一种大功率功放电路及其软启动电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种大功率功放电路及其软启动电路，通过晶体管的发射极在大功率功放电路上电开机时接收所述大功率功放电路的直流偏置信号，并对该直流偏置信号进行旁路；充电信号通过第一电阻为第一电容进行充电，随着所述第一电容上的电压逐渐建立，所述晶体管的基极电压逐渐升高，所述晶体管发射极和集电极之间对所述直流偏置信号的导通量逐渐减小，直至所述晶体管完全截止，所述直流偏置信号流入所述大功率功放电路，使得所述大功率功放电实现软启动，缓解在所述大功率功放电路上电开机时的电源供电压力。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电力电子
，特别涉及一种大功率功放电路及其软启动电路。
技术介绍
当前的大功率功放电路通常有容量非常大的储能电容，且通常在上电开机的瞬间，末级功率放大电路就启动，其静态工作电流就成为负载电流，需要电源来提供。因此，该储能电容的充电电流和负载电流需要同时提供，在短时间内对电源造成非常大的压力。可能因此导致电源过载保护、保险器件动作、整流桥击穿等恶劣后果。
技术实现思路
本技术提供一种大功率功放电路及其软启动电路，实现功放电路的软启动，缓解在大功率功放电路上电开机时的电源供电压力。为实现所述目的，本申请提供的技术方案如下：一种大功率功放电路的软启动电路，包括：第一电阻、第一电容及晶体管；其中：所述第一电阻的一端接收充电信号；所述第一电阻的另一端、所述第一电容的一端及所述晶体管的基极相连；所述晶体管的集电极与所述第一电容的另一端相连；所述晶体管的发射极在大功率功放电路上电开机时接收所述大功率功放电路的直流偏置信号。优选的，所述第一电阻为分时电阻。优选的，所述第一电容为分时电容。优选的，所述晶体管为MOSFET晶体管。一种大功率功放电路，包括：第二电阻、第三电阻、第四电阻、功率放大管及上述任一所述的大功率功放电路的软启动电路；其中：所述第二电阻的一端接收交流信号与直流偏置信号；所述第二电阻的另一端与所述第三电阻的一端及所述晶体管的发射极相连；所述第三电阻的另一端与所述功率放大管的栅极相连；所述功率放大管的源级与所述晶体管的集电极相连；所述功率放大管的漏极与所述第四电阻的一端相连，连接点输出放大信号；所述第四电阻的另一端与电源相连。本技术提供的所述大功率功放电路的软启动电路，通过晶体管的发射极在大功率功放电路上电开机时接收所述大功率功放电路的直流偏置信号，并对该直流偏置信号进行旁路；充电信号通过第一电阻为第一电容进行充电，随着所述第一电容上的电压逐渐建立，所述晶体管的基极电压逐渐升高，所述晶体管发射极和集电极之间对所述直流偏置信号的导通量逐渐减小，直至所述晶体管完全截止，所述直流偏置信号流入所述大功率功放电路，使得所述大功率功放电实现软启动，缓解在所述大功率功放电路上电开机时的电源供电压力。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术内的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述内的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术实施例提供的大功率功放电路的结构示意图。具体实施方式为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。本技术提供一种大功率功放电路的软启动电路，实现功放电路的软启动，缓解在大功率功放电路上电开机时的电源供电压力。具体的，所述大功率功放电路的软启动电路，如图1所示，包括：第一电阻R1、第一电容C1及晶体管Q1；其中：第一电阻R1的一端接收充电信号；第一电阻R1的另一端、第一电容C1的一端及晶体管Q1的基极相连；晶体管Q1的集电极与第一电容C1的另一端相连；晶体管Q1的发射极在大功率功放电路上电开机时接收所述大功率功放电路的直流偏置信号。具体的工作原理为：在所述大功率功放电路上电开机瞬间，晶体管Q1的基极电压为零，晶体管Q1的发射极接收所述大功率功放电路的直流偏置信号，此时晶体管Q1处于导通状态，晶体管Q1对该直流偏置信号进行旁路。之后，所述充电信号通过第一电阻R1为第一电容C1进行充电，随着第一电容C1上的电压逐渐建立，晶体管Q1的基极电压从零开始逐渐升高；使得晶体管Q1发射极和集电极之间所述直流偏置信号的导通量逐渐减小，所述直流偏置信号逐渐流入所述大功率功放电路；直至晶体管Q1完全截止，所述直流偏置信号才完全流入所述大功率功放电路，进而使得所述大功率功放电实现软启动。本实施例提供的所述大功率功放电路的软启动电路，通过上述原理使得所述大功率功放电实现软启动，无需在在所述大功率功放电路上电开机瞬间即同时提供所述大功率功放电路中储能电容的充电电流和其负载电流(也即大功率功放管的直流工作点偏置电流)，可以缓解在所述大功率功放电路上电开机时的电源供电压力，能够大幅提升所述大功率功放电路中电源系统的寿命和可靠性，并降低开机时对电网的冲击。在本技术另一具体的实施例中，在图1的基础之上，优选的，第一电阻R1为分时电阻；第一电容C1为分时电容。优选的，晶体管Q1为MOSFET晶体管。由于晶体管Q1的控制级是由第一电阻R1和第一电容C1组成的RC充电电路，晶体管Q1对所述直流偏置信号进行分流的量是连续、逐渐减小的，所以软启动过程是连续的；另外，第一电阻R1为分时电阻，第一电容C1为分时电容，通过改变第一电阻R1与第一电容C1构成的时间常数，使得软启动的速度可调。本技术另一实施例还提供了一种大功率功放电路，如图1所示，包括：第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、功率放大管Q2及权利要求1至4任一所述的大功率功放电路的软启动电路101；其中：第二电阻R2的一端接收交流信号与所述直流偏置信号；第二电阻R2的另一端与第三电阻R3的一端及晶体管Q1的发射极相连；第三电阻R3的另一端与功率放大管Q2的栅极相连；功率放大管Q2的源级与晶体管Q1的集电极相连；功率放大管Q2的漏极与第四电阻R4的一端相连，连接点输出放大信号；第四电阻R4的另一端与电源相连。大功率功放电路的软启动电路101包括：第一电阻R1、第一电容C1及晶体管Q1；其中：第一电阻R1的一端接收充电信号；第一电阻R1的另一端与第一电容C1的一端和晶体管Q1的基极相连；晶体管Q1的集电极与第一电容C1的另一端相连；晶体管Q1的发射极在所述大功率功放电路上电开机时接收所述大功率功放电路的直流偏置信号。具体的工作原理为：第二电阻R2接收所述交流信号与所述直流偏置信号的前端电路为小功率电路，其进入稳态的时间很快，可以忽略不计。所述直流偏置信号建立好后本应通过第二电阻R2和第三电阻R3输出至功率放大管Q2的栅极。但是在所述大功率功放电路上电开机瞬间，晶体管Q1的基极电压为零，所述直流偏置信号输入给功率放大管Q2时，被晶体管Q1旁路，晶体管Q1的发射极接收所述直流偏置信号。之后，所述充电信号通过第一电阻R1为第一电容C1进行充电，随着第一电容C1上的电压逐渐建立，晶体管Q1的基极电压从零开始逐渐升高；使得晶体管Q1发射极和集电极之间所述直流偏置信号的导通量逐渐减小，所述直流偏置信号逐渐通过第三电阻R3流入功率放大管Q2的栅极；功率放大管Q2的栅极得到的信号电平渐渐升高，功率放大管Q2的漏-源偏置电流也随之渐渐加大。当第一电容C1上的电压被所述充电信号充到足够高，使得晶体管Q1完全夹断时，功率放大管Q2进入稳态工作；至此晶体管Q1不再分流，不会影响所述直流偏置信号传递给功率放大管Q2，实现了所述大功率功放电路的开机软启动。本实施例提供的所述大功率功放电路，在所述大功率功放电路开机时，通过大功率功放电路的软启动电路101对功率放大管Q2的直流偏置信号进行旁路，然后缓慢的减小旁路的量，从而使功率放大管Q2的直流偏置信本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率功放电路的软启动电路，其特征在于，包括：第一电阻、第一电容及晶体管；其中：所述第一电阻的一端接收充电信号；所述第一电阻的另一端、所述第一电容的一端及所述晶体管的基极相连；所述晶体管的集电极与所述第一电容的另一端相连；所述晶体管的发射极在大功率功放电路上电开机时接收所述大功率功放电路的直流偏置信号。

【技术特征摘要】
1.一种大功率功放电路的软启动电路，其特征在于，包括：第一电阻、第一电容及晶体管；其中：所述第一电阻的一端接收充电信号；所述第一电阻的另一端、所述第一电容的一端及所述晶体管的基极相连；所述晶体管的集电极与所述第一电容的另一端相连；所述晶体管的发射极在大功率功放电路上电开机时接收所述大功率功放电路的直流偏置信号。2.根据权利要求1所述的大功率功放电路的软启动电路，其特征在于，所述第一电阻为分时电阻。3.根据权利要求1所述的大功率功放电路的软启动电路，其特征在于，所述第一电容为分时电容。4.根据权利要求1所述的大...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭景希，
申请(专利权)人：杭州哈飞智慧科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33