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本发明公开了一种多赫蒂功放装置及功率放大方法，本装置包括峰值功放装置，所述峰值功放装置用于采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件进行信号功率放大。采用本发明，与现有的主功放和辅助功放均采用LDMOS的Doherty功放相比，可使整个Dohe...
该专利属于中兴通讯股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中兴通讯股份有限公司授权不得商用。

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