一种功率放大管以及功率放大方法技术

本发明专利技术公开了一种功率放大管以及功率放大方法，本功率放大管包括峰值功放器和主功放器，所述峰值功放器和主功放器均集成所述功率放大管所在的同一封装；所述功率放大管中峰值功放器和主功放器中的一个或多个放大器用于采用高压异质结双极晶体管（HVHBT）器件进行信号功率放大，其它放大器用于采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件进行信号功率放大。本发明专利技术应用于Doherty放大器，采用突破性的全新功放管芯组合方式设计功率管，与现有的全部采用LDMOS的功放管芯的Doherty放大器相比，可在保证功率放大管的小体积基础上实现高效率的功率放大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及射频功率放大器设计
，尤其涉及。
技术介绍
随着移动通讯业务的快速增长，对相应器件的低耗、高效、小体积的性能要求也迅速增加，基站产品的效率高低、体积大小已经成为行业竞争的焦点，基站中对决定效率的主要部件即功放器件的效率提升也成为了核心点，射频功率放大器广泛用于各种无线发射设备中，效率和线性是功率放大器两个最重要的指标，设计线性高效率的功率放大器，是目前该领域研究的热点和难点。多赫蒂 (Doherty)放大器技术是目前提高功率放大器效率中最有效和最广泛使用的技术。Doherty技术最初应用于行波管，为广播提供大功率发射机，其架构简单易行，效率高。传统的Doherty结构由2个功放组成一个主功放(Carrier放大器)，一个辅助功放，主功放工作在B类或者AB类，辅助功放工作在C类。两个功放不是轮流工作，而是主功放一直工作，辅助功放到设定的峰值才工作(所以辅助功放也称为峰值功放)。主功放输出端后的90度四分之一波长线起到阻抗变换的作用，目的是在辅助功放工作时，起到将主功放的视在阻抗减小的作用，保证辅助功放工作的时候和后续电路组成的有源负载阻抗变低，这样主功放输出电流就变大。由于主功放输出端后的四分之一波长线，为了使两个功放输出同相，在辅助功放前面也需要90°相移，如图1所示。主功放工作在B类，当总的输入信号比较小时，只有主功放处于工作状态；当主功放管的输出电压达到峰值饱和点时，理论上的功放效率能达到78. 5%。如果这时将激励加大一倍，那么，主功放管在达到峰值的一半时就出现饱和了，功放效率也达到最大的 78.5%，此时辅助功放也开始与主功放一起工作。辅助功放的引入，使得从主功放的角度看，负载减小了，因为辅助功放对负载的作用相当于串连了一个负阻抗，所以，即使主功放的输出电压饱和恒定，但输出功率因为负载的减小却持续增大(流过负载的电流变大了)。 当达到激励的峰值时，辅助功放也达到了本身效率的最大点，这样两个功放合在一起的效率就远远高于单个B类功放的效率。单个B类功放的最大效率78. 5%出现在峰值处，现在 78. 5%的效率在峰值的一半就出现了，所以这种系统结构能达到很高的效率(每个放大器均达到最大的输出效率)。传统的Doherty放大器由两只同一类型且独立封装的功放管来分别作为主放大器和峰值放大器组合实现，目前业界采用最多的是横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide kmiconductor，简称LDMOS)功放管。采用同一类型的功放管，其供电电压及偏置方式相同，因此偏置电路设计简单；由于各功放管为同一类型，其批量生产的离散也相对容易控制。但两只独立封装的功放管设计布局面积较大，已远远不能满足小体积的要求。针对这一现状，各功放管厂家都纷纷投入大量研究，研发出了针对Doherty技术的高效率、小体积应用的功放管，例如Freescale的双端器件，如图2所示。此类器件在一个封装中集成了两个独立的功放管(目前均为LDMOS功放管芯，可分别作为Doherty放大器的 Carrier放大器和Peak放大器使用，其内部结构如图3所示)，可灵活实现小体积的Doherty 放大器，但由于采用的仍然是LDMOS功放管，而LDMOS器件已经发展到第八代，虽然其成本低廉，性能的提升空间却非常有限，已远远不能满足绿色环保要求。因此，如何针对Doherty 应用来设计小体积且高效率的功放管是需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供，在保证功率放大管的小体积基础上实现高效率的功率放大。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种功率放大管，应用于多赫蒂功放装置， 所述功率放大管包括峰值功放器和主功放器，所述峰值功放器和主功放器均集成所述功率放大管所在的同一封装；所述功率放大管中峰值功放器和主功放器中的一个或多个放大器用于采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件进行信号功率放大，其它放大器用于采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件进行信号功率放大。进一步地，上述功率放大管还可以具有以下特点所述功率放大管为双路结构放大管时，峰值功放器用于采用高压异质结双极晶体管 (HVHBT)器件并且主功放器用于采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件，或者，峰值功放器用于采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件并且主功放器用于采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件。进一步地，上述功率放大管还可以具有以下特点所述功率放大管为多路结构放大管时，一个或多个峰值功放器用于采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件并且其它峰值功放器以及主功放器用于采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件，或者，主功放器用于采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件并且峰值功放器用于采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件，或者，主功放器以及一个或多个峰值功放器用于采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件并且其它峰值功放器用于采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。进一步地，上述功率放大管还可以具有以下特点所述高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件是基于砷化镓(GaAs)的器件。为了解决上述技术问题，本专利技术还提供了一种功率放大方法，包括将峰值功放器和主功放器集成功率放大管所在的同一封装；所述功率放大管的峰值功放器和主功放器中的一个或多个放大器采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件进行信号功率放大，其它放大器采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件进行信号功率放大。进一步地，上述方法还可以具有以下特点所述功率放大管为双路结构放大管时，峰值功放器采用高压异质结双极晶体管 (HVHBT)器件并且主功放器采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件，或者，峰值功放器采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件并且主功放器采用高压异质结双极晶体管 (HVHBT)器件。进一步地，上述方法还可以具有以下特点所述功率放大管为多路结构放大管时，一个或多个峰值功放器采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件并且其它峰值功放器以及主功放器采用横向扩散金属氧化物半导体 (LDMOS)器件，或者，主功放器采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件并且峰值功放器采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件，或者，主功放器以及一个或多个峰值功放器采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件并且其它峰值功放器采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。进一步地，上述方法还可以具有以下特点所述高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件是基于砷化镓(GaAs)的器件。进一步地，上述方法还可以具有以下特点根据功率放大管的功放参数选择所述高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件和所述横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。本专利技术应用于Doherty放大器，采用突破性的全新功放管芯组合方式设计功率管，与现有的全部采用LDMOS的功放管芯的Doherty放大器相比，可在保证功率放大管的小体积基础上实现高效率的功率放大。由于基于GaAs的HVHBT较LDMOS成本高2_3倍，因此本专利技术与功放管芯全部采用HVHBT实现的功放管相比，在性能提升的同时成本也会下降。附图说明图1为本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种功率放大管，应用于多赫蒂功放装置，所述功率放大管包括峰值功放器和主功放器，其特征在于，所述峰值功放器和主功放器均集成所述功率放大管所在的同一封装；所述功率放大管中峰值功放器和主功放器中的一个或多个放大器用于采用高压异质结双极晶体管（ＨＶＨＢＴ）器件进行信号功率放大，其它放大器用于采用横向扩散金属氧化物半导体（ＬＤＭＯＳ）器件进行信号功率放大。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何钢，陈化璋，崔晓俊，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94