Co-P薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Co-P薄膜的制备方法，首先，制备电解液、钴片和基片；其次，多相脉冲电源的阳极与所述钴片相连接，多相脉冲电源的阴极与所述基片相连接，所述钴片和基片浸没在所述电解液中；最后，将含有所述钴片和基片的所述电解液放置在超声波振动器中，用所述超声波振动器和多相脉冲电源进行电镀。制备出的Co-P薄膜粘附性很强，并可广泛应用于具有不同结构和不同P含量的Co-P薄膜的制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于磁性薄膜的
，特别涉及一种Co-P (钴-磷)薄膜的制备方法。
技术介绍
随着电子产品不断向小型化、高密度化、大功率化发展，微电子封装技术也在不断革新，从金属引线式向球栅阵列式、倒装式等新兴封装技术发展。磁性薄膜材料对于许多微电子机械系统，例如磁记录装置，偏压微磁，或者是磁性微调节器等的设计或者制造都是不可缺少的组成部分。Co-P薄膜由于具有很好的磁、电、扩散阻挡等的特性，目前，人们对于Co-P薄膜的研究表现出了极大的兴趣例如，由于具有高的饱和磁化强度和低的矫顽力，Co-P薄膜是一种很好的软磁材料；由于具有高的磁化系数和相当高的电阻率，Co-P薄膜在植入式磁感应器中具有重要的作用；此外，由于具有很高的硬度，Co-P薄膜也将是一种硬铬合金的替代产品。Co-P薄膜的应用中，薄膜与基体粘附性的强弱对于微磁性装置的性能、可靠性、寿命等具有相当重要的作用。采用不同的方法合成Co-P薄膜对于其显微组织，界面粘附性， 以及它本身的功能特性都具有重要的影响。在过去二十年里，人们开发出了许多合成Co-P薄膜的方法例如单相、多相直流电镀法，直流溅射法，化学合成法等。但是，利用这些本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种Ｃｏ－Ｐ薄膜的制备方法，包括：分别制备电解液、钴片和基片；将多相脉冲电源的阳极与所述钴片连接，将多相脉冲电源的阴极与所述基片相连接，将所述钴片和基片浸没在所述电解液中；将含有所述钴片和基片的所述电解液放置在超声波振动器中，用所述超声波振动器和多相脉冲电源进行电镀。

【技术特征摘要】
1.一种Co-P薄膜的制备方法，包括分别制备电解液、钴片和基片；将多相脉冲电源的阳极与所述钴片连接，将多相脉冲电源的阴极与所述基片相连接， 将所述钴片和基片浸没在所述电解液中；将含有所述钴片和基片的所述电解液放置在超声波振动器中，用所述超声波振动器和多相脉冲电源进行电镀。2.如权利要求1所述的Co-P薄膜的制备方法，其特征在于，所述电解液成分包括 180-200g/L 的 CoCl2 · 6H20、l_3g/L 的 CoC03、l. 5_4g/L 的 H3PO4 和 1. 5_4g/L 的 Η3Ρ03。3.如权利要求1所述的Co-P薄膜的制备方法，其特征在于，所述电解液成分包括 180-200g/L 的 CoCl2 · 6H20、5_40g/L 的 CoC03、8_50g/L 的 H3PO4 和 8_30g/L 的 H3PO304.如权利要求1所述的Co-P薄膜的制备方法，其特征在于，所述电解液的pH值在 1. 10-1. 25 之间。5.如权利要求1所述的一种Co-P薄膜的制备方法，其特征在于，所述钴片的纯...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢年端，李亮亮，蔡坚，李燕秋，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11