本发明专利技术是关于一种嵌入式芯片、电浆火炬及电浆加工装置，及亦即，提供一种能以高速度进行高质量的电浆加工的嵌入式芯片、电浆火炬及电浆加工装置。嵌入式芯片是具备于芯片１的上端面具容纳电极的开口且由该开口开始朝向芯片的下端面而延伸的复数电极配置空间１ａ、１ｂ、１ｃ，及分别连通至各电极配置空间而沿着直交于芯片中心轴的直径线以分布且朝向前述下端面的下方以打开的复数开口４ａ、４ｂ、４ｃ。又，具中央孔５，电极配置空间及开口４ａ、４ｂ是于以中心轴作为中心的圆周上，以等角度间距以分布，开口４ａ、４ｂ是对向于平行于直径线的熔接线而打开的喷嘴，或电极配置空间是包含分布于熔接方向ｙ的一直在线的前头电极配置空间１ａ、一以上的中间电极配置空间１ｂ及后尾端电极配置空间１ｃ。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种电浆火炬的嵌入式芯片、使用该嵌入式芯片的电浆火炬，及使 用该电浆火炬的电浆加工装置。
技术介绍
电浆火炬具配合熔接、厚壁、切断等的高热加工种类的各种形态。于专利文献1中 记载于电极棒10的前端正下方，由侧方开始送入线16，对于位处于电极棒前端下方的母材 (加工目标材)，进行电浆熔接、加热线形态的电浆熔接、电浆MIG熔接或电浆线厚壁的方 法。于专利文献2中记载由嵌入式芯片111中央的送线通孔，呈垂直地送出线153至下方 的母材，藉由平行于线以配置于该线的侧方的电极棒126，而将芯片111的下部的该送线通 孔打开的电浆孔113，喷射电浆，熔解线前端的电浆MIG熔接火炬。专利文献3中记载于中 心位置以配置电极棒的嵌入式芯片1的电浆喷嘴的下方，由侧方以送入线3的加热线形态 的电浆熔接方法及电浆线厚壁方法。专利文献4中记载朝向嵌入式芯片33的中心位置以 配置电极棒的电浆火炬的电浆形成的坑池，由该电浆火炬的侧方，传送供应成为消耗电极 的线39的电浆MIG熔接。专利文献5中记载通过嵌入式芯片9的电浆喷射喷嘴的上方且 配置于中心的有底筒状电浆电极8的成为中心孔的底孔及其下方的喷嘴电浆喷射喷嘴而 呈垂直地传送供应线至下方的母材，藉由电浆电极8生成的电浆而熔解该线的电浆MIG熔 接方法。专利文献6中记载改良藉由电浆键孔熔接所造成的键孔剖面形状的喷嘴形状。专 利文献7中记载相对于熔接线方向而直交于电极前端的排列以配置二电弧熔接火炬而形 成一熔融坑池且藉由各火炬所造成的同时共付熔接。专利文献8中记载于电弧熔接的瞄准 位置的前方0 2mm处的熔融坑池以照射雷射而进行键孔熔接的复合熔接方法(图100240025)。 专利文献9中记载以先行的第1雷射束进行非贯通熔接，藉由该非贯通 熔接形成的孔开口，对准焦点，以第2雷射束进行贯通(键孔)熔接的雷射熔接方法。先前技术文献专利文献专利文献1日本专利案特公昭39-15267号公报专利文献2日本专利案特开昭52-138038号公报专利文献3日本专利案特开昭53-31544号公报专利文献4日本专利案特表2006-519103号公报专利文献5日本专利案特开2008-229641号公报专利文献6日本专利案特开平8-10957号公报专利文献7日本专利案特开平6-155018号公报专利文献8日本专利案特开2004-298896号公报专利文献9日本专利案特开2008-126315号公报
技术实现思路
专利技术所欲解决的课题专利文献1 4中的任何一种熔接方法及电浆火炬是亦使用一电极棒及一条线，于形成于该电极棒及母材间的电浆流，由电极棒/母材间的侧方，传送供应线进行通电，因 此，藉由以线电流而产生的磁通量及以电浆电流而产生的磁通量的相互作用，产生磁性不 平衡。亦即，于比起线的更加上侧处(嵌入式芯片侧)及比起线的更加下侧处(母材侧)， 电浆电弧状态呈不同，在线侧的电浆是于离开线的方向，承受电弧力，线下侧的电浆是于接 近线的方向，承受电弧力。随着线前端熔融的摇动，而摇动电浆相对于母材的作用位置，因 此，电浆电弧呈不安定。专利文献5中于有底筒状电浆电极8的底孔的圆周边缘，集中电弧， 且集中点是往周围方向移动，因此，电浆仍然摇动，电浆电极8的底孔的圆周边缘及嵌入式 芯片9的喷嘴边缘的损耗及对熔融线的电浆电极8或对电浆喷嘴9的附着变激烈，无法维 持长时间安定的熔接作业。藉由习知的一火炬所造成的电浆电弧熔接的电浆电弧的横剖面是正如图18的 (a)所示的概略圆形。因于板厚未满3mm时，无法藉由电浆电弧而进行键孔熔接，而采用共 付熔接(热传导型熔接)，但即便共付熔接，亦于高速度化时，甲)发生咬边(undercut)， 乙)易发生由于宽幅焊珠所造成的高温破裂(图18的(b))，于高速熔接，电流是高电流而 成为宽幅电弧，因此，成为宽幅浅熔入的焊珠形状，于凝固时，易发生高温破裂。藉由习知的一火炬所造成的电浆电弧熔接，于以3 IOmm板厚使键孔熔接成为 高速化时，焊珠形状正如图18的(c)所示，形成中央部隆起的凸形状且边缘部下降的咬边 (undercut)，因此，不易高速化。亦藉由二条火炬而进行单一坑池高速化，但为成为单一坑 池，因此，必须大幅度地倾斜火炬间由于倾斜于相互拉引的电弧力所造成的磁吹(magnetic blow)，故，电弧易散乱、变不安定。本专利技术的目的是提供一种能以高速度以进行高质量的电浆加工的嵌入式芯片、电 浆火炬及电浆加工装置。用以解决课题的手段(1) 一种嵌入式芯片(1 图3、图14、图17、图22、图27)，是具备于芯片的上端面 具容纳电极的开口且由该开口开始朝向芯片的下端面而延伸的复数电极配置空间(la、lb、 lc)，及分别连通至各电极配置空间(la、lb、lc)，沿着直交于芯片中心轴的直径线分布且朝 前述下端面的下方而打开的复数开口(4a、4b、4c)。又，为易理解，因此于括号内例举显示于图式且于后叙述的实施例的对应要素或相当要素的记号，附记作为参考。于以下亦相同。专利技术的实施形态(2)又，前述⑴记载的嵌入式芯片(1 图3，图5)是尚具由前述的上端面贯通至下端面而同心于芯片中心轴的同芯中央孔(5)，前述复数电极配置空间(la、lb)是于以该 中央孔的中心轴作为中心的圆周上，以等角度的间距以分布，朝向前述下端面的下方而打 开的复数开口(4a、4b)是于以前述的中心轴作为中心的圆周上，以等角度的间距以布的复 数喷嘴(4a、4b)。若藉由该嵌入式芯片，则于通过各喷嘴(4a、4b 图5)而流动于插入至电极配置空 间(la、lb)的各电极(2a、2b)及加工目标材(16)的间的各电弧电流，分别感应的磁通量Ma、Mb的上部分是相互抵销，因此，下部分起作用，且藉由弗莱明(Fleming)左手定则而表 示的向上力起作用，电弧间是相互拉扯，成为稍微弯曲于上方的对称形。又，于以喷嘴(4a、 4b)及中央孔(5)的中心轴作为中心的圆周上，藉由等角度间距的分布，而于各力相同且以 中央孔(5)的中心轴作为中心的圆周上，以等角度的间距分布，因此，电浆的安定性变高。 亦即，并无由于磁吹(magnetic blow)而发生电弧的摇晃。于加工目标材(16)的附近，各 电弧电流是加算同一方向，感应合成磁通量Mc，因此，集中电弧的磁性压紧力变强，对于加 工目标材(16)的热收缩效果(能量密度)变高，并且作用位置无摇晃。(3)前述(2)记载的嵌入式芯片(1)是尚具备打开于连接于前述中央口(5)并正 对于加工目标材(16)的前端面，且直径大于前述中央口(5)的大径的扩大口(ld)，前述的 喷嘴(4a、4b)是于比起前述前端面的更加内侧处，打开前述的扩大口(Id)。若藉由该嵌入 式芯片，则流动于插入至电极配置空间(la、lb)的各电极(2a、2b)及加工目标材(16)的间 的各电弧电流是合流于嵌入式芯片的前端面(扩大口 Id的母材对向开口)的前后，因此， 电浆电弧间是能以最短的近距离合流，故，能缩小由于相互的磁性干涉而造成的电弧弯曲 变化，以安定的电弧提高加工精度。(4) 一种电浆火炬(图2)是具备前述(2)或(3)记载的嵌入式芯片(1)，及于该 嵌入式芯片(1)的于前述中央孔(5)处导引线(15)的导线件(13g、6)，及本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种嵌入式芯片，其特征为，具备于芯片的上端面具容纳电极的开口，且由该开口开始朝向芯片的下端面而延伸的复数电极配置空间，及分别连通至各电极配置空间而沿直交于芯片中心轴的直径线，以分布且朝向前述下端面的下方以打开的复数开口。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤茂，星野忠，奥山健二，
申请(专利权)人：日铁住金溶接工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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