【技术实现步骤摘要】
本技术涉及斩波电流中功率开关元件与滤波电路的安装结构。
技术介绍
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅极型功率管,即功率开关元 件,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式 电力电子器件。随着电力电子技术的发展,这种大功率开关元件运用越来越广泛。而IGBT 的输入母线、输入滤波电容的安装位置及IGBT的驱动电路板的安装位置对IGBT的正常使 用有非常大的影响。现有技术中通常是将整流后的两根电源线直接接在任一滤波电容的接 线柱上,并且驱动电路板与主控制板是一体的,没单独安装在IGBT上,而是用引线的方式 连接IGBT的驱动极,这种安装结构会导致IGBT开通关断的峰值电压高,使IGBT容易损坏 失效。
技术实现思路
本技术提供一种新型功率开关元件与滤波电路的安装结构,能保护大功率开 关元件(IGBT)的正常使用,延长IGBT的使用期限。本技术的目的是通过以下技术方案来实现一种功率开关元件与滤波电路的安装结构,包括输入电源线、滤波电容、铜排、功 率开关元件和驱动电路,其中功率开关元件通过铜排与滤波电容的电极相连;输入电源线 连接在铜排上并位于滤波电容之间;驱动电路直接与功率开关元件的栅极连接。本技术所述的功率开关元件与滤波电路的安装结构的有益效果是采取了新 型安装连接结构,将功率开关元件与滤波电容通过铜排连接,同时将驱动电路直接设置在 功率开关元件的栅极上,从而减少了连线造成的电感电容,降低了功率开关元件开通关断 的峰值电压,保证了功率开关元件的正常使用,延长了功率开关元件的 ...
【技术保护点】
一种功率开关元件与滤波电路的安装结构,包括输入电源线、滤波电容、铜排、功率开关元件和驱动电路,其特征在于:功率开关元件通过铜排与滤波电容的电极相连;输入电源线连接在铜排上并位于滤波电容之间;驱动电路直接与功率开关元件的栅极连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:黄德华,毛文生,
申请(专利权)人:成都熊谷加世电器有限公司,
类型:实用新型
国别省市:90[中国|成都]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。