电子器件、有机发光器件以及多层保护结构制造技术

提供了一种电子器件、有机发光器件和多层保护结构。所述电子器件包括基板，位于该基板上且通过堤岸层限定的像素，以及位于该像素上且由包括至少一个有机层的多层构成的多层保护膜。形成该多层保护膜的多层的第一有机层的厚度满足Ｔ≥ｋ×Ｈ×Ｗ，这里Ｔ表示第一有机层的厚度，Ｈ表示堤岸层的高度，ｋ是依据第一有机层的流动性和粘度而不同的常数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子器件。
技术介绍
电子器件包括用于保护电子器件不受外部物理和化学影响的各种保护单元。随着这些电子器件面积的增加，尝试着改善、修正或改变保护单元，从而解决由电 子器件面积增加引起的问题或者满足消费者的各种需求。但是，这些尝试不能解决问题或者满足这些需求。
技术实现思路
本专利技术的一方面是提供一种电子器件，其包括由提岸层限定的像素和设置在像素 上且具有至少一个有机层的多层保护膜。在一个方面，电子器件包括基板，位于基板上且由提岸层限定的像素，以及设置在 像素上且由包括至少一个有机层的多层构成的多层保护膜，其中构成多层保护膜的多层中 的第一有机层的厚度满足T > kXHXW，这里T表示第一有机层的厚度，H表示提岸层的高 度，k是依据第一有机层的可流动性和粘度而变化的常数。附图说明将参考以下附图详细描述本专利技术的实施方式，其中相似数字表示相似元件。图1是电子器件的截面图；图2是当图1中示出的电子器件对应于有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)实施 方式时，图1的区域A的放大截面图；图3是图2的区域B的放大截面图；图4是当图1中示出的电子器件对应于AMOLED时图1的区域A的平面图；图5A和5B示出了根据图2中示出的AMOLED的多层保护膜中每一层的厚度以及 有机发光层面积的可见性；图6A，6B和6C示出了图2中示出的有机发光器件的可见性，其在表2的条件(a)， (b)和(c)下确认；图7A示出了在表2的条件(a)，(b)和(c)下在特定方向上扫描象素以测量多层 保护膜厚度的工艺；图7B是示出当根据图7A中所示工艺测量多层保护膜厚度时获得的结果的图；图7C是示出通过在表2的条件(a)，(b)和(c)下观察图2中示出的AMOLED的提 岸层和有机发光层的厚度变化所获得结果的图8是当图1中示出的电子器件对应于AMOLED的另一实施方式时图1的区域A 的放大截面图；图9是图8中示出的区域C的放大平面图；图10，11和12是电子器件的另一实施方式的二极管和多层保护膜的截面图；图13和14是有机发光器件的另一实施方式的截面图。具体实施例方式以下，将参考附图详细描述本专利技术的实施方式。图1是电子器件100的实施方式的截面图。参考图1，电子器件100包括基板110，像素120，和多层保护膜130。电子器件100可以是显示器件，发光器件，半导体器件，电池等。显示器件可以是 有机电子器件，诸如有机发光二极管(OLED)，有机太阳能电池，有机光接收(OPC)鼓，有机 晶体管(有机TFT)，光电二极管，有机激光器，激光二极管等。发光器件可以是无机电子器 件，诸如发光二极管(LED)。电池可以是诸如硅太阳能电池等太阳能电池，使用诸如化合物半导体(CIGS， CdTe, GaAs等)等无机材料的无机太阳能电池，以及具有一部分有机材料或者整个都是有 机材料的有机太阳能电池。而且，电池可以是一次电池和二次电池，诸如固体电解质电池， 空气电池，可逆式电池，伽伐尼电池，光化学电池，铅蓄电池，蓄电池，浓差电池，锰干电池， 汞电池，燃料电池，层叠式干电池，重铭酸电池，锂聚合物电池等。基板10用于形成像素120且可具有高机械强度或尺寸稳定性。基板110的材料 可包括玻璃板，金属板，陶瓷板和塑料板(由聚碳酸酯树脂，丙烯酸树脂，聚氯乙烯，聚酰亚 胺树脂，聚酯树脂，环氧树脂，硅树脂或氟树脂制成)。但是，基板110的材料不限于此。基 板110可以是柔性的。柔性基板110可用于柔性电子器件。像素120位于基板110上。像素120可具有根据电子器件100的类型的结构和配 置。例如，当电子器件100是显示器件时，像素120可是发光元件，而当电子器件100是太 阳能电池时，像素120可是光接收元件。多层保护膜130覆盖像素120，并包括叠置的至少一个有机层、以及无机层和吸湿 层中的至少一个。多层保护膜130可以按照有机层和无机层交替叠置的方式形成。作为电子器件100的一个实例，将说明有机发光器件。但是，本专利技术原理不限于 此，且可用于任何电子器件，诸如LED、有机太阳能电池和二次电池。用于有机发光显示器的有机发光器件是自发射器件，其具有在设置于基板上的两 个电极之间形成的发射层。根据有机发光显示器发光的方向，有机发光显示器可分成顶发 射型，底发射型和双侧发射型。而且，根据有机发光显示器的驱动方法，有机发光显示器可 分成无源矩阵型和有源矩阵型。有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)包括开关晶体管，驱动晶体管，电容器，阳 极，有机发射层和阴极。作为电子器件100的一个实例，现在将参考图2和3说明用于有机发光器件的 AMOLED 200。图2是图1的区域A的放大截面图，其示出了一部分AMOLED 200，图3是图2的区域B的放大截面图，图4是图1的区域A的平面图。参考图2、3和4，AMOLED 200包括基板210，像素220和多层保护膜230。像素220 包括晶体管220a和OLED 220b。形成在基板210上的晶体管220a包括缓冲层221，栅极222，第一绝缘层223，有源 层224，源极22 ，漏极225b，和第二绝缘层226。缓冲层221可设置在基板110上。可形成缓冲层221以保护薄膜晶体管，将通过 随后的工艺由从基板210放电出的杂质诸如碱性离子来形成该薄膜晶体管。缓冲层221可 使用氧化硅(SiO2),氮化硅(SiNx)等。栅极222可设置在缓冲层221上。栅极222可由选自包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、 Nd和Cu或者这些材料的合金构成的组中的一种形成。而且，栅极222可是由选自包括Mo、 Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu或者这些材料的合金构成的组中选出的一种形成的多层。此夕卜， 栅极222可以是Mo/Al-Nd或Mo/Al的双层。第一绝缘层223可设置在栅极222上。第一绝缘层223可由氧化硅(SiOx)、氮化 硅(SiNx)、或氧化硅和氮化硅的多层形成。但是，第一绝缘层223的材料不限于此。有源层2M可位于第一绝缘层223上。有源层2M可包括非晶硅或多晶硅。有源 层2M可包括沟道区(未示出)，源极区(未示出)和漏极区(未示出)，且源极区和漏极 区可掺杂有P型或N型杂质。而且，有源层2M可包括用于降低接触电阻的欧姆接触层。源极22 和漏极225b可形成在有源层2M上。源极22 和漏极22 可以单层或多层的形式形成。当源极22 和漏极22 形 成为单层时，源极22 和漏极225b可由选自包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu或者这 些材料的合金的组的一种形成。当源极22 和漏极2 形成为多层时，源极22 和漏极 225b可以是Mo/Al-Nd的双层或者是Mo/Al/Mo或Mo/Al_Nd/Mo的三层。第二绝缘层2 可以位于源极22 和漏极22 上。尽管第二绝缘层2 是氧化 硅(SiOx)层，氮化硅(SiNx)层，或者是SiOj^n SiNx的多层，但是第二绝缘层2 不限于此。 第二绝缘层2 可以是钝化层。作为形成在基板210上的晶体管220a的一个实例，说明了底栅型晶体管。现在将说明位于晶体管220a上的OLED 220b。OLED 220b包括第一电极227，第二 电极2 和有机发射层228本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种电子器件，包括：基板；位于所述基板上且通过堤岸层限定的像素；和被设置在所述像素上且由包括至少一个有机层的多层构成的多层保护膜；其中，构成所述多层保护膜的多层中的第一有机层的厚度满足Ｔ≥ｋ×Ｈ×Ｗ，其中Ｔ表示所述第一有机层的厚度，Ｈ表示所述堤岸层的高度，ｋ是依据所述第一有机层的流动性或粘度而不同的常数。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：全爱暻，李在允，李钟均，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]