晶圆喷洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提出的晶圆喷洗装置包括管道、与所述管道连通的转动轴、与所述转动轴连通的喷头以及启动元件，所述启动元件包括齿轮、马达以及驱动器，所述齿轮固定在所述转动轴的外壁上并与所述马达啮合，所述马达与所述驱动器连接，所述驱动器内包括方向控制元件。本实用新型专利技术提供的晶圆喷洗装置，扩大了喷头喷射的范围，有助于晶圆表面能够达到更好更全面的清洗效果。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种晶圆喷洗装置。
技术介绍
随着半导体产业的迅速发展，集成电路的制造以越来越小的线宽来加强集成电路功能、且降低单位使用的成本。然而，线宽的微小化使得微粒与集成电路交互作用引起的缺陷更加明显，微粒污染是超大规模集成电路良率不易提升的主要问题，晶圆的表面微粒去除技术为当前重要课题。晶圆制造工艺的每一个步骤，包括刻蚀、氧化、沉积、去光阻、以及化学机械研磨， 都是造成晶圆表面污染的来源，因而需要反复的清洗。晶圆清洗一般分为湿式法或干式法。 湿式法是利用溶剂、碱性溶液、酸性溶液、接口活性剂，混合纯水进行洗涤、氧化、浸蚀、及溶解等清洗方式；干式法则是利用高能量(热能、电能、放射能)产生化学反应进行表面清洁。例如在研磨工艺过程后，晶圆上会残留泥浆中所含的碱金属离子，如钾及钠离子， 以及过渡金属离子，如镍、铁、铜、锌等。这些金属离子除吸附在晶圆表面外，也可能因为研磨的应力(即晶面表面损伤)而扩散至晶圆的介质层(如氧化硅层)内。如前所述，以碱性(如氨水)水溶液清洗去除尘粒污染，会造成上述金属离子产生氢氧化物沉积，故在氨水清洗后伴随着稀释酸性水溶液清洗，借助轻微本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶圆喷洗装置，其特征在于，包括管道、与所述管道连通的转动轴、与所述转动轴连通的喷头以及启动元件，所述启动元件包括齿轮、马达以及驱动器，所述齿轮固定在所述转动轴的外壁上并与所述马达啮合，所述马达与所述驱动器连接，所述驱动器内设置有方向控制元件。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆喷洗装置，其特征在于，包括管道、与所述管道连通的转动轴、与所述转动轴连通的喷头以及启动元件，所述启动元件包括齿轮、马达以及驱动器，所述齿轮固定在所述转动轴的外壁上并与所述马达啮合，所述马达与所述驱动器连接，所述驱动器内设置有方向控制元件。2.如权利要求1所述的晶圆喷洗装置，其特征在于，所述转动轴的一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱建野，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31