有源层和第二半导体层,其特征在于:所述第一半导体层和有源层的局部区域形成窗口,令第二半导体层的局部区域自所述窗口中露出,且使第一半导体层和有源层的其余区域形成图形化结构,同时,所述第一半导体层的其余区域以及所述第二半导体层自所述窗口中露出的区域上还均覆设有电极。
【技术特征摘要】
1.一种具有改良结构的大功率发光二极管,包括从上到下依次叠设的第一半导体层、 有源层和第二半导体层,其特征在于所述第一半导体层和有源层的局部区域形成窗口,令第二半导体层的局部区域自所述窗口中露出,且使第一半导体层和有源层的其余区域形成图形化结构,同时,所述第一半导体层的其余区域以及所述第二半导体层自所述窗口中露出的区域上还均覆设有电极。2.根据权利要求1所述的具有改良结构的大功率发光二极管,其特征在于所述第一半导体层和有源层具有相同的图形化结构。3.根据权利要求1所述的具有改良结构的大功率发光二极管,其特征在于所述第一半导体层和有源层上分布有复数个窗口,该复数个窗口组成叉指状结构。4.根据权利要求1所述的具有改良结构的大功率...
【专利技术属性】
技术研发人员:亢国纯,王玮,蔡勇,张宝顺,
申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,
类型:发明
国别省市:32
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