【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种太阳电池，具体涉及一种晶体硅太阳电池的正面电极结 构，属于太阳能应用
技术介绍
目前，常规能源的持续使用带来了能源紧缺以及环境恶化等一系列经济和社会 问题，发展太阳能电池是解决上述问题的途经之一。因此，世界各国都在积极开发太 阳电池，而高转换效率、低成本是太阳电池发展的主要趋势，也是技术研究者追求的目 标。现有的制造晶体硅太阳电池的制造流程为表面清洗及织构化、扩散、清洗刻 蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。这种商业化晶体硅电池制 造技术相对简单、成本较低，适合工业化、自动化生产，因而得到了广泛应用。其中， 丝网印刷用于制备电极，N电极位于晶体硅电池的正面，P电极位于晶体硅电池的背面； 现有的丝网印刷的正面电极结构如附图1所示，包括设于晶体硅片正面的两条主栅线3和 若干条垂直于主栅线的细栅线4，形成晶体硅电池的N电极；其背面P电极结构一般包括 2条印刷于硅片背面的银导体条，形成P电极，N、P电极均需用焊带引出，从而形成晶 体硅太阳电池的互连。然而，上述结构的晶体硅太阳电池存在如下问题由于晶体硅片正面的两条主 栅线的长度几...
【技术保护点】
一种晶体硅太阳电池的正面电极结构，包括晶体硅片，其特征在于：所述晶体硅片的正面设有至少２个电流收集单元，所述电流收集单元包括电流收集点（１）和收集栅线（２）；所述晶体硅片的电流收集点处设有通孔，通孔内设有银浆，银浆的一端与晶体硅电池正面的电流收集单元连接，另一端构成电池背面的Ｎ电极连接点。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：章灵军，王栩生，王立建，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯中国投资有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32
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