高效晶体硅太阳能电池结构及其制造方法技术

本发明专利技术属于太阳能电池的制造技术，涉及一种高效晶体硅太阳能电池结构及其制造方法。该结构包括有硅片，硅片正面具有减反射层，背面具有铝背场；通过丝网印刷形成的负极主栅线位于硅片正面，正极主栅线位于硅片背面，用于收集载流子的负极副栅线也位于硅片背面；与负极副栅线对应的位置，开有贯通硅片正面和背面的通孔，使负极副栅线与硅片正面相通；在负极主栅线与负极副栅线之间的硅片基体上还开有连接孔，连接孔中充满银浆，使位于硅片正面的负极主栅线与位于硅片背面的负极副栅线导电连接。本发明专利技术既可提高电池片效率，又能实现组件封装与正负极分别位于电池片两面的焊接封装设备相兼容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池的制造技术，涉及一种。
技术介绍
传统的晶体硅太阳能电池结构中，用于收集载流子的副栅线在电池片正面，使正面增加了约7% 8%左右遮光面积，造成了电池片的短路电流(Isc)较低，效率提升受到此影响。通常的解决方法是设法提高副栅线的高宽比，这会对网版，印刷工艺和银浆提出了更高的要求；或者采用两次印刷工艺，这样对设备对准精度和网版的变形又提出了更高的要求，增加了制造难度。为提高晶体硅电池转换效率，目前研究比较多的技术就是背接触技术，该技术主要特点是将位于正面的主栅线和副栅线引到电池片的背面，从而达到减少遮光面积，提高短路电流的目的。在这其中比较有代表性的技术有MWT(Metallization Wrap Though)和 EffT( Emitter Wrap Though)技术.EWT技术电池片正面完全没有金属栅线，而是通过贯穿硅片的孔将收集的载流子传导到背面的电极上。因EWT的PN结在正面和背面都有分布， 因此载流子输运较短的距离就可以被收集。MWT技术也是采用激光穿孔工艺，不过其正面还是有金属副栅线，载流子通过表面的金属副栅线收集后汇集在副栅线的几个结点上，再本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种高效晶体硅太阳电池结构，包括有硅片（１），硅片正面具有减反射层（２），背面具有铝背场（３）；通过丝网印刷形成的负极主栅线（４）位于硅片正面，正极主栅线（５）位于硅片背面，其特征是：用于收集载流子的负极副栅线（６）也位于硅片背面；与负极副栅线（６）对应的位置，开有贯通硅片正面和背面的通孔（７），使负极副栅线与硅片正面相通；在负极主栅线（４）与负极副栅线（６）之间的硅片基体上还开有连接孔（８），连接孔中充满银浆（９），使负极主栅线与负极副栅线导电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋维楠，
申请(专利权)人：镇江大全太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：32