一种多赫蒂功放装置及功率放大方法制造方法及图纸

技术编号:6167611 阅读:291 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种多赫蒂功放装置及功率放大方法,本装置包括峰值功放装置,所述峰值功放装置用于采用高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行信号功率放大。采用本发明专利技术,与现有的主功放和辅助功放均采用LDMOS的Doherty功放相比,可使整个Doherty功放的功放效率得到大幅提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及射频功率放大器设计
,尤其涉及。
技术介绍
面对目前日益激烈的市场竞争,基站产品的效率高低已经成为行业竞争的重要参考点,基站中对决定效率的主要部件即功放器件的效率提升也成为了核心点,业界纷纷投入人力物力进行效率提升技术的研究,目前最为广泛应用技术中包括多赫蒂(Doherty)技术,功放厂家都已开始批量生产和应用Doherty功放,如何在该技术上进一步提高效率也显得尤为重要。Doherty技术最初应用于行波管,为广播提供大功率发射机,其架构简单易行,效率高。传统的Doherty结构由2个功放组成一个主功放,一个辅助功放,主功放工作在 B类或者AB类,辅助功放工作在C类。两个功放不是轮流工作,而是主功放一直工作,辅助功放到设定的峰值才工作(所以辅助功放也称为峰值功放)。主功放输出端后的90度四分之一波长线起到阻抗变换的作用,目的是在辅助功放工作时,起到将主功放的视在阻抗减小的作用,保证辅助功放工作的时候和后续电路组成的有源负载阻抗变低,这样主功放输出电流就变大。由于主功放输出端后的四分之一波长线,为了使两个功放输出同相,在辅助功放前面也需要90°相移,如图1所示。主本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多赫蒂功放装置,包括峰值功放装置,其特征在于,所述峰值功放装置,用于采用高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行信号功率放大。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:段斌崔晓俊陈化璋刘建利
申请(专利权)人:中兴通讯股份有限公司
类型:发明
国别省市:94

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