The present invention provides a power amplifier capable of improving the rise delay of output power when switching the main power amplifier and the auxiliary power amplifier. The power amplifier of the present invention switches between the main power amplifier (10) and the auxiliary power amplifier (20) with no load current smaller than the main power amplifier (10). The main power amplifier (10) and auxiliary power amplifier (20) respectively with pre amplification of RF signal amplification element (12, 22), amplifying the former amplification element (12, 22) after the level of the output signal of the amplifier (14, 24), driving the former amplification element (12, 22). First stage bias circuit (16, 26) and a driving amplifier element (14, 24) after the bias circuit (17, 27). The interval S1 of the main power amplifier post stage amplifying element (14) and the rear stage amplifying element (24) of the auxiliary power amplifier is less than or equal to 100 mu m. The interval S2 of the post amplifier (14) of the main power amplifier and the post bias circuit (27) of the auxiliary power amplifier is greater than or equal to 200 mu m.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种功率放大器,能够改善当切换主功率放大器和辅助功率放大器时输出功率的上升延迟。
技术介绍
作为以CDMA为首的便携式电话用的功率放大器,现在广泛使用GaAs-HBT (Hetero junction bipolar Transistor:异质结双极型晶体管)功率放大器。图22是现有的 GaAs-HBT功率放大器的电路图。虚线框内是GaAs芯片,除此之外的电路元件利用芯片部件或者线路形成在模块衬底上。图中,Trl、Tr2分别是前级放大元件和后级放大元件。Biasl是驱动前级放大元件的前级偏置电路,Bias2是驱动后级放大元件的后级偏置电路。Vcl、Vc2分别是前级、后级放大用的集电极电源端子,Vcb是偏置电路Biasl、 Bias2的电源端子,Vref是对偏置电路Biasl、Bias2施加控制电压的端子。IN是RF信号的输入端子,OUT是输出信号端子,Rl R4是电阻,Cl ClO是电容,Li、L2是电感。L3 L8是具有特定电气长度的线路,起电感的作用。再有,最近,为了使模块小型化,大多情况下,在GaAs芯片上集成作为输入匹配用的C1、C2、L1或者作为级间匹配用的C3、C4、L2等。图23是表示现有的偏置电路的电路图。该偏置电路是上述前级偏置电路Biasl或后级偏置电路Bias2。图中,Vref是从外部施加控制电压的端子,Trbl "rrbSjrbTJrbS 是GaAs HBT,Tr是放大元件,Rbl Rb3、Rb5 Rb8是电阻。包含Trbl的发射极跟随器电路向对应的放大元件Tr的基极(输入端子)输入与控制电压对应的电压。而且,从端 ...
【技术保护点】
1. 一种功率放大器,在主功率放大器和空载电流比上述主功率放大器小的辅助功率放大器之间切换工作,其特征在于:上述主功率放大器和上述辅助功率放大器分别具有放大RF信号的前级放大元件、放大上述前级放大元件的输出信号的后级放大元件、驱动上述前级放大元件的前级偏置电路、和驱动上述后级放大元件的后级偏置电路,上述主功率放大器的后级放大元件和上述辅助功率放大器的后级放大元件的间隔小于等于100μm,上述主功率放大器的后级放大元件和上述辅助功率放大器的后级偏置电路的间隔大于等于200μm。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:山本和也,铃木敏,浅田智之,松塚隆之,紫村辉之,
申请(专利权)人:三菱电机株式会社,
类型:发明
国别省市:JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。