【技术实现步骤摘要】
本技术涉及集成电路封装领域，具体地说是一种抗瞬间电气过载的球栅阵列 式集成电路封装块，尤其是一种能抑制静电放电损害的球栅阵列式集成电路封装块。
技术介绍
随着信息时代的到来，电子产品的总趋势是小型化，高频化。电路设计者采用了复 合的超大规模集成电路(VLSI)及新的IC技术。然而，使用这些技术使得电子设备更易招 受瞬间电气过载(EOS)的损伤，如静电放电(ESD)、电气快瞬变及闪电感应等。上述这些对 电子元件，特别是高密度集成块电子元件，有极大的威胁。由于瞬间电气过载现象会导致局 部热产生，高电流密度，高电场强度，以致会导致集成电路块失效，如半导体元件烧毁，或者 导致电子干扰，如失去转递和储存的数据等。其中，静电放电(ESD)是电子产品在装配、使 用过程中的一种最常见的瞬间电气过载现象。ESD是一种快速，低能量，峰值压电极高的能 量形式。对电子元件，特别是高密度集成块电子元件，有极大的威胁。便携式电子产品尤其 容易受到人体接触产生的ESD的损坏。静电危害造成了相当严重的后果和损失。它曾造成 全球电子工业每年的直接经济损失达上百亿美元。而潜在的损失，如在航天工业，...
【技术保护点】
抗瞬间电气过载的球栅阵列式集成电路封装块，包括集成电路芯片、引线基板、引线焊盘和焊球，其特征在于：在引线基板底部设有抗瞬间电气过载部件，所述焊球分别与抗瞬间电气过载部件和引线焊盘相连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曾昭华，雷华敏，蔡峰，
申请(专利权)人：武汉普力玛新材料技术有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：83[中国|武汉]
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