光源装置以及框体的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于，提供一种光源装置以及框体的制造方法。该光源装置具有半导体激光器（ＬＤ）、ＬＥＤ、灯等的发光源、以及透镜、光纤等的传送、转印、会聚等的光学部件，将装置内的硫酸根离子量保持在低水准，由此，能够防止硫酸铵附着于光学部件。光源装置具有：光源，其出射光；光学部件，其对从光源出射的光进行处理；以及框体，其收纳光学部件或者安装光学部件，通过切削不含硫成分的材料来形成框体，所述材料露出于表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及防止光学部件白浊的。
技术介绍
作为现有的光源装置，具有利用光纤来传送从半导体激光元件出射的激光的光源 装置。为了将从半导体激光元件出射的激光导入到光纤中，首先通过光学透镜使从半导体 激光元件出射的激光成为平行光，通过具有与光纤特性(光纤直径、NA(数值孔径))一致的 适当焦距的聚光透镜对该平行光进行会聚，由此使其入射到光纤。这里，特别地，在紫外线 的波长区域(400nm以下)中，每一个光子的能量为相当于一般化学键程度的等级(order) (3eV以上)。这种短波长的光容易激励、分解空气中的杂质，因此，由光激励、分解后的杂质 附着于周边的光学部件，使透射率降低，造成入射到光学部件的激光的光学波面紊乱等的 不良影响。在工业方面最早大幅集中出现这种课题的是在所谓的大规模集成电路(超LSI) 的制造工序中导入的、在硅基板上转印细微的电路图案的曝光装置。在该装置中，对应于电 路图案的细微化，依次应用水银灯的i线(波长365nm)、KrF激光(波长248nm)、ArF激光 (波长193nm)和短波长的光源。这里，作为代表性的生成物，公知空气中极微量存在的二氧 化硫(SO2)、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光源装置，其特征在于，该光源装置具有：光源，其出射光；光学部件，其对从所述光源出射的光进行处理；以及框体，其收纳所述光学部件或者安装所述光学部件，所述框体是通过切削不含硫成分的材料而形成的，所述材料露出于表面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤行雄，矢部实透，吉原徹，中川康幸，黑川博志，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]