【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种高压大功率三相整流全桥装置。
技术介绍
目前的高压大功率三相全桥,采用单沟刮涂法GPP芯片,同时采用多层铜板连接, 结构工艺复杂,生产成本高且产品的可靠性较低。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于针对上述存在的问题,提供一种高压大功率三相整流全桥装置。交流输入端1连接到陶基覆铜板上,通过陶基覆铜板上的铜布线连接到芯片 6,芯片6连接钼片6,再与连接条6相连,连接条6通过陶基覆铜板的布线再与直流输出负端相连。交流输入端1连接到陶基覆铜板上,通过陶基覆铜板上的铜布线连接到连接条3,连接条3连接钼片3,再与芯片3相连,芯片3通过陶基覆铜板的布线再与直流输出正端相连。交流输入端2连接到陶基覆铜板上,通过陶基覆铜板上的铜布线连接到芯片 4,芯片4连接钼片4,再与连接条4相连,连接条4通过陶基覆铜板的布线再与直流输出负端相连。交流输入端2连接到陶基覆铜板上,通过陶基覆铜板上的铜布线连接到连接条1, 连接条1连接钼片1,再与芯片1相连,芯片1通过陶基覆铜板的布线再与直流输出正端相连。交流输入端3连接到陶基覆铜板上,通过陶基覆铜板上的铜布线连接到芯片 5,芯片5连接钼片5,再与连接条5相连,连接条5通过陶基覆铜板的布线再与直流输出负端相连。交流输入端3连接到陶基覆铜板上,通过陶基覆铜板上的铜布线连接到连接条2, 连接条2连接钼片2,再与芯片2相连,芯片2通过陶基覆铜板的布线再与直流输出正端相连。1、通过采用不需要划玻璃的双沟芯片;双沟道芯片,划片时完全避开玻璃,不会因为机械应力问题导致玻璃破损。2、改进内部框架设计,提高产品的稳定性,设计如附图1。采用陶 ...
【技术保护点】
1.一种高压大功率三相整流全桥,其特征在于:交流输入端1(AC-1)连接到陶基覆铜板(B)上,通过所述陶基覆铜板(B)上的铜布线连接到芯片6(XIN-6),芯片6(XIN-6)连接钼片6(M6),再与连接条6(L6)相连,连接条6(L6)通过陶基覆铜板(B)的布线再与直流输出负端(DC-2)相连;所述交流输入端1(AC-1)连接到所述陶基覆铜板(B)上,通过所述陶基覆铜板(B)上的铜布线连接到连接条3(L3),连接条3(L3)连接钼片3(M3),再与芯片3(XIN-3)相连,芯片3(XIN-3)通过所述陶基覆铜板(B)的布线再与直流输出正端(DC-1)相连;交流输入端2(AC-2)连接到所述陶基覆铜板(B)上,通过陶基覆铜板(B)上的铜布线连接到芯片4(XIN-4),芯片4(XIN-4)连接钼片4(M4),再与连接条4(L4)相连,连接条4(L4)通过陶基覆铜板(B)的布线再与直流输出负端(DC-2)相连;交流输入端2(AC-2)连接到陶基覆铜板(B)上,通过陶基覆铜板(B)上的铜布线连接到连接条1(L1),连接条1(L1)连接钼片1(M1),再与芯片1(XIN-1)相连,芯片1(XI ...
【技术特征摘要】
1.一种高压大功率三相整流全桥,其特征在于交流输入端I(AC-I)连接到陶基覆铜板(B)上,通过所述陶基覆铜板(B)上的铜布线连接到芯片6(XIN-6),芯片6(XIN-6)连接钼片6 (M6),再与连接条6 (L6)相连,连接条6 (L6)通过陶基覆铜板(B)的布线再与直流输出负端(DC-2)相连;所述交流输入端I(AC-I)连接到所述陶基覆铜板(B)上,通过所述陶基覆铜板(B)上的铜布线连接到连接条3 (L3),连接条3 (L3)连接钼片3 (M3),再与芯片 3(XIN-3)相连,芯片3(XIN-3)通过所述陶基覆铜板(B)的布线再与直流输出正端(DC-I) 相连;交流输入端2(AC-2)连接到所述陶基覆铜板(B)上,通过陶基覆铜板(B)上的铜布线连接到芯片4(XIN-4),芯片4(XIN-4)连接钼片4 (M4),再与连接条4 (L4)相连,连接条 4(L4)通过陶基覆铜板(B)的布线再与直流输出负端(DC-2)相连;交流输入端2...
【专利技术属性】
技术研发人员:邱志述,梁鲁川,
申请(专利权)人:乐山无线电股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:51
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