A semiconductor device includes an insulating substrate; a first metal plate, the first surface bonded to the insulating substrate; a semiconductor element bonded to the first metal plate; second metal plates bonded to the surface of the insulating substrate second; and the heat sink, for cooling the semiconductor element, the heat sink comprises a shell part and in a room housing portion, partition walls define a plurality of cooling medium channel, housing portion having a surface facing the second plates, each interval includes a first end wall face second metal plate and the first end at the end of second at the end of the anti partition partition, including the first and second in the next door. The first and the second, at least one or more of the first room through the housing part corresponding to the bonding region, and only one or more of the second An area in a housing that corresponds to a non joining region.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置，其中绝缘基板和散热件彼此联接以便热量能够在其间进行传导。
技术介绍
已知具有以下结构的半导体装置由例如氮化铝制成的绝缘基板、由纯铝制成的前金属板和后金属板、通过例如焊接接合至前金属板的半导体元件、接合至后金属板的用作散热装置的散热件。该金属板分别接合至绝缘基板的前表面和后表面。该散热件联接至后金属板以与后金属板进行传热。散热件散发由半导体元件产生的热量。上述半导体装置要求长时间保持散热件的散热性能。然而，根据使用条件，常规结构的绝缘基板、金属板和散热件之间的线性膨胀系数的差异会产生热应力。这可导致接合部分破裂和翘曲，从而降低散热件的散热性能。为了消除这种缺陷，日本特许公报第2003-17627号公开了一种在后金属板上具有热应力松弛部分的半导体模块，该热应力松弛部分由具有预定深度的台阶、凹槽或凹陷形成。热应力松弛部分的数量和尺寸确定为使得后金属板对前金属板的体积比不超过0.6。日本特许公报第2007-173405号公开了一种半导体模块，其中在后金属板和散热件的接合表面上，形成由孔或凹槽形成的非接合区域以及其中没有孔和凹槽的接合区域。 接合...
【技术保护点】
１．一种半导体装置，包括：绝缘基板，其具有第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面；第一金属板，其接合至所述绝缘基板的所述第一表面；半导体元件，其接合至所述第一金属板；第二金属板，其接合至所述绝缘基板的所述第二表面；以及散热件，用于冷却所述半导体元件，所述散热件联接至所述第二金属板以使得热量能够传导，其中所述散热件包括壳体部分和位于所述壳体部分中的多个间隔壁，所述间隔壁限定多个冷却介质通道，其中所述壳体部分具有面对所述第二金属板的表面，所述表面包括：接合至所述第二金属板的接合区域、以及未接合至所述第二金属板的非接合区域，其中每个间隔壁均包括面对所述第二金属板的第一末端以及与...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：森昌吾，田村忍，山内忍，栗林泰造，
申请(专利权)人：株式会社丰田自动织机，昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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