【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在收纳具有荧光体层的阳极和释放电子的阴极的容器部的内面上形成有凹部、利用该凹部的空间在容器部内设置控制用IC的IC内置型荧光显示装置,特别涉及尽管有凹部的形成带来的容器部内容积的增大、也可使容器部内的真空度提高而达到较高的寿命的IC内置型荧光显示装置。
技术介绍
已知有在容器部内设置具有荧光体层的阳极和释放电子的阴极、从阴极释放电子而使其向荧光体射击、通过其发光而进行显示的荧光显示装置。作为具备这样的基本构造的荧光显示装置,已知有在阴极中使用灯丝而释放热电子的类型、及具备通过电场释放而释放电子的冷阴极的类型等,在冷阴极之中还已知有具备斯宾迪(Spindt)型的电子释放元件的结构、以及具备利用碳纳米管的电子释放元件的结构(特别将该类型的荧光显示装置称作碳纳米管场致发射显示器)。在这样的荧光显示装置中,一般在制造时使容器部的内部成为高真空状态,并且通常在容器部的内部设置吸附气体分子的吸气剂(getter)。在上述荧光显示装置中的、在阴极中使用灯丝的类型的荧光显示装置中,在其构造上,容器部的内容积较大,所以在容器部内设置在金属制的环状的容器内填充有吸气剂 ...
【技术保护点】
一种IC内置型荧光显示装置,具备:容器部;阳极,具备荧光体层并设在上述容器部的内面上;阴极,以与上述阳极相对置的方式设在上述容器部的内面上,并释放电子;凹部,形成在上述容器部的内面上;以及控制用IC,在上述容器部的内部中以与上述凹部相对应的方式配置;使从上述阴极释放的电子射击到上述荧光体层上而使其发光;其特征在于,在上述容器部的内部中设置有分隔壁,该分隔壁将上述容器部的内部划分为设有上述阳极及上述阴极的第1部分和设有上述凹部及上述IC的第2部分。
【技术特征摘要】
JP 2009-9-8 207049/20091.一种IC内置型荧光显示装置,具备:容器部;阳极,具备荧光体层并设在上述容器部的内面上;阴极,以与上述阳极相对置的方式设在上述容器部的内面上,并释放电子;凹部,形成在上述容器部的内面上;以及控制用IC,在上述容器部的内部中以与上述凹部相对应的方式配置;使从上述阴极释放的电子射击到上述荧光体层上而使其发光;其特征在于,在上述容器部的内部中设置有分隔壁,该分隔壁将上述容器部的内部划分为设有上述阳极及上述阴极的第1部分和设有上述凹部及上述IC的第2部分。2.如权利要求1所述的IC内置型荧光显示装置,其特征在于,将上述阴极或上述阳极中的一个与设在设有上述阴极或上述阳极中的另一个的一侧的上述容器部的内面上的上述IC相连接的...
【专利技术属性】
技术研发人员:高山定则,利根川武,横山三喜男,吉村智志,都仓勝司,森山武,
申请(专利权)人:双叶电子工业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP
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